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格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入!

行业投资 2019-11-12 15:45 次阅读

格力11月11日晚发布公告,拟以自有资金20亿元认购三安光电非公开发行的股份,三安光电此次非公开发行A股股票,拟募集资金总额不超过70亿元,先导高芯拟认购其余50亿元,此次募集资金将投入半导体研发与产业化项目(一期)。

该项目总投资约138亿元。此次募投项目主要投向中高端产品,包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。

格力20入股三安光电,再次加大芯片投入!

图片来源三安光电公告

根据进度安排,本次募集资金投资项目建设期为4年,达产期为7年,预计达产年销售收入82.44亿元(不含税),达产年净利润19.92亿元。

格力在公告中表示,三安光电是LED芯片龙头,在化合物半导体领域具有先发优势。此次对三安光电的战略性股权投资,有助于公司中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等板块打入半导体制造行业,格力期望和三安光电进行合作研发,借助后者在碳化硅(SiC)半导体领域的技术先发优势,提升空调芯片性能。

为什么入股三安光电?

SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC从上个世纪70年代开始研发,2001年SiCSBD商用,2010年SiCMOSFET商用,SiCIGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高,使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行,这将进一步降低SiC材料和器件成本,推进SiC器件和模块的普及。

相对于Si器件,SiC器件更具优势,体现在三个方面:降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。

降低能量损耗。SiC材料开关损耗极低,全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗,而且开关频率越高,与IGBT模块之间的损耗差越大,这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作,全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。

低阻值使得更易实现小型化。SiC材料具备更低的通态电阻,阻值相同的情况下可以缩小芯片的面积,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。

更耐高温。SiC的禁带宽度3.23ev,相应的本征温度可高达800摄氏度,承受的温度相对Si更高;SiC材料拥有3.7W/cm/K的热导率,而硅材料的热导率仅有1.5W/cm/K,更高的热导率可以带来功率密度的显著提升,同时散热系统的设计更简单,或者直接采用自然冷却。

格力20入股三安光电,再次加大芯片投入!

目前,全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大,全球SiC产量的70%~80%来自美国公司,典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ;欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链,典型公司是英飞凌意法半导体等;日本是设备和模块开发方面的领先者,典型公司是罗姆半导体、三菱电机、富士电机等。

国内企业在SiC方面也多有布局。SiC衬底方面,天科合达、山东天岳、同光晶体等均能供应3英寸~6英寸的单晶衬底。SiC外延片方面,厦门瀚天天成与东莞天域生产3英寸~6英寸SiC外延片。

SiC器件IDM方面,中电科55所是国内少数从4-6寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装领域实现全产业链的企业单位,其6英寸碳化硅中试线已投入运行,旗下的控股子公司扬州国扬电子为“宽禁带电力电子器件国家重点实验室”的重要实体单位,专业从事以碳化硅为代表的新型半导体功率模块的研制和批产,现有一条于2017年投产、产能50万只/年的模块工艺线。泰科天润已经量产SiCSBD,产品涵盖600V/5A~50A、1200V/5A~50A和1700V/10A系列。深圳基本半导体拥有独创的3DSiC技术,推出的1200VSiCMOSFET性能达到业界领先水平。

SiC器件Fabless方面,上海瞻芯电子于2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成SiCMOSFET的制造流程。

代工方面,三安光电旗下的三安集成于2018年12月公布商业版本的6英寸碳SiC晶圆制造流程,并将其加入到代工组合当中。根据公司新闻稿,目前三安SiC工艺技术可以为650V、1200V和更高额定电压的肖特基势垒二极管(SBD)提供器件结构,公司预计在不久后会推出针对900V、1200V和更高额定电压的SiC MOSFETs产品。

整体而言,SiC产业链全球来看仍处于起步阶段,国内企业更是大部分处于早期研发阶段,远未成熟。三安光电旗下三安集成业务是国内稀缺宽禁带半导体制造企业,布局基本对标Cree,从LED芯片到LED应用,从SiC晶圆到GaN代工,三安光电的布局前瞻且具备可行性,有望在宽禁带领域延续其在LED产业的竞争力,这可能也是格力参与投入三安光电项目的原因。

格力还投资了哪些半导体项目?

2018年5月,董明珠高调宣称,未来几年要投重金搞芯片研发,不能让别人卡脖子,不能受制于人。格力要长期持续发展,必须掌握核心技术。董明珠所说的核心技术,就是芯片。

2018年8月,格力投资10亿元成立空调芯片设计公司。这家公司名为“珠海零边界集成电路有限公司”,注册资本为10亿元,格力100%控股,法定代表人董明珠。公司的主营业务就是芯片设计,其中以研究高端变频驱动芯片和主机芯片为主。

格力20入股三安光电,再次加大芯片投入!

图片来源天眼查

2018年10月,格力30亿元战略投资闻泰科技收购Nexperia HoldingB.V.(安世集团)项目,投资后格力持有闻泰科技12.33%股份。

格力20入股三安光电,再次加大芯片投入!

图片来源格力公告

安世集团是一家欧洲芯片企业,位于荷兰奈梅亨,为全球领先的半导体标准器件供应商,专注于分立器件、逻辑器件及MOSFET器件的设计、生产、销售。

安世集团脱胎于半导体行业巨头恩智浦半导体公司的标准产品分部。过去,恩智浦旗下共有7个从事标准产品业务的子公司,安世半导体便是恩智浦为置出资产和承接业务而新设的全资子公司,用于管控上述7家子公司。

此后,经过一系列并购及资本运作,安世集团成为安世半导体的实际控制主体。据了解,安世半导体拥有“半导体设计+晶圆制造+封装测试+集成电路设备+销售部门”的完整产业链。

西南证券研报显示,2018年安世半导体全球市占率14%,二极管全球第一,逻辑器件全球第二,汽车MOS管全球第二,小信号MOS管全球第三。2018年全年生产总量超过1000亿颗,稳居全球第一。

本文综合自中国基金报、中泰证券、中金公司等

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NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 57次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 49次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 40次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 50次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 23次 阅读
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 14次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 25次 阅读
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 21次 阅读
NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 14次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 12次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 16次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 14次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 57次 阅读
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 90次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 49次 阅读
NCP3231A 高电流同步降压转换器

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
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NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 34次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 53次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 32次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 29次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器