电源/新能源
Vishay推出新款汽车级高压薄膜扁平片式电阻器，扩充其TN...
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K
纳微半导体宣布成功发货超过四千万颗，氮化镓功率芯片行业领导者...
氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码： NVTS）正式宣布其发货数量已超过四千万颗，终端市场故障率为零。
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范...
Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
英飞凌IPOSIM平台推出功率器件使用寿命评估服务，以简化半...
英飞凌科技股份公司的功率器件在线仿真平台IPOSIM被广泛应用于计算功率模块、分立器件和平板器件的损耗及热性能。
Microchip推出业界领先的3.3kV碳化硅（SiC）功...
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围。
英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT，适用于分...
英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
TDK推出新型超薄µPOL™直流-直流转换器
TDK株式会社宣布推出FS1412 microPOL（µPOL™）电源模块。FS1412的尺寸为5.8 ㎜ x 4.9 ㎜ x 1.6 ㎜，其是新系列µPOL™直流-直流转换器的一部分。
TDK推出EIA 2220尺寸的紧凑型CeraLink®电容...
TDK集团（东京证券交易所代码：6762）扩展了其成熟的CeraLink®系列电容器产品组合范围，使其覆盖到小型尺寸。在此之前，该产品组合仅包含即装即用的大尺寸型号。为拓展其应用范围，我们推出了采用经典片式设计的小尺寸型号。
Vishay推出经AEC-Q200认证的新型混合绕线充电电阻...
Vishay宣布，推出经过AEC-Q200认证、业界先进的采用混合绕线技术、标准封装尺寸的新型充电电阻--- HRHA。
EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/...
EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
纳微氮化镓功率芯片进入全新三星Galaxy S22系列45W...
Navitas 首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消费者欣赏具有创新、性能和质量卓越的领先技术。 “三星和纳微在提供下一代充电性能的同时，专注确保效率提升和可持续发展。
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 ...
英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
大联大友尚集团推出基于onsemi产品的5G高效电源供应器解...
5G技术凭借着高速度、低延迟与巨量连接等三大特性，促进了例如自动驾驶、大数据与物联网等热点应用的发展。然而随着5G广泛的应用，5G电源供应器也被要求在有限的空间内提供更高的瓦数，这迫使电源供应器朝着更高效率或更高的功率密度的方向发展。
意法半导体车门区和后窗控制器增加电动后备箱/尾门功能
L99DZ200G 包含两个 H 桥栅极驱动器、一个用于驱动外部 MOSFET功率管控制后视镜加热的栅极驱动器、一个用于控制自动防炫目后视镜调光的控制单元及高边驱动器，以及五个 LED 高边驱动器。
英飞凌推出EiceDRIVER™ F3增强型系列栅极驱动器，...
EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），以及高达8.5 A的典型输出电流。
绿色出行：英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降...
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即将推出采用XHP™ 2封装的CoolSiC™ MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。
英飞凌推出新一代MOTIX™半桥驱动IC
英飞凌科技再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
Diodes Incorporated高频100V额定栅极驱...
Diodes 公司推出 DGD0579U 高侧和低侧栅极驱动器。这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。
东芝推出超低电容TVS二极管，可保护物联网设备高频天线免受E...
Wi-Fi®等无线电通信中使用的高频天线需要通过抑制高谐波失真，来保护其内部的电子元件。DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF（最大值），是东芝当前所能提供的最小电容，较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。
【AFG专题系列72变】之一：电源倍频我来也
AFG31000系列任意函数发生器可直接查看连接 DUT 后的实时波形，无需使用示波器或其他设备，节省测试时间并避免因阻抗不匹配导致的实验错误
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