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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>“GaN”功率元器件的探索 - 未来的材料宠儿“碳化硅”和“氮化镓”

“GaN”功率元器件的探索 - 未来的材料宠儿“碳化硅”和“氮化镓”

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2023-06-02 14:10:32747

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

氮化镓和碳化硅谁将赢得宽带隙之战?

氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位,它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22:08837

碳化硅的性能和应用场景

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料碳化硅材料主要可以制成碳化硅氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041

igbt和碳化硅区别是什么?

igbt和碳化硅区别是什么?  IGBT和碳化硅都是半导体器件,它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘
2023-08-25 14:50:049044

氮化镓和碳化硅的结构和性能有何不同

作为第三代功率半导体的绝世双胞胎,氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体,是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。 氮化
2023-10-07 16:21:18325

碳化硅氮化镓哪个好

碳化硅氮化镓的区别  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料,但是碳化硅氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51741

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅在温度传感器中的应用

碳化硅在温度传感器中的应用  碳化硅 (SiC) 是一种广泛应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力,碳化硅成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中,我们将讨论
2023-12-19 11:48:30207

氮化镓半导体和碳化硅半导体的区别

氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18327

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

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