高通将在MWC2017展示多项新技术 扩大物联网及5G布局

2017年全球移动通信大会（MWC 2017）即将在2月27日~3月2日于西班牙巴塞隆纳登场，不少行动装置及无线技术相关大厂都将发表新一代产品及计画。高通（Qualcomm）将于本届MWC发布物联网（IoT）、5G以及LTE升级版芯片新品，以满足行动领域对无线资料传输愈来愈高的需求。

根据富比士（Forbes）报导，高通最新宣布，其基于3GPP标准开发的Sub-6 GHz 5G新空中接口（NR）无线连网技术，透过自有硬件装置已成功完成首次5G连网，外界预期Sub-6 GHz 5G NR最终将成为高通量产出货5G芯片的技术标准。高通将于本届MWC展运用其最新原型样式系统，展示其5G NR大规模MIMO TDD Sub-6 GHz技术，可展现大规模MIMO的技术优势，以及高通5G NR连网技术带来的高速连网速度优势。

高通也将以自有mmWave技术，展示如何在装置与节点之间进行「非直视」（Non-Line-Of-Sight；NLOS）技术操作，这将进行户外及室内的技术操作演示，以及模拟车辆以时速30英里行进时，节点之间无缝切换的操作。这项技术展示将值得关注，因是全球首度有业者针对行进车辆或穿透建筑物墙壁等的日常生活情况，进行mmWave或5G无线技术演示。

适合于5G时代应用的射频前端（RFFE）技术方面，高通过去已花费很长时间与TDK合作，推出砷化镓（GaAs）功率放大器模块，用以强化其RFFE技术性能，其成立的合资企业RF360 Holdings，专门用于供货RFFE模块等零组件给高通自有内建Modem及适配器的全集成系统，这些零组件包括推出新款多模多频功率放大器模块（QPA）、新款前端模块（FeEMiD）以及天线分集接收模块（DRX）。

此外高通也推出新款天线调谐QAT355x系列芯片，用于搭配新一代Snapdragon 835系统单芯片（SoC），其内建阻抗调谐器、孔径调谐器以及一颗天线分集开关。上述新款功率放大器及其它无线连网系统相关零组件，最终将有助高通推出完善从Modem到天线的解决方案，藉此可提升集成性、减少设计复杂度，并可因应日益复杂的4G及5G射频环境。

针对Gbps级LTE高速传输技术，高通近日也发布Snapdragon X20 LTE芯片，理论上最高传输速度可高达1.2Gbps，上载速度则与已内建于Snapdragon 835处理器的Snapdragon X16 LTE芯片相同，达到2 x 20MHz或150Mbps水平；另外Snapdragon X20也支持授权辅助接取（LAA），为高通首款采10纳米制程生产的离散式Modem芯片。

高通Snapdragon 210 LTE芯片在美国也支持新一代3.5GHz CBRS共享频谱，以及支持双SIM卡及双VoLTE，适合双SIM卡机种多的亚洲市场及电信营运商逐渐拥抱的VoLTE规格。

物联网应用崛起下高通也不落人后，持续开发自有物联网芯片技术以满足市场所需，本届MWC展上高通也将宣布支持Google物联网平台Android Things的Snapdragon 210处理器，这款芯片也是全球唯一支持Android Things的4核心LTE芯片，为部分其它Android Things处理器所未达的规格。

高通这款LTE芯片的推出对Google将是一件好事，因这意谓Android Things将不再只受限于蓝牙（Bluetooth）及Wi-Fi连网规格，提供Google自有平台更大的弹性。至于未来OEM厂商及开发者将如何将Snapdragon 210导入Android Things装置开发上，也值得关注。

智能家庭连网领域方面，高通也宣布将发布新款针对物联网领域开发的三模双核心SoC「QCA402X」系列，将有QCA4020以及QCA4024两款版本，其中QCA4020支持蓝牙Low Energy 5、双频Wi-Fi以及802.15.4技术，包含ZigBee和OpenThread。两款芯片等于是高通旗下首款「15.4」芯片，意谓高通重视支持智能家庭物联网标准的现象。

另外，这系列高通物联网芯片也将包含来自高通近期所宣布「Network IoT Connectivity Platform」的功能，包括对HomeKit、OCF的预先集成支持，以及采用亚马逊网络服务（AWS）物联网软件开发套件（SDK）或微软（Microsoft）Azure SDK开发的云端服务。

本届MWC展开幕前高通已先发布该公司如何以其5G NR及Snapdragon X20芯片，朝5G时代迈进的企图心，以及自有物联网及RFRE技术，预期本届MWC展可见高通进一步发布新技术，未来完成收购恩智浦（NXP）后，高通物联网技术布局将可望进一步扩充，过程中也仍需持续推进自有4G及5G技术进程。