紫光大谈中国“芯”梦想 有望打破国际大厂垄断局面

紫光集团董事长赵伟国近来心情极好，逢人就笑开怀，更在央视《对话》节目和乌镇互联网大会的全球数字经济论坛上畅谈打造中国“芯”的梦想。

图丨乌镇互联网大会的全球数字经济论坛上的赵伟国

能让赵伟国这么开心，正是因为近期紫光旗下的长江存储成功研发 32 层 64G 的 3D NAND 芯片，抢下中国存储自制芯片的第一名，对于实现打破国际大厂垄断局面的目标，跨出关键性一大步！

图丨长江存储 32层64G的3DNAND芯片

不可否认的是，当前中国半导体的艰难局面来自于：中国身为全球最大的半导体市场，但却必须高度依赖进口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片为例，9 成以上都依靠国际大厂。而要打破这样的局面，DT 君认为，关键就在 2019 年！

2019 年，中国三大存储阵营的技术开发成果将见真章，包括长江存储的下一代的 64 层 3D NAND 芯片、联电扶植的福建晋华集成的 2x 纳米技术，以及合肥睿力的 19 纳米 DRAM 技术。

这关键的 DRAM 和 3D NAND 技术研发成果，究竟会石破天惊打破国际大厂的垄断？抑或只是丑媳妇终究是要见公婆？这问题的答案，将决定未来十年中国存储产业的命运。

自主 DRAM 和 3D NAND 技术这条道路，中国才处于萌芽阶段，但已可以感受到前方是荆棘密布，伴随刀光剑影的跨国法律大战。也就是因为如此，有人开始质疑，为什么不走捷径，干脆与国际大厂技术授权合作，既可以合法合规的生产芯片，又可免除接连不断的司法威胁？反正破财消灾，付该付的钱，就能生产自有芯片，照样能够支持国内需求。

但醍醐灌顶与饮鸩止渴之间的差别有多大，其实就在于一念之间。多位具有丰富存储器产业经验的高层人士告诉 DT 君，大陆万万不可再像***一样，走上拿技术授权、帮大厂代工的老路。

回顾*** DRAM 过去 20 年的产业发展脚步，讲白了，等于是为美、日、欧等国大厂打了 20 年工，到最后仍是无法拥有自己的技术，只换来“生产成本最低的 DRAM 厂”的称号。当外国人基于自身营运窘迫，或是另有考量而要收回技术授权时，*** DRAM 厂顿时面临技术断炊的窘境，股价重挫是必然的结果。

但更让人痛心的，是二十年心血一朝付诸东流的现实，因为每当存储器产业发展陷入衰退期，DRAM 厂面临的不是低毛利率，而更可能是负毛利率的处境，每天烧掉几千万都不是新鲜事。不用多久，就会面临营运资金短缺的状况，到那时，就只有将手上的晶圆厂便宜卖给外国人。20 年的苦心经营，最后落到技术也拿不到、晶圆厂也保不住，仔细想想，有哪一家企业承受得起这样的重击。

前车之鉴不远，在存储半导体这条路上，中国大陆厂商应该很清楚，不能再踏上这条不归路，再怎么苦，也要坚持技术自主！

图丨紫光集团执行副总裁高启全

紫光集团执行副总裁高启全就认为，中国发展存储芯片不能再走授权代工的路，一定要技术自主开发，用到别人的专利就付钱，同时也累积自己手上的专利实力，如果最后真的无法成功，那也必须接受事实。

福建晋华总经理陈正坤曾被问及为什么要加入联电和中国大陆 DRAM 技术合作研发计划，陈正坤感性但一针见血的说，当年瑞晶被美光兼并这件事对他的冲击非常大，且自主开发 DRAM 技术一直是他心中的梦想，希望这个梦想从他这里播种开花！

图丨福建晋华总经理陈正坤

高启全、陈正坤都曾经是在过去 20 年存储产业身经百战的沙场老将，他们的感叹，是 20 年的血泪，但现在，这群人带着前错不再犯的决心，要将中国存储半导体产业扭转乾坤。

以目前全球三大 DRAM 阵营的势力分布来看，三星、SK 海力士、美光的市占率分别为 46%、27%、21%，意即全球 DRAM 芯片有超过 90% 都掌握在韩美两国手上，尤其是韩国，手握超过 70% 的 DRAM 芯片，而中国必须成为全球 DRAM 产业除了韩、美以外的第三大势力，才能平衡产业生态，也才能在全球半导体产业中取得上桌谈判的资格。

图丨全球三大DRAM 厂商

其实，DRAM 技术的研发，真正的困难点不在技术本身，而是 DRAM 专利都已经被国际大厂牢牢握住，要避开所有现有的专利来进行开发，才是真正的障碍。即使中国厂商千辛万苦创新突破完成 DRAM 技术研发，很可能还不到量产阶段，就先收到三星、SK 海力士控告专利侵权的律师函。

事实上，美国与韩国大厂以法律当武器恫吓对手的做法，早已是屡见不鲜的事，这几天，美光就针对联电和福建晋华目前仍在研发阶段的 DRAM 技术，在美国提出涉嫌妨碍运营机密的控告。而这并不是美光第一次出手阻止中国厂商的 DRAM 研发计划。

时间拉回 2017 年初的新年前，美光为了防止员工跳槽，趁着这批人回家过年时，在***提出妨碍营业机密诉讼，进行大规模约谈，并对其中部份人员限制出境。这个消息当时震惊了存储半导体产业，让人见识到美国大厂强悍作风，但在其中，却也嗅得出美光对于中国存储芯片产业超高度防备警戒。

也因为如此，福建晋华、合肥睿力两大 DRAM 技术阵营从一开始，就维持极为低调的行事风格，关起门来专心研发。

但现在这两大阵营的难处在于，研发初期的设定主要是参考和模拟美光 DRAM 的技术和流程，由于美光设下天罗地网的法律手段吓阻任何可能的技术抄袭，让福建晋华与合肥睿力都必须规避美光的设计，改走韩系大厂路线，但这样的转变，挑战相当大，会不会导致研发和量产时程延后，恐要进一步观察。

但是，美光等大厂的担心不是没有道理的，2017 年底，中国存储产业传出的长江存储成功研发 32 层 3D NAND 芯片的好消息，不但让赵伟国眉开眼笑，也让国际大厂感受到实实在在的压力。

2017 年 11 月初，紫光旗下的长江存储投入研发将近两年的 3D NAND 芯片，在搭配 NAND Flash 控制芯片置入 SSD，且连接上终端系统后，该系统成功“动”起来。

这惊天一“动”，背后代表的意义，是首颗中国制的 3D NAND 芯片成功通过终端产品的测试，宣告研发成功，中国存储产业向前迈进了一大步。这样的消息，或许可以解读为长江存储投入研发 3D NAND 芯片的初步成功，但也不要太快陷入骄傲的迷思里，因为距离实际的成功，仍有一段很长的路。

首先，长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术，对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术，还有一段距离，而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术，驱动芯片的密度提升、成本再下降。

图丨长江存储竞争对手技术推进时间表

再者，研发成功和商业化量产，是两个截然不同的层次。研发成功虽然是关键的第一步，但并非是芯片量产的保证。

芯片要进入量产阶段，良率要先达到一定的水准，否则是不符合生产成本效益的。而长江存储用来测试的这一颗 3D NAND 芯片，绝对是精挑万选出来的“精英部队”，然而不代表生产出来的每一颗芯片都可以通过测试，因此，必须要让良率够高，晶圆产出中的“精英部队”数量才会更多。

但根据 DT 君的观察，长江存储并不是真的那么天真乐观的以为自己就此一帆风顺，尽管研发速度超前目标，但长江存储的策略并不冒进，而是有目标地按部就班前进。

长江存储把这次研发成功的 32 层 3D NAND 视为打底的技术，要用该技术来证明研发的可行性，但并不打算现在就大量产出。因为，公司很清楚知道，大量生产后的 3D NAND 要具备成本竞争力，至少要有 64 层技术底蕴才行。

图丨NAND单位存储空间成本下降

2018 年长江存储的 32 层 3D NAND 技术会小量试产，但更重要的战场，是要再次挑战 64 层 3D NAND 技术的成功。

赵伟国出席世界互联网大会的全球数字经济论坛上也表示，长江存储明年将进入 64 层 128G 的 3D NAND 芯片，估计还要再花上 20 亿美元的研发费用。

再者，紫光早早规划好投资规模高达 240 亿美元、单月产能 30 万片的武汉 12 寸存储器生产基地就可以正式开始启动，该时间点预计是 2019~2020 年。

另一个被美光的专利大刀追着跑，从***追杀一路到美国的福建晋华和联电，其 DRAM 合作方式与其他阵营有着不同的模式。

联电在 2016 年接受福建晋华的委托，开发 DRAM 相关的制程技术，根据技术开发的进度，由福建晋华支付联电技术报酬金，当做是开发费用，而最后研发的 DRAM 技术，将是由双方共同拥有。

在上述的合作协议下，联电将上百人的 DRAM 研发团队和试产线设立在***南科，同时进行 2x 纳米和 3x 纳米两个制程的研发。

另一个 DRAM 阵营是合肥睿力，从成立至今的形式作风非常低调。该阵营的主导者有前半导体设备大厂应用材料 (AppliedMaterials) 全球执行副总、前中芯国际总裁兼 CEO 王宁国，以及前华亚科高层刘大维等。

合肥睿力的布局从今年下半年开始，陆续浮上台面。其中包括与 NOR Flash 大厂北京兆易创新 (GigaDevice) 的合作，兆易创新宣布和合肥市政府达成协议，计划共同出资人民币 180 亿元 (兆易创新出资 20%、合肥市产业投资控股集团出资 80%)，同时研发 19 纳米 DRAM 技术，兆易创新也从此协议中，可获得保障产能。

北京兆易创新虽然是从小池塘的 NOR Flash 产业起家，但一直有想要跨足大江大海的 DRAM 产业的雄心壮志，早在一年前多就传遍存储器产业，只是公司一直没有正面承认。

直到今年 9 月，集成电路产业发展基金(大基金)宣布入股兆易创新约 11% 股权，成为第二大股东，该公司在 DRAM 产业的布局、携手合肥睿力的消息，才在近几个月密集对外揭露。

这两大 DRAM 阵营目标，都是在 2018 年底完成研发和试产，推估要真正进入量产，最快也是 2019 年，因此，2019 年会是中国存储产业的关键年，届时有福建晋华、合肥睿力的 DRAM 技术见真章，更有长江存储转进 64 层 3D NAND 的研发和生产，未来 2 年，这几家厂商一波跟着一波的研发与量产进展，将左右未来十年中国存储产业的命运。2019 年，将会是中国半导体产业非常精彩的一年。