Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 STTH30R04快恢复二极管，电压400V，电流30A，TO-220封装，反向恢复时间快，降低开关和导通损耗，快速开关，低反向漏电流，结温高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等
2020-09-24 16:18:20
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
从而使元器件数量更少、电路规模更小。一般这类电路是由MOSFET或IGBT与二极管组合构成的。与二极管组合的原因是为了抑制MOSFET和IGBT的内部二极管trr间产生的换流损耗，通常需要2个外置快速
2018-11-28 14:27:08
。Vishay轴向肖特基二极管90SQ045、80SQ045、50SQ100专门针对太阳能电池板应用，具有低Vf、低漏电流、最大结温为175°C的特点。风电太阳能发电以及电动汽车应用中，为了正确的对电池进行
2010-09-08 15:49:48
的电流越大，导通电压越大。本人由于需要，将1N4148接在电源输出端做防反接，当流过0～10mA电流时，1N4148输出端电压纹波达600mV，导致系统工作不正常。 由于二极管的导通压降和流过的电流成正比
2022-03-15 15:41:10
和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V
2016-11-11 14:24:30
用数字万用表测量二极管正向电阻与反向电阻，现在有几个疑问请教大家。1：黑表笔接二极管阳极，红表笔接二极管阴极。这个为什么定义为反向电阻，红表笔接的是二极管阳极，黑表接二极管阴极。这个定义又什么定义为
2017-08-25 10:59:34
很大的特性，可以将二极管作为电子开关器件，即所谓的开关二极管：二极管导通时，其内阻很小，相当于开关接通；二极管截止时两引脚之间的电阻很大，相当于开关的断开。在电路中可以起到通与断的控制作用。二极管规格书下载：
2021-01-22 16:10:45
。经过试验可以发现，二极管的结温与其导通电压是呈线性关系的，其比值可以用 K 来表示。由于无法直接测量到二极管内部温度，在实际测试中，只能通过改变环境温度，用环境温度的变化来模拟结温的变化情况。试验中
2018-02-27 10:28:52
温度一定时，流过二极管的电流越大，导通电压越大。本人由于需要，将1N4148接在电源输出端做防反接，当流过0～100mA电流时，1N4148输出端电压纹波达600mV，导致系统工作不正常。 由于
2020-12-11 16:44:59
首先，在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类，及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时，根据其用途，有几种分类方法。在这里，主要考虑用于功率转换，对Si二极管
2018-12-03 14:30:32
` 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把
2016-02-29 14:33:39
载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管`
2020-02-08 15:04:50
0.3PF @1MHz低电容ESD保护二极管可保护半导体设备（如移动设备接口和其他应用）免受静电和噪声的影响。这些ESD保护二极管利用了快速恢复特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。低电容ESD二极管可优化
2020-05-21 11:01:21
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放电二极管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放电二极管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 肖特基二极管有什么用？肖特基二极管的最大特点是正向压降VF比较小，在相同电流情况下，其正向压降要
2021-10-18 16:45:00
电压和EMI，使开关器件的作用得到充分发挥。 快恢复二极管MUR860D在直流电路中的作用快恢复二极管MUR860D具有反向阻断时耐压高、漏电流小、正向导通电阻低、电流大的特点。因为是作为开关
2021-12-07 16:12:41
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗？那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
STTH80S06/RURG8060快恢复二极管，电流80A，电压600V，TO-247封装。超快开关，低反向电流，低热阻，低开关和导通损耗。产品适用于开关电源和太阳能逆变器。由于它的低正向压降
2020-09-24 15:59:11
MOSFET模型仿真验证Id_Vds有效性MOSFET模型导通电压Vgs(th)验证MOSFET模型导通电阻测试验证与体二极管I-V特性测试电路搭建MOSFET模型体二极管正向电流与正向电压关系I_V性能仿真验证
2017-04-12 20:43:49
的传递函数导出示例 其1升降压转换器的传递函数导出示例 其2开关的导通电阻对传递函数的影响总结总结关键词开关损耗 传递函数 电源设计 SiC-SBD 快速恢复二极管 SJ-MOSFET IGBT 状态空间
2018-11-27 16:40:24
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
电压后，TVS二极管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流通过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管
2017-04-06 16:54:25
瞬态功率可达200W-30000W，甚至更高；• 工作电压范围3.3V~600V，甚至更高TVS二极管凭借PS级响应速度、大瞬态功率、低漏电流和电容、箝位电压易控制、击穿电压偏差小、可靠性高、体积小
2020-10-21 16:54:18
工作；当电路出现异常浪涌或电压并达到了瞬态二极管击穿电压时，瞬态二极管迅速由高阻态变为低阻态，瞬间吸收一个瞬时过电流，把异常过电压钳位在较低的水平，保护后级电路的精密器件免受瞬态高压尖峰脉冲的冲击
2022-05-25 14:16:57
许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体
2010-04-09 21:56:24
导通时 耗尽区是否消失？2、当二极管的正偏电压未达到导通电压时，其电阻很高,因为电压变化较大，而电流变化较小。当正偏电压大于导通电压时，二极管导通，其电阻很小，因为电压变化很小，却导致电流的很大
2010-03-15 09:15:46
在做模拟电路题目，请问怎么设置二极管的参数，需要理想二极管。有时候导通电压是0V，有时候是0.7V，都是固定的。
2013-12-20 10:12:11
0 引言 微波pin二极管是一种应用非常广泛的微波控制器件，可以用来制作微波开关、微波衰减器、微波限幅器、微波移相器等。 在各类微波pin二极管电路应用中，二极管电阻的温度特性强烈地影响着微波电路
2019-06-25 06:06:38
载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快
2019-03-11 11:24:39
所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率肖特基二极管来说它不仅影响效率也影响肖特基二极管的温升，所以在价格条件
2018-10-18 18:19:30
。 肖特基二极管的导通电压非常低。普通二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系统的效率。 肖特基二极管的优点是正向压降
2018-11-05 14:29:49
。启用输入可用于关闭MOSFET和控制器的低电流状态。状态输出指示是否MOSFET是开启或关闭。特点功率二极管的低损耗替代 控制N沟道MOSFET小号 0V至18V电源“或”或持q1an9抢劫 1μs
2012-11-16 17:11:56
请问各种发光二极管的导通电压和电流时多少？
2012-09-11 12:40:19
发光二极管原理发光二极管特性发光二极管电阻计算方法发光二极管的限流电阻的计算发光二极管电阻接法
2021-03-04 07:46:09
发光二极管有2EF系列和TB系列，常用的三色发光二极管有2EF302、2EF312、2EF322等型号。 电压控制型发光二极管 通俗发光二极管属于电流控制型器件，在应用时需串接恰当阻值的限流电阻。电压
2018-04-03 11:33:11
发光二极管有2EF系列和TB系列，常用的三色发光二极管有2EF302、2EF312、2EF322等型号。 电压控制型发光二极管 通俗发光二极管属于电流控制型器件，在应用时需串接恰当阻值的限流电阻。电压
2018-09-07 11:29:24
MDD肖特基二极管具有的优势：肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管均具有非常低的正向压降和比传统二极管更低的热
2020-08-28 17:12:29
止。图 2. 用于降压转换的同步开关稳压器，采用 N 沟道 MOSFET 和额外的肖特基二极管，可最大限度地减少干扰。相应 MOSFET 中的体二极管有一个主要缺点。由于反向恢复现象，其开关速度非常低
2020-11-11 09:08:55
、场效应器件和特殊的肖特基二极管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅单载波器件具有薄漂移区和低导通电阻，比硅器件小约100-300倍。由于导通电阻小，碳化硅功率器件的正向损耗小。2）碳化硅功率器件由于其高击穿
2023-02-07 15:59:32
N型半导体一侧，相对较薄，故其正向导通门槛电压比普通PN结低。但是也是因为肖特基二极管的耗尽区较薄，所以反向击穿电压比较低。 如果是使用的话，TVS有二极管类，和压敏电阻类。个人认为压敏电阻类更有
2023-03-16 17:29:45
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管FMD4206S，电压600V，电流20A，快恢复时间50ns，TO-3PF封装。开关速度快，低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC；白色家电
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
元件。肖特基二极管与普通二极管从外观上如何区分？括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别
2020-12-15 15:45:54
结构符号用途・特征对电源部的一次侧起到整流作用。容易获得1A以上、400V/600V的高耐压。整流二极管 (Rectifier Diode) 顾名思义，是指对商用频率的交流电进行整流的二极管。整流
2019-04-11 02:06:13
正常情况下，要满足稳压二极管的反向电压是等于或者大于整流二极管的方向电压。普通二极管是指工艺材料没有什么特殊的二极管。其性能也就没有特点了。能不能代替整流二极管呢？根据二极管的使用原则，只要其耐压
2021-05-26 16:49:24
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
） MOSFET,以节省一个 MOSFET.通过在理想二极管和热插拔 MOSFET 之间配置检测电阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改进，LTC4228 能更快地从输入电压欠压中恢复，以保持输出电压
2018-09-29 16:41:57
接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生
2017-11-30 13:15:14
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
开关电源小型化，并降低产品噪音。 2、碳化硅肖特基二极管的正向特性 碳化硅肖特基二极管的开启导通电压比硅快速恢复二极管较低，如果要降低VF值，需要减薄肖特基势垒的高度，但这会使器件反向偏压时的漏电
2023-02-28 16:34:16
常用的稳压二极管的外形与普通小功率整流二极管的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压二极管与普通整流二极管区别开来。具体方法
2021-08-16 17:04:51
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2021-11-12 06:28:29
1.稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到稳压作用。稳压二极管主要利用其
2021-11-15 08:33:46
1.稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到稳压作用。稳压二极管主要利用其
2021-11-15 09:13:52
稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则
2012-09-10 17:16:56
，还通过优化内置二极管的特性，改善了超级结MOSFET特有的软恢复指数※3），可减少引发误动作的噪声干扰。通过减少这些阻碍用户优化电路时的障碍，提高设计灵活度。该系列产品已经以月产10万个的规模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，还通过优化内置二极管的特性，改善了超级结MOSFET特有的软恢复指数※3），可减少引发误动作的噪声干扰。通过减少这些阻碍用户优化电路时的障碍，提高设计灵活度。该系列产品已经以月产10万个的规模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作
2019-01-08 13:56:57
` 1、开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了
2015-11-27 18:02:58
MOSFET和额外的肖特基二极管，可最大限度地减少干扰。相应MOSFET中的体二极管有一个主要缺点。由于反向恢复现象，其开关速度非常低。在反向恢复时间内，电感（L1）导致开关节点处的电压下降到比地电压低几
2020-12-16 16:57:38
）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复
2017-10-19 11:33:48
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管
2020-11-26 17:31:19
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管
2021-11-16 17:02:37
）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
请问mosfet搭建的H桥为什么比二极管搭建的H桥功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
大家知道我们在设计电路时该如何选择这个续流二极管的导通电流值吗？比如在一个大电感的直流线圈反并联一个续流二极管，这个二极管的电流值该如何选择啊？
2019-06-20 04:35:56
请问贴片电阻，贴片电容，贴片二极管，稳压二极管，MOS管，MOSFET和封装形式有那些呢？请一一说明，谢谢各们大师哦！！！
2020-11-13 14:54:46
我的电路是验证电容的充电是有一定过程的，如果让电阻和发光二极管直接与电源连接，则由于二极管两端获得的电压不够，所以不能导通。现在我想是先让电容充电，等到一定的时候，电容两端的电压大于发光二极管的导通电压时，发光二极管就会发光，这个是在Multisim中模拟的，但是二极管没有点亮，请问：错在哪了？
2015-08-12 09:38:27
，所以使用可高速开关的快速恢复二极管。需要探讨的是耐压和损耗。施加于输出二极管的反向电压考虑到余量为： Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二极管
2018-11-27 16:51:14
在下面的图中（假设二极管为理想二极管,正向导通电阻为0）,为什么二极管D1先导通,请解释得清楚合理些,不要光说V1比V2电压高所以二极管D1先导通,请详细给出个合理好理解的解释.
2016-05-24 11:05:43
二极管，配合周围R13,R12电路，常理上分析，当电压大于二极管导通电压0.7V时，二极管直接导通，这一堆都起不到过压过流保护作用，只有电压低于0.7V时，电流才会绕过二极管，走R13,R12,二电阻起限流作用。不确定这二个二极管的保护作用，请教高手解惑，谢谢！
2020-04-08 22:01:04
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通
2023-02-27 11:52:38
静电二极管的分类可分为单向和双向，这两种具体是怎样的呢？单向与双向保护：单向和双向ESD二极管器件都能抑制正向和负向应力。依据ESD二极管维持高阻抗、低泄漏状态的电压范围，可以最好地理解这两个术语
2022-06-08 17:06:58
一、能够在期望的静电应力下正常工作；二、在正常电压范围内具有高阻抗(低泄漏)；三、在正常电压范围之外呈低阻抗；四、导通电压适合应用；五、在遭受应力期间可快速地从高阻抗转换至低阻抗六、电容对目标应用而言不太高。静电二极管规格书下载：
2022-06-09 11:49:54
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
越好。高压二极管的正向电阻即是正向压降。正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低
2019-10-12 15:12:19
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的，最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
。当电路反向偏置时，电流停止，直到达到齐纳电压。这一特性非常重要，因为它允许在承载大电流的同时进行可靠的电压管理。齐纳电压可以根据需要通过掺杂器件进行微调。虽然齐纳二极管的电流-电压（I-V）曲线
2023-02-02 16:52:23
普通二极管（正导通电压）众所周知，公共二极管和晶体管的发射极结具有阈值电压。对于硅器件，导通电压约为0.65 V。随着导通电流的变化，这种电压变化并不显著。因此，任何硅材料的普通二极管都可以
2023-02-13 17:51:25
MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817
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