MCU供电一般是2.5V-5V之间等等都有，1.2V需要升到3.3V的升压芯片来稳压输出3.3V给MCU供电。同时1.2V的输入电压低，说明供电端的能量也是属于低能量的，对于芯片自身供货是也要求高
2020-12-09 09:43:48
1.5V升压3.3V，1.5V升压5V1.5V升压3.3V芯片，1.5V升压5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 PFM 同步升压DC/DC 变换器
2020-09-21 19:25:05
起因:
玩nas+软路由，m2+无线网卡+板载各种芯片(网卡)等对3.3v需求大，估算需求约20a，nas用的是flex电源，flex电源3.3v基本都只有10-15a，目前用的电源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
9个案例5V→3.3V
2021-03-08 07:29:53
近期做的一个电路，涉及3.3V与5V之间的电平转换，搜到一个文档，值得学习一下。3V与5V互联技巧.pdf (827.08 KB )
2019-09-24 04:37:38
5V转3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
我用的开发板上有5v与3.3v的电源，开发板上的芯片用的是3.3v供电,我叫他芯片A，我现在要接的芯片是5v的,我叫他芯片B，5v我从开发板上取。 1.芯片A的高为3.3V,芯片B说明书上记着V
2023-04-18 10:47:55
750K波特率 UART 串口3.3V转5V波形，当TX发高电平时，RX输出上升沿都是瞬间达到3.3V，然后再从3.3V慢慢升到5V。不管用三极管和MOS管都有这个现象，三极管更明显达到920nS
2019-08-18 00:59:21
`描述此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。
2018-11-20 11:43:01
单片机是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3节充电电池接上后MOS管一直导通,不受单片机控制,灯珠是3.3V 3W的大功率灯珠
2019-09-18 03:45:09
3.3V单片机驱动3205需要电平转换，之前用的max232低速时效果还可以。频率超过5K波形就会失真，10K就严重失真了。请指教有没有更好的方案（不想用升压电路，有5V）。
2013-05-13 15:07:34
电子产品要想工作都离不开电源，电源是必须的电路。现在的单片机工作电压一般为DC5V或者DC3.3V，对于压差不太大的情况，一般使用降压芯片来实现电压的转化。下面介绍3.3V和5V常用的转换芯片
2021-11-10 08:32:48
12864液晶买错了买成了 3.3V 的 最小系统是5V的 输出 直接接上去屏幕有阴影 而且发热严重 调节对比度的电位器是10K的 请教一下 3.3V的液晶该怎样连接5V的单片机系统 在IO口直接串接电阻可行吗？大概串多大电阻。。。
2013-10-16 12:48:04
3.3V转5V技巧
2012-08-06 15:29:43
小弟急需一款3.3V供电，通讯时逻辑电平也为3.3V的，最好带中文字库，或者字符型的也可以，尺寸要求小于12864那个！！！！！！有没有啊 求帮助对了我看到有12232型，可是资料上写着可以3V供电，但是逻辑电平为什么还在4.5V左右？不是3.3V的吗？有木有用过的大神帮帮我！！！！
2013-12-30 11:31:32
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封装 T/R卷带包装
2018-12-19 12:27:32
我用CH340K做一键下载电路，现在遇到的情况是给CH340K供电使用的是3.3V，芯片的10脚V3接了3.3v，能够与单片机通信，但是复位按钮按下之后会导致单片机进入错误的启动方式，检查发现
2022-07-13 06:32:39
uart电平是5V还是3.3V标准？
2022-07-08 07:14:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 编辑
DC/DC 电源12V输入，3.3V输出，3.3V上升过程不平滑。是什么原因导致，如何解决？绿色是3.3V。 有图
2012-12-31 12:38:57
我用的5V的电压 ，然后用了ME6219C将5V的电压转换成了3.3V的电压，3.3V的电压用来给NRF24L01供电，不接NRF，VCC的电压是3.3V，接上NRF后，VCC的电压就变成了4.4V了，接上其他的负载，比如LED灯，电压还是3.3。为什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40带5V电源。在端口B，我选择了SPI接口。我打开了SDO和SCK PIN的集合。用一个3.3V的上拉电阻，我可以使用3.5V的奴隶，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
PIC18F66K80系列datasheet开头提到有个新特性On-chip 3.3V Regulator(集成3.3V稳压器)，后面又有图片中这两段，意思我理解为本来用户可以通过ENVREG
2016-03-29 20:02:02
STC15W4K48S4使用ds1302 读取的时候显示85.请问是要加上拉电阻么。应该加多大的。（我的电源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
1外观说明2板载资源ALIENTEK探索者STM32F4开发板板载资源如下：◆CPU：STM32F407ZGT6，LQFP144，FLASH：1024K，SRAM：192K；◆外扩SRAM
2021-08-20 06:11:08
按照 TPS61221的数据手册，其输入电压范围为0.7V-5.5V,当输入电压大于3.3V时，其输出电压不再稳压为3.3V，当输入电压为5V时，其输出为4.7V，这是什么原因呢？是因为其为升压芯片，只能进行升压，而不能降压吗？
2016-02-01 15:52:30
无法启动. 但是在3.3电平下短接下载按键(10K上拉DP到3.3v), WCHISPTool可以识别到ch552t.
2022-06-02 06:32:39
集成了许多增强特性，例如硅序列号，电源开/关控制电路，和2K、4K或8K字节的电池备份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引脚DIP模块
2018-11-29 12:15:00
现在在做的是电机驱动板，之前用的是5V单片机，现在用的是3.3V的，之前的电源是由15V-5V用的是UTC78D05，现在需要15V-3.3V，是否可以直接采用UTC78D33从15V降到3.3V
2017-06-03 15:53:02
DN72- 单个LTC1149在17W时提供3.3V和5V电压
2019-07-02 06:29:25
。本节将讨论接口电路，以帮助缓和信号在不同电源之间转换的问题。技巧十四：3.3V→5V模拟增益模块从 3.3V 电源连接至 5V 时，需要提升模拟电压。33 kΩ 和 17kΩ 电阻设定了运放的增益
2021-05-09 06:30:00
嗨， LSM6DS33的典型电源电压为1.8V，最大限制为3.6V。如果连续为设备提供3.3V的电源电压，这样可以吗？ 问候，Prachi＃lsm6ds33以上来自于谷歌翻译以下为原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
你好，请您建议我评估最佳连接方式美国国家半导体的DS90CR288 Camera Link接收器采用V5。问题是DS90CR288具有3.3 V LVTTL输出，我显然需要连接它们的终端 - 线路
2020-05-28 06:16:57
最近需要解决一个问题，在一个3.3V电路中大致检测区分一个MΩ电阻和几百K的电阻，使MCU能够对其区分，但是无论是电流ADC检测还是电压ADC检测好像都做不了，大佬们可以给点建议吗？
2020-05-25 09:27:55
。基于 DS，相应的引脚（PA11-14、PB3、NRST）都是 FT，这意味着它们可以承受 5V 电压。那么，我假设我可以使用 3.3V JTAG/USB-DFU 而无需电平转换器将它们降至 1.8V 是否正确？
2022-12-26 10:52:54
如何使用2.7V控制3.3V的通断？希望大神可以附上图。
2019-04-09 09:36:05
PW5100适用于一节干电池升压到3.3V，两节干电池升压3.3V的升压电路，PW5100干电池升压IC。干电池1.5V和两节干电池3V升压到3.3V的测试数据两节干电池输出500MA测试
2021-04-23 14:33:35
哪位哥们用个64K 8位、3.3v供电的RAM 帮提供两个型号呗！
2019-01-14 06:36:13
RD-268，用于ATX电源的300W，-12V，3.3V，5V，12V AC至DC多输出电源的参考设计。 PFC和PWM组合控制器300W
2019-06-24 11:52:29
NV890100PDR2GEVB，用于音频的3.3V DC至DC单输出电源的评估板。 NCV890100是一款固定频率，单芯片，降压型开关稳压器，适用于汽车，电池连接应用，必须在高达36V的输入电源下工作
2019-04-08 10:56:57
NV890130PDR2GEVB，用于音频的3.3V DC至DC单输出电源的评估板。 NCV890130是一款固定频率，单芯片，降压型开关稳压器，适用于汽车电池连接应用，必须采用高达32 V的输入电源供电
2019-04-08 07:33:53
我有5V电源，通过1117可以转成3.3V的电源，我现在如果想得到一个-3.3V的电源，该如何解决？能不能给出电路图来看看？谢谢了
2019-02-21 19:59:02
我想使用TI的电源模块PTR08060W（输入4.5V~14V转0.6V~5.5V6A电流能力）产生一个-3.3V（2A）。能否将Vin直接连接-5V使得Vout输出-3.3V还是将Vin连接+5V
2019-04-09 06:28:14
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 09:45 编辑
蓝牙模块的RX,TX的电平为3.3V,与蓝牙模块相连的MCU通讯串口电平为3.3v或者5v，要给蓝牙模块做一个小板子，要求
2018-06-10 19:39:48
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:1711 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
新一代NV SRAM技术
第一代NV SRAM模块问世近20年来，NV SRAM技术不断更新，以保持与各种应用同步发展，同时满足新的封装技术不断增长的需求。
发展与现状
2008-11-26 08:24:53
901 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及监控电路，带有篡改检测
DS3650是一款4线兼容控制器，满足支付卡行业(PCI)以及其他数据保护和安全性能很关键的设备的温度和电
2009-03-02 14:53:11716 DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一个1米x 8非易失(NV)与一个嵌入式实时时钟(RTC)和电池包在一个PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟(RTC)、CPU监控电路和温度传感器，可以为加密交易终端和其它安全敏感应用提供篡改保护
2011-04-27 10:23:37879 DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181184 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 DS1086L EconOscillator™是一种3.3V、可编程时钟发生器，可产生频率在130kHz至66.6MHz、经过频谱扩展(抖动)的方波输出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍
2015-12-14 14:11:200 The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words
2017-09-19 17:32:524 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM带实时时钟
2017-10-10 08:56:325 赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围
2020-12-22 15:18:33454 随着无铅技术在全球的推广，NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）相比所具有的优点。
2022-01-25 19:50:512 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一种独立的非易失性存储器，业界最快的 NV-SRAM，具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRAM 数据的副本并将其保存到非易失性存储器
2022-06-10 15:23:01686 达拉斯半导体非易失性（NV）SRAM由内部电池备份。市场上的其他一些NV存储器，如NOVRAM，使用内部EEPROM备份数据。本应用笔记讨论了电池供电NV SRAM和NOVRAM之间的差异。
2023-01-10 14:25:59795 
DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命，可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品，客户将安装完整的一体式内存解决方案。
2023-01-12 16:11:59668 
自NV SRAM开发开始以来，其目的一直是生产一种可以像IC一样处理的混合存储器产品。使用商用低功耗SRAM和锂纽扣电池配接CMOS晶圆技术，以及用于长期存储器备用电源的通用电压稳定源。
2023-03-02 14:40:00336 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1345YP-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1345YP-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1345YP-70+真值表，DS1345YP-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:48:32
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