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ADI推新款频率合成器ADF4371 支持各种射频/微波系统设计

2018-06-05 12:26 次阅读

  中国,北京—Analog Devices, Inc. (adi)近日宣布推出一款先进的频率合成器ADF4371,采用了相环(PLL)、完全集成式压控振荡器(VCO)并集成低压差调节器(ldo)和跟踪滤波器技术。全新ADF4371支持各种射频/微波系统设计,能够满足航空航天、测试/测量、通信基础设施以及高速转换器时钟等多个市场严苛的下一代产品设计要求。

ADI推新款频率合成器ADF4371 支持各种射频/微波系统设计

  ADF4371运用ADI公司在射频和微波频率合成器领域25年的专业知识进行设计,是当今市场上性能最高的频率合成器,提供62MHz至32GHz最宽的连续射频输出范围。此器件结合超低PLL FOM

  (-234dBc/Hz)、超低杂散(-100dBc典型值)、低VCO相位噪声(8GHz下1MHz失调时为-134dBc/Hz)以及内置的跟踪滤波器技术,具有出色的性能和适用性。它采用功能丰富的可灵活配置架构,因此设计人员只需选用一种超紧凑的频率合成器解决方案,就能满足这些频率范围内的几乎任何LO/时钟需求,从而可降低开发成本和风险并缩短产品上市时间。

ADI推新款频率合成器ADF4371 支持各种射频/微波系统设计

  ADF4371配合外部环路滤波器和外部基准源使用,可实现高分辨率(39位)小数N分频或整数N分频锁相环频率合成器。该微波宽带VCO设计允许产生62.5 MHz至32 GHz的频率。该器件具有行业最低的抖动(在10GHz时为36fs)和参考杂散(-100dBc典型值),并且工作温度可达105℃而不失锁。

  对于要求占板面积非常小的应用,ADF4371支持集成电源去耦、集成LDO和集成谐波跟踪滤波器。跟踪滤波器技术有助于在整个VCO范围内实现至少为30dB的谐波和次谐波抑制。这极大地减小了总体解决方案的占用面积,尤其适合需使用固定范围滤波器以满足倍频程带宽抑制需求的应用。对于无需使用ADF4371全频率范围(高达32GHz)的应用,ADI公司还提供ADF4372产品,其工作频率可达16GHz。

  ADF4371产品特性:

  ● 超低FOM(归一化相位噪底)-234dBc/Hz

  ● 鉴频鉴相(PFD)能力高达250MHz

  ● 最低积分相位噪声(抖动)《 36fs@10GHz

  ● 最低参考杂散《100dBc典型值

  ● 整数边界杂散(整数通道偏移960kHz时为-90dBc)

  ● 集成谐波滤波器

ADI推新款频率合成器ADF4371 支持各种射频/微波系统设计

  ADF4371与ADF4372在ADI公司的电路设计和评估工具ADIsimPLL™的支持范围内,这款广受欢迎的工具可以协助用户对射频和微波系统进行评估、设计和故障排除。

  关于ADI公司

  Analog Devices, Inc.是全球领先的高性能模拟技术公司,致力于解决最艰巨的工程设计挑战。凭借杰出的检测、测量、电源、连接和解译技术,搭建连接现实世界和数字世界的智能化桥梁,从而帮助客户重新认识周围的世界。

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ADI 深度丨细说电流隔离 LVDS 接口

LVDS 电路提供电流隔离的可能性不容忽视
的头像 亚德诺半导体 发表于 04-17 15:42 301次 阅读
ADI 深度丨细说电流隔离 LVDS 接口

基于搭建一种具有优秀可移植性的高性能通用软件无线电平台的目的

目前主要有两种软件无线电方案:一种方案是基于分立器件搭建硬件平台,这种方案会导致整个系统结构复杂,功....
的头像 射频百花潭 发表于 04-15 12:42 578次 阅读
基于搭建一种具有优秀可移植性的高性能通用软件无线电平台的目的

无线技术之802.11n技术讲解

MIMO 技术同时利用多个射频信号,每个信号由对应的天线发送出去属于自己的空间流。在典型的无线环境下....
发表于 04-13 09:58 235次 阅读
无线技术之802.11n技术讲解

适用于5G的先进解决方案 IDT+Renesas蜂窝基站建设

最低的相位噪声,将来自转换器的信噪比最大化,实现了最佳的无线性能。
的头像 IDT全球动态 发表于 04-12 16:55 885次 阅读
适用于5G的先进解决方案 IDT+Renesas蜂窝基站建设

GaN将在高功率,高频率射频市场优势明显

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已经成为5G宏基站功率放大器的主流候选技术。
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-11 11:23 795次 阅读
GaN将在高功率,高频率射频市场优势明显

射频氮化镓领域的知识产权现状

目前,有30多家厂商申请了与GaN MMIC相关的专利,其中,东芝和科锐拥有最重要的专利组合。科锐在....
的头像 MEMS 发表于 04-11 09:50 2884次 阅读
射频氮化镓领域的知识产权现状