山西作为我国的煤炭大省,长期以来一“煤”独大,而这情形也导致山西产业结构单一。为破解“兴于煤,困于煤”这一难题,山西开启了转型之路。
近几年,依托丰富的矿产资源,山西聚焦半导体材料、碳基新材料、合成生物新材料、特种金属材料等领域,把发展新兴产业作为转型重点。
目前,山西半导体产业主要集聚在太原、忻州、长治等地,以太原中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园两大半导体产业园为中心,初步形成了砷化镓、碳化硅等第二/三代半导体衬底材料—芯片—封装—应用产业链条。
2019年5月,山西省半导体产业联盟成立,由山西从事半导体技术研发、产品生产的企业、大专院校和科研单位共59家相关机构发起,实现了对山西半导体产业、企业的全覆盖。
据山西经济日报报道,下一步,山西将发挥能源和材料资源优势,以砷化镓、碳化硅等第二代、第三代半导体、LED、装备、芯片制造等特色领域为重点,打造国内领先的半导体材料产业基地,构建专用芯片和器件产业集聚区,形成重点领域集成电路装备产业新高地,培育集成电路封装测试与整机协同发展新生态。
半导体相关政策加码,推动山西转型
在山西省积极转型的同时,近两年,半导体相关政策也不断加码。其中,政策皆明确,重点支持太原碳化硅、氮化镓第三代半导体;忻州砷化镓第二代半导体,长治深紫外半导体等光电半导体产业发展;打造长治—晋城光电产业集群与太原—忻州半导体产业集群。

早在2011年初,在国务院印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策之后,山西紧随“热潮”,发布了《贯彻落实国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策通知的实施意见》(以下简称《意见》)。
《意见》指出,对集成电路线宽小于0.8微米(含)的集成电路生产企业,经认定后,自获利年度起,实行企业所得税“两免三减半”的政策,即自获利年度起,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
同时,在山西新创办的集成电路设计企业和符合条件的软件生产企业,经认定后,自获利年度起,享受企业所得税“两免三减半”优惠政策。
此后,2019年5月,《山西省推动制造业高质量发展行动方案》发布,山西将重点发展第三代/二代半导体、光伏、LED、锂离子电池、新型显示、电子专用装备及材料等产品;推动发展光通信、光学镜头模组、手机机构件、导光板、敏感元件、新型传感器、新型电阻电容等电子零部件和元器件;支持开展专用集成电路、关键电子元器件、新型显示、关键装备及材料等技术的开发和产业示范。重点培育太原-忻州半导体产业集群、太原-阳泉人工智能产业集群、长治-晋城光电产业集群等。
2019年8月,山西出台《山西省加快推进数字经济发展的实施意见》(以下简称《意见》),山西将着力打造全国领先的半导体产业集群。
围绕5G、电力电子、LED等关键应用,山西省重点支持太原碳化硅、氮化镓第三代半导体、红外探测芯片,忻州砷化镓第二代半导体,长治深紫外半导体等光电半导体产业发展,提升装备、材料、衬底、芯片、器件等核心关键技术和工艺水平,打造高纯半导体材料、衬底、外延、芯片、应用等全产业链产品体系,培育形成全国领先的半导体产业集群。
此外,《意见》还明确,山西还将打造长治—晋城光电产业集群与太原—忻州半导体产业集群。
2020年6月,《山西省电子信息制造业2020年行动计划》印发,提出以太原、忻州为核心,依托中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园等重点企业重大项目,以碳化硅、氮化镓第三代半导体、砷化镓二代半导体为重点,围绕功率电子、电力电子、LED、5G等关键领域,提升装备、材料、器件等核心关键技术和工艺水平,形成碳化硅、砷化镓高纯半导体材料、蓝宝石材料、芯片设计、芯片制造、封测、应用等全产业链产品体系,打造太原-忻州半导体产业集群。
2020年7月,山西工信厅发布了《山西省数字产业2020年行动计划》,山西将打造半导体、光电产业集群。以太原、忻州为核心,以碳化硅、氮化镓第三代半导体等为重点,形成碳化硅、芯片设计、芯片制造等全产业链产品体系,打造太原、忻州半导体产业集群。以长治、晋城为核心,以光伏、LED显示、深紫外LED、光通信连接器、光学镜头模组、智能制造设备、锂离子电池等产业为重点,打造长治-晋城光电产业集群。
2020年7月,山西工信厅发布《山西省千亿级新材料产业集群培育行动计划(2020年)》(以下简称《行动计划》),《行动计划》表示,山西将围绕制造业千亿产业培育工程总体要求,聚焦“半导体材料、碳基新材料、生物基新材料、特种金属材料”等四个重点领域。
在做强产业链方面,山西将围绕半导体材料、碳基新材料等新材料特色产业集群,聚焦建链、延链、补链、强链,打造“衬底材料—外延片生产—芯片设计—芯片制作—封装—应用产品”等8个具有全国比较发展优势的特色产业链条。
此外,《行动计划》还表示,将围绕中电科二所、平晶光电等重点企业,培育发展集成电路及半导体器件产业应用的第三代半导体材料,打造半导体材料产业集群。
偏爱半导体材料、光电等领域,山西半导体相关项目接连落地、投产
从山西省落地项目来看,落地项目大都属于半导体材料、光电领域。其中,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目、中科潞安深紫外LED项目等皆被列入山西省重点项目名单。
中国电科碳化硅产业基地
据悉,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅材料供应基地。
一期项目于2019年4月1日开工建设,同年9月26日封顶,据此前山西综改示范区消息,一期项目建筑面积2.7万平方米,能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力,可形成7.5万片的碳化硅晶片产能。
2月28日,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地举行投产仪式。
目前,中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。
中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目
中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目由忻州中科晶电信息材料有限公司投资2.5亿元,以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主,配套建筑面积约1.7万平方米,建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线,规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。
2018年11月5日,中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目正式开业运营。
北京大学山西碳基薄膜电子研究院
9月,山西省与北京大学签署了《山西省人民政府与北京大学科技创新战略合作协议》,根据协议,山西省政府和北京大学共建北京大学山西碳基薄膜电子研究院,研究院设在山西大学,开展碳基半导体材料和碳基薄膜电子技术攻关,以政产学研用相结合的模式着力建设国内一流的技术创新平台和成果转化基地。
锑化物第四代半导体(山西)研究院项目
10月31日,2020中国(太原)人工智能大会在中国(太原)煤炭交易中心召开。锑化物第四代半导体(山西)研究院项目在活动上签约。
中科潞安深紫外LED项目
中科潞安深紫外LED项目分两期建设,总投资约20亿元。其中,一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元;二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。
2019年5月30日,山西省半导体产业联盟授牌仪式、中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式举行。
据当时山西中科潞安紫外光电科技有限公司官微显示,中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽表示,该项目于2018年12月完成项目的核心建设,经过5个月的调试运转和工艺验证,项目产线设备状态和生产能力稳健提升和完善,并于2019年5月30日正式投产。
长治高新区半导体光电产业项目
长治高新区半导体光电产业项目总投资10.76亿元,位于山西漳泽工业园区,建设工期为两年。项目以紫外LED为特色产业、以半导体激光产业、光伏太阳能产业为主,形成集紫外LED、蓝光LED、激光器、太阳能电池等于一体的光电产业链条,扩大光电产业在全市的产业占有率。
据黄河新闻网6月报道,目前,山西长治高新区半导体光电产业项目施工各环节正在进行中,预计将于2021年5月实现试生产。
北纬三十八度集成电路制造有限公司项目
2020年5月,北纬三十八度集成电路制造有限公司(以下简称“BWIC”)厂房基础建设已经完成,正在验收阶段,预计明年年中可投产,年底可实现量产。据当时新华社报道,BWIC总经理蒋建当时表示,达产以后,如果芯片全部用于制造手机的话,每年可以制造3亿多部手机的射频模组芯片。
2020年9月,北纬三十八度集成电路制造有限公司进行了第一次设备进场。
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4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 •
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2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 •
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0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 •
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0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 •
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530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 •
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80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 •
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2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 •
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2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 •
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9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 •
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系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 •
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1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 •
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是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 •
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是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 •
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