探究当前相关企业正在如何提升中国集成电路产业实力

电子发烧友网 2018-06-17 08:29 次阅读

中兴事件“一石激起千层浪”,引起全国人民关心我国集成电路产业,关心起“芯片”来,上至领导,下至普通老百姓。大家都在问:为什么我国集成电路产业老是落后?其他行业都上去了,为什么集成电路还要国家用大量外汇进口?

首先我们先一览中国集成电路产业发展艰难历程:

1、中国集成电路早期研发状况(中国科学院半导体所、13所等) 

2、工业生产初步形成(878厂和上无19厂) 

3、探索突破量产途径(爱卡、兴华和华科) 

4、走上技术引进道路(742厂─华晶、华越)

5、转入中外合资阶段(贝岭、飞利浦─先进、首钢日电) 

6、908工程和909工程(华晶和华虹) 

7、从IDM转向代工(Foundry)(先进、华晶上华) 

8、具有特色的典型企业(燕东、士兰、方正微电子) 

9、国际化建设代工大厂(中芯国际和宏力) 

10、台湾公司来大陆建厂(和舰、中纬、台积电松江、联芯、晶合、晋华、台积电南京) 

11、外资独资来华建厂(海力士、英特尔三星) 

12、国家大基金注入国家团队大企业(中芯国际、华虹─宏力─华力、长江存储)

1那么中国集成电路到底有多落后?

先看市场份额。中国集成电路市场总量在3000亿美元左右,国产芯片能占30%左右的份额。

再看产品。有些产品,如PC机的主CPU芯片,中国公司追了很多年,差距仍然在三年以上。有些产品,如手机主SoC芯片,华为旗下的海思已经有了世界一流的产品。

再看量产工厂。目前技术最先进的工厂分别属于美国Intel、韩国三星、台湾台积电。如果说大中华,中国已经赶来了。如果只说大陆,至少相差两代。

2下面我们将以数据来看看我国的集成电路发展情况:

从上看出,由小规模到大规模,中国与美国的差距在6~8年,但是到后来超大规模和特大规模,差距越来越大,拉大到10~13年。

从上看出,美国从年产100万块增长到6亿块才用了8年,而中国则用了26年,差距从开始时6年,拉大了18年,增加到24年!

这可是在“文化大革命”1976年结束后的20年啊!产量规模越来越大,而差距则越来越远啊!

3那么我们一起来探究下当前相关企业正在如何提升中国集成电路产业实力呢?

海思半导体

海思半导体是一家半导体公司,海思半导体有限公司成立于2004年10月,前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。海思的产品覆盖无线网络、固定网络、数字媒体等领域的芯片及解决方案,成功应用在全球100多个国家和地区;在数字媒体领域,已推出SoC网络监控芯片及解决方案、可视电话芯片及解决方案、DVB芯片及解决方案和IPTV芯片及解决方案。

从成立到实现38亿美元的营收成为全球无晶圆半导体设计公司的第6名,海思用了25年的时间,当然这其中因为背靠华为这棵大树,让海思半导体可以避免很多创业公司在初期会遭遇的残酷的市场碾压,可以更稳健的成长。而扶持海思半导体也是华为的一部好棋,时至今日,华为和海思已经是一种共赢的状态,当我们谈论两大国产手机品牌华为和联想的最大差别的时候,硬件实力的积累无疑是一个关键点。

清华紫光展锐

作为紫光集成电路产业链中的核心企业,紫光展锐致力于移动通信和物联网领域核心芯片的自主研发及设计,产品涵盖2G/3G/4G移动通信基带芯片、射频芯片、无线连接芯片、安全芯片、电视芯片、图像传感器芯片。目前,紫光展锐的员工数量超过4500人,在全球拥有16个技术研发中心、7个客户支持中心,已发展成为全球前三的手机基带芯片设计企业、中国最大的泛芯片供应商、中国领先的5G通信芯片企业。

中兴微电子

中兴微电子以通信技术为核心,致力于成为全球领先的综合芯片供应商。经过十多年的发展,中兴微电子已建立了一支高素质的研发和管理队伍,研发人员超过2000人,在全球设有多个研发机构。截至2016年底,共申请IC专利超过3000件(其中PCT国际专利超过800件)。2017年中兴微电子销售规模达到66亿,位于国内IC设计公司前三。

中兴微电子掌握国际一流的IC设计与验证技术,拥有先进的EDA设计平台、COT设计服务、开发流程和规范,自研芯片研发并成功商用的有100多种,覆盖通讯网络、个人应用、智能家庭和行业应用等“云管端”全部领域,在国内处于行业前列。

联华电子

联电成立于1980年,是台湾第一家半导体公司。联电是世界晶圆专工技术的领导者,持续推出先进制程技术并且拥有半导体业界为数最多的专利。

联电的客户导向解决方案能让芯片设计公司利用本公司尖端制程技术的优势,包括通过生产验证的65纳米制程技术、45/40纳米制程技术、混合信号/RFCMOS技术,以及其它多样的特殊制程技术。

其核心能力联电是纯晶圆制造公司,具有内部自行研发的能力、生产世界级的8英寸/12英寸晶圆、坚强的工程团队与尖端的制程技术,目前已能生产经生产验证的45纳米/40纳米客户产品。

华大半导体

华大半导体有限公司(简称华大半导体)是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的专业子集团。旗下有三家上市公司,总资产规模超过100亿。2014年5月8日在上海成立,专业从事集成电路设计及相关解决方案。2017年位列国内集成电路设计企业第四名,在智能卡及安全芯片、智能卡应用、模拟电路、新型显示等领域占有较大的份额。

华大半导体主要产品种类包括:工控MCU、功率及驱动芯片、智能卡及安全芯片、电源管理芯片、新型显示芯片。

小结

集成电路从美国开始,后来往日本移,这些年又往韩国和中国台湾地区移,有人预测下一波要往中国大陆移了,能实现否?何时能实现啊?

我们老一辈中国集成电路产业闯路者们都指望如今奋斗在我国集成电路产业第一线的工程技术人员、工人和企业管理者们一如既往、不忘初心、前赴后继地担起这一历史重任来!

我呼吁当今热衷于出国深造的清华、北大等名校小师弟小师妹们学成早日回来报效祖国,像上世纪五、六十年代的大学生们那样,勇敢跳进国家集成电路制造产业行业中来,不要追求名利,埋头苦干10年、20年,以致30年!为振兴中国芯片制造业奋斗终身!期望你们取得辉煌业绩...

原文标题:华为海思、紫光展锐、中兴微等十家企业告诉你,中国集成电路差距究竟有多大!

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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大春1978
学霸们努力加油,推动国家集成电路产业发展,跻身世界先进者行列!国家需要你们站出来!

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LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

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LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

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LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

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LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

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LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 08-06 17:13 144次 阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 08-03 17:56 57次 阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器