据外媒报道,当地时间11月5日,ST的三个主要工会CAD、CFDT和CGT分别在各自所在的工厂上发起了罢工活动。总计数百名员工参与罢工行动,具体影响暂未知。
昨晚在Crolles,一些员工举行了罢工。在早上的班次中,有60名罢工者,在白天的班次中,约有150名罢工者。CAD预计夜班的罢工者为200名。

CAD表示:“在2020年10月28日(星期三),ST管理层对ST员工及其工作表现出令人难以置信的蔑视,因为他们不承认员工的努力,因此决定今年不增加员工人数,且不增加员工的工资。”管理层根本不承认员工在疫情监禁期间所做的一切努力。
而管理层认为疫情防控措施额外增加了1,690万欧元的费用,作为不增加员工薪水的理由,因此,这也证实了在疫情期间发放的奖金将从所有雇员的工资中收回,特别是从不在工厂工作或无法再在工厂工作的其他雇员的工资中收回。
另外,CGT工会指出,法国ST的100位高级管理人员平均每年获得200,000欧元,并获得50,000欧元的免费股票。
二、ST业净营收26.7亿美元同比增长4.4%
2020年全年净营收中位数预计约99.7亿美元,同比增长4.3%,同时营业利润率将保持在两位数。


净营收总计26.7亿美元,同比增长4.4%。与去年同期相比,汽车产品、影像芯片和功率分立器件收入虽有所下降,但是微控制器、射频通信、MEMS和模拟器件销售收入增长抵消了部分降幅。OEM销售收入同比增长7.5%;代理渠道销售收入同比下降3.4%。从环比看,净营收增长27.8%,比公司预期最高目标高690个基点。所有产品部门都实现销售收入环比两位数增长。
毛利润总计9.59亿美元,同比下降0.8%。毛利率36.0%,同比下降190个基点,价格压力和闲置产能支出是同比下降的主要因素。第三季度毛利率与公司预测的中位数持平。营业利润同比下降2.0%,总计3.29亿美元,去年同期为3.36亿美元。营业利润率同比下降80个基点,占净营收的12.3%,而2019年第三季度为13.1%。
2020年第三季度资本支出(扣除资产销售收入后)为3.19亿美元,年初到第三季度累计8.97亿美元。去年同期,资本支出为2.44亿美元。
本季度末库存为19.3亿美元,高于去年同期的17.9亿美元。季末库存周转天数为103天,低于去年同期的100天。为进一步加强公司无线连接业务,业务兼并支出7,600万美元;2017年发行的2022A级可转换债券结算支付应计利息3300万美元;扣除这两项费用后,第三季度自由现金流(非美国通用会计准则)为负2500万美元,去年同期为正1.7亿美元。
第三季度公司支付现金股息总计3,800万美元。截至2020年9月26日,意法半导体净财务状况(非美国通用会计准则)为6.62亿美元,相比之下,2020年6月27日净财务状况为5.70亿美元。总流动资产为35.3亿美元,总负债为28.7亿美元。
三、芯片缺货涨价
受美国禁令影响,海思IPC芯片因供货紧张,价格呈上涨趋势,比如海思Hi35系列芯片,已经涨价4倍,交易价格达到600元,高端的Hi3559A价格上涨到3000元以上。近期8英寸晶圆代工厂产能满载,订单排到了明年,部分需要订单涌入6英寸晶圆代工厂,目前8英寸晶圆涨幅在10%以上,除此之外,因8英寸晶圆代工产能吃紧,导致相关需求交期延后,有的甚至已经延长至4个多月。
在ST罢工之前,ST受大中华区5G+人工智能+自动化全面复苏影响,未来一段时间STM的MEMS和传感器以及一些型号MCU需求强劲,以前交期16-20周标准交期持续被拉长。目前订货的话,部分有现货交期要到明年年中,今年年底前不会再到货,有需求请及时调整备货。
涨价的产品都是一些通用的型号,如STM32F103RCT6、STM32F103VCT6从1.5涨到3.3美金,STM32F103C8T6从0.85涨到1.25美金,STM32F030K6T6从0.4涨到1.1美金,STM32F030C8T6从0.6美金涨到2.2美金,STM32F072CBT6从1.4涨到4.5美金等。
如今ST多工厂罢工,至于是否会对ST产能影响尚不可知,但很可能会使得ST单片机等相关产品价格继续上涨。
本文由电子发烧友综合报道,内容参考自ST、ElectronicsWeekly,转载请注明以上来源。
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oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。
特性
电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
低R DS(开启)=320mΩ
BVDSS =600伏
适合用作
全桥
双独立半...
发表于 10-30 14:06 •
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oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。
特性
超低输出噪声:6.5μ VRMS
工作输入电压范围:1.5V至5.5V
输出电流高达250mA
非常低的静态电流:空载时为12μA
超低压差:250mV (250mA)
极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz
线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 •
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oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。
特性
输入电压范围:1.6V至5.5V
极低压差(1A负载下的典型值为300mV)
低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA)
输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 •
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oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。
特性
3V到18V工作输入电压范围
850千赫兹固定开关频率
100mV类型。 电流感电压下降
PWM调光
± 7% output current accuracy
同步整改
95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启)
峰电流模式架构
嵌入式补偿网络
内部限流
陶瓷输出电容器兼容
热停机
申请
高亮度LED驱动
一般照明
卤素子弹再置术
签名
...
发表于 10-30 11:06 •
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oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。
该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在...
发表于 10-30 10:06 •
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oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。
特性
一般特性
SO20W封装
800V高压启动,带集成输入电压检测
有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证
适用于两款转换器的独立调试模式
PFC控制器特性
增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 •
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oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。
特性
符合AEC-Q100标准
输入电压范围:1.5V至5.5V
超低压差(1A负载时的典型值为200mV)
极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 •
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oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。
两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 •
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oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。
该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 •
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