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巨头芯片制程之争:摩尔定律快碰天花板,5nm之后去往何方?

2020-11-11 16:21 次阅读

继苹果、华为的5nm芯片揭幕后,另外两家芯片巨头三星高通的5nm芯片业的发布日期将分别在11、12月到来。

作为人类迄今能达到的集成度最高的芯片制造工艺,5nm制程最多可实现每平方毫米集成1.713亿个晶体管;同样基于移动处理器架构Cortex-A77,5nm芯片性能或能比7nm产品提升50%!

对于以降低功耗、提升性能为目标的智能手机处理器产业来说,5nm芯片制程成为其必须抢占的“高地”。在这一产业窗口期,芯片设计、制造工艺成为5nm芯片商用落地的关键。

目前,全球手机SoC芯片市场排名前五的高通、联发科、三星、苹果、华为海思均已针对5nm进行布局。随着三星、高通旗舰芯片发布时间临近,在5nm这条赛道上,全球手机SoC芯片设计界的“五大巨头”已然集齐其四。

把目光投向产业链上游,为4款5nm芯片代工的“山头”上,则主要是台积电和三星各自圈地。

7nm、5nm、3nm……芯片制程越先进,单位面积晶体管数目越多,就越逼近物理体系的极限。随着各家产品正式亮相,5nm芯片已然从一个摩尔定律的“传说”,进入市场即将刺刀见红的新局面。不消说,随着搭载4款芯片的手机进入消费市场,5nm芯片的战况,将愈加激烈。

然而,在5nm芯片商用赛道的起跑线上,蠢蠢欲动者远不止苹果、华为、三星、高通四家;而在5nm芯片代工赛道上,台积电、三星同样打得难舍难分。

巨头芯片制程之争:摩尔定律快碰天花板,5nm之后去往何方?

在四款5nm芯片闪亮登场的背景板中,美国一纸禁令缚住华为手脚、摩尔定律触顶之下制程发展遇阻……还有种种因素正导致这场关于手机SoC的恒久战役往不确定的方向滑去……

今天,芯东西与你一起拨开迷雾,走进这场手机芯片之战的风暴眼——5nm芯片商用赛道的真实情况。

一、手机SoC设计之争:四巨头抢跑,谁还在排队?

作为目前可量产的最先进制程,5nm芯片已成为大部分芯片设计玩家追逐的目标。而其中最为人瞩目的部分莫过于手机芯片设计玩家的比拼。一方面,各家5nm芯片的性能,直接关系到手机性能,因此成为消费者最关注的话题之一;另一方面,作为现有可量产的最先进制程,5nm产能必将被手机厂商追逐和瓜分。

高通曾预计,2021年全球5G手机出货量将达到4.5亿部,数量相比2020年直接翻倍。面对骤增的市场需求,苹果/华为/三星/高通四家抢跑,剩余的联发科、紫光展锐等玩家也已做好热身。

1、苹果A14&华为麒麟9000:10月份尘埃落定

苹果、华为自研的5nm芯片先后在10月份发布,并分别落地于苹果iPhone12系列手机、华为Mate40系列手机。

集成度方面,麒麟9000晶体管数目比A14芯片多出30%。苹果A14集成118亿晶体管,华为麒麟9000集成153亿晶体管。

架构方面,苹果A14芯片采用6核心CPU、4核GPU;华为采用8核CPU、24核GPU。

要指出的是,由于美国对华为获取芯片技术的限制,华为麒麟9000是基于Arm上一代旗舰架构Cortex-A77进行设计的,而苹果、三星、高通均可以获得Arm最新IP授权。从网传三星猎户座1080、高通骁龙875的架构情况来看,这两款芯片均基于Arm最新的Cortex-A78进行设计。

另外,麒麟9000内置了华为自研基带芯片巴龙5000。相比之下,A14芯片是外挂高通的X55基带芯片。

据中国台湾《联合新闻网》发布的iPhone12拆解文章,A14芯片确认外挂高通X55基带芯片,但暂无法得知苹果是直接采用高通完整设计,还是采用客制版产品。

两款芯片的综合性能对比可参考跑分平台GeekBench透露的数据:搭载麒麟9000的华为Mate40系列某机型跑分为单核1016,多核3688;搭载A14的iPhone12跑分为单核1593,多核3893。

2、三星猎户座1080&高通骁龙875:抓住2020的尾巴

紧跟着苹果、华为步伐,三星、高通计划乘上2020的“末班车”,分别计划于11月、12月推出5nm芯片。

其中,三星11月2日通过微博官宣,将于10天后(11月12日)在中国上海为猎户座1080芯片举办发布会。这也是三星首次专门为一款处理器举办发布会,三星对猎户座1080的重视由此可见一斑。

根据外媒信息,猎户座1080CPU部分将采用4颗Arm最新Cortex-A78核心和4颗Cortex-A55核心。相比之下,三星上一代旗舰芯片7nm猎户座9825CPU采用2颗定制M4核心、2颗Cortex-A75核心、4颗Cortex-A55核心。

据跑分平台GeekBench,7nm制程的猎户座1080跑分为单核1040,多核3017。

各大手机厂商中,华为、三星、苹果对旗舰手机SoC各有自己的匠心设计,剩余的小米、OPPO、vivo等一众玩家,则瞄准了高通的5nm芯片。早在今年10月份,高通就曾官宣将在12月1~2日发布5nm旗舰芯片骁龙875。

根据泄露的信息,高通骁龙875采用8核CPU、搭载自研的Adreno660GPU,并将集成骁龙X605G基带。

GeekBench平台数据显示,一款据猜测为搭载骁龙875的小米新机,跑分数据为单核1105,多核为3512。

为保证客观,芯东西还搜集跑分平台安兔兔透露的苹果、华为、三星、高通5nm芯片跑分情况,并与四家公司7nm芯片跑分对比,制图表如下:

3、联发科、紫光展锐正在“热身”

四家设计巨头各自在旗舰机SoC市场划分地盘,相比之下,联发科、紫光展锐等玩家则瞄准了中低端机市场,亦在5nm芯片商用的赛道起点开始热身。

作为全球排名第二的手机芯片设计玩家,联发科主要面向中低端手机市场。今年以来,联发科的5nm研发计划同样引起市场关注。

先是有消息称,联发科专门为华为打造了基于5nm工艺的5G高端平台。但随着美国对华为禁令的影响逐渐扩大,九月初又传出联发科将“取消基于5nm工艺的5G高端平台研发计划”。

对此传言,联发科官方下场辟谣,称5nm芯片正按计划推进,不会因为单一客户而更改产品计划。

10月31日,数码博主@数码闲聊站爆料,联发科正开发两款芯片mtk6893、mtk6891,将采用全新5nm/6nm工艺,进度快于去年。考虑到这位博主曾多次押准手机产业链消息,有关联发科5nm芯片的消息也较为可信。

紫光展锐方面,今年二月份推出了基于6nmEUV工艺的虎贲T7520芯片,并将于今年年底实现虎贲T7520量产。按照这一计划,推出5nm芯片应当也在紫光展锐计划之中。

二、工艺比拼:都是5nm,台积电集成度更高

这边厢,5nm手机芯片设计玩家龙争虎斗,不论四家巨头排位如何,都不会影响产业链上游的5nm芯片制造商吃进订单。而那边厢,尽管5nm芯片制造商仅有台积电和三星寥寥两家,但同样打得难舍难分。

有趣的是,目前率先商用的5nm芯片的四家中,苹果A14和华为麒麟9000均是由台积电代工,将在接下来推出的三星猎户座1080、高通骁龙875则是基于三星5nm工艺。

早在2019年,三星宣布完成5nm芯片研发,计划在2020年第二季度实现5nm芯片的量产。现在2020年已经进入第四季度,由台积电代工的两款5nm旗舰芯已经落地,而三星代工的5nm芯片却“赶了晚集”。

具体到产品性能,尽管三星5nm制程芯片还未正式发售,但业界有消息称,台积电的5nm芯片产品集成度更高。

中国台湾《经济日报》曾援引台积电内部消息称,台积电5nm制程试产结果显示,其晶体管是7nm制程的1.8倍。相比之下,三星5nm制程相比7nm制程,晶体管数仅增加二成,且台积电产品在功耗等方面均更有优势。

两家公司对更先进制程的规划方面,今年7月份,三星宣布将跳过4nm工艺,直接从5nm工艺切进3nm工艺。

今年8月26日召开的“2020世界半导体大会暨南京国际半导体博览会”上,台积电(南京)有限公司总经理罗镇球透露,台积电预计在明年批量生产4nm芯片,在2022年批量生产3nm芯片。

两家公司的计划将会怎样推进?推进结果如何,这些问题只能留待时间回答。

三、先进制程之争:摩尔定律快碰天花板?5nm之后去往何方

AI、5G、海量数据……种种因素推动之下,对计算的需求日益增长,呼唤着芯片制程往更高集成度的方向发展而去。这一背景下,一方面,5nm芯片纷纷落地;而另一方面,关于摩尔定律逼近极限的隐忧仍在盘旋。

就在5nm芯片商用战火燃起,台积电、三星正在5nm赛道上短兵相接的关键时刻,昔日能与它们争辉的另一大芯片代工玩家英特尔已经黯然离场。

今年7月24日,英特尔在2020年第二季度财报中宣布,将其7nmCPU的发布推迟6个月,也就是说,7nmCPU要到2022年下半年或2023年初才会首次在市场上亮相。英特尔CEOBobSwan称,其7nmCPU延迟是因为一种“缺陷模式”。

作为芯片代工领域的先行者和曾经的领先者,英特尔作出推迟7nm芯片的决定,几乎印证了人们对更先进制程难以实现的担忧。

目前来看,台积电、三星均利用FinFET(鳍式场效晶体管)工艺生产5nm芯片,即垂直利用空间、将场效应管立体化。

但是,随着制程推进到5nm节点,FinFET工艺对先进制程的支持面临瓶颈。

对此,学术界提出了一种全新的芯片生产工艺GAAMCFET(多桥通道FET),即将芯片晶体管内部的硅通道全都用栅极材料包围,以增加晶体管的密度、降低功耗、进一步增加沟道的缩放潜力,进而提高芯片性能。

GAA也被视为是实现3nm芯片制程的关键工艺,目前台积电、三星均已开始相关研究。

从7nm到5nm,一年时间过去,先进制程追赶之路上已然发生微妙的变化。未来先进制程竞争之路上,谁将成为领先者?达到更先进的制程要求另辟蹊径,或许也为昔日的落后者带来弯道超车的机会。

结语:谁能笑到最后?

对摩尔定律将死的“预言”已经流传多年,芯片制程仍向更高集成度步步逼近。2020年在不知不觉中步入尾声,苹果、华为、三星、高通四大手机SoC设计玩家的5nm产品均将在第四季度揭幕。

目前,苹果、华为的5nm芯片产品已经分别在自家的旗舰手机中商用。相比两位领先者,三星、高通将打出怎样的王牌?在接下来的11月12日、12月1日,答案将浮出水面。
责任编辑:tzh

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DC-DC降压恒流IC外围少 效率高 无频闪调光 输入电压5-100V PWM调光H7230

有没有认识这款芯片的

找不到这款芯片的手册,有没有认识这款芯片的大神,或者能替代的,非常感谢,有偿 ...
发表于 02-04 20:42 1274次 阅读
有没有认识这款芯片的

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 89次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 135次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 245次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 117次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 89次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 176次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 115次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 149次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 165次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 140次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 124次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 285次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 243次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 164次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 126次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 127次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 312次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 136次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 253次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 653次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5