电子发烧友网 > 制造/封装 > 半导体技术 > 半导体新闻 > 正文

Digi-Key将为七场Microchip技术精英年会活动提供赞助

2019年10月18日 09:00 次阅读

Digi-Key Electronics 将为在中国大陆、中国台湾、印度和韩国举办的七场Microchip 技术精英年会活动提供赞助。

全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 宣布将为 11 月和 12 月举行的七场 Microchip 技术精英年会(MASTER) 活动提供赞助,分别作为中国大陆所有三场年会的金牌赞助商、印度年会的银牌赞助商、韩国年会的白金赞助商以及中国台湾两场年会的银牌赞助商。

Digi-Key 全球供应商管理副总裁 David Stein 表示:“我们很高兴能够为 Microchip MASTER 这一顶级技术培训会议提供支持。技术精英年会活动始终如一地为各个水平的系统设计工程师提供所需的信息和实操培训,从而帮助他们拓宽知识和技术领域,促使其产品更快面市。Microchip 技术精英年会的使命与 Digi-Key 的价值观和使命高度一致,我们很荣幸能参与这些活动。”

Microchip 技术精英年会每年都会举办,旨在为全球各地的嵌入式控制工程师提供服务。培训课程涵盖的主题广泛,由 Microchip 的应用和设计工程师亲自授课。

Microchip 全球应用副总裁 Ken Pye 指出:“长期以来,与会者均认同 Microchip 技术精英年会是业内顶级的技术培训活动。感谢 Digi-Key 提供的赞助,我们与 Digi-Key 有很多共同的客户,在他们的帮助下,这些客户学会了如何让其最终产品在多种不同的市场脱颖而出。”

Digi-Key Electronics 将赞助以下活动:

·韩国首尔 – 2019 年 11 月 5 - 8 日(白金赞助商)

·中国武汉 – 2019 年 11 月 6 - 8 日(金牌赞助商)

·中国深圳 – 2019 年 11 月 13 - 15 日(金牌赞助商)

·中国台湾台北 – 2019 年 11 月 14 - 15 日(银牌赞助商)

·中国上海 – 2019 年 11 月 20 - 22 日(金牌赞助商)

·中国台湾台中 – 2019 年 11 月 28 - 29 日(银牌赞助商)

·印度班加罗尔 – 2019 年 12 月 3 - 6 日(银牌赞助商)

有关 Microchip 产品、资源和可供货数量的更多信息,请访问 Digi-Key 全球网站。

下载发烧友APP

打造属于您的人脉电子圈

关注电子发烧友微信

有趣有料的资讯及技术干货

关注发烧友课堂

锁定最新课程活动及技术直播

电子发烧友观察

一线报道 · 深度观察 · 最新资讯
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

笔记本电脑不能正确识别板该怎么办?

你好,我有Microchip的产品,代码是DSIC33 FJ32 MC204。我无意中按下了重置按钮。我不确定我对董事会做了什么...
发表于 2019-10-16 08:07 23次阅读
笔记本电脑不能正确识别板该怎么办?

Microchip发布首款包含开源工具包的Ada...

为市场领先的OpenStack云管理软件打造的开源工具简化了存储资源的配置、部署和管理。
发表于 2019-10-15 14:00 86次阅读
Microchip发布首款包含开源工具包的Ada...

Digi-Key斩获EM杂志2019年度电子元器...

全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 斩获 Electronics Mak....
发表于 2019-10-10 10:21 538次阅读
Digi-Key斩获EM杂志2019年度电子元器...

Digi-Key与Analog Devices就...

Digi-Key Electronics 今天宣布,将与 Analog Devices 就全新创新型....
发表于 2019-10-09 15:28 543次阅读
Digi-Key与Analog Devices就...

Microchip发布下一代蓝牙5.0双模式音频...

音频IC和完全认证模块包括集成功能、更高功率输出和索尼高保真LDAC™编解码器支持。
发表于 2019-10-09 08:52 189次阅读
Microchip发布下一代蓝牙5.0双模式音频...

Microchip推出业界首款适用于任意规模部署...

Microchip Trust平台提供基于硬件的安全密钥存储,可用于低、中、高容量部署(10枚起订)....
发表于 2019-09-30 16:25 169次阅读
Microchip推出业界首款适用于任意规模部署...

pic程序延时函数宏定义后就能使用__delay_us();和__delay_ms();的方法分享!

写程序缺不了延时函数,microchip提供了一种特别好的方法,就是只要宏定义了#define _XTAL_FREQ 12000000(之...
发表于 2019-09-30 04:08 330次阅读
pic程序延时函数宏定义后就能使用__delay_us();和__delay_ms();的方法分享!

CMD/MLDP引脚RN4020该怎么理解?

RN4020的CMD/MLDP管脚的功能在文档中描述得很含糊:一旦通过设置CMD/MLDP高进入MLDP模式,来自U...
发表于 2019-09-25 12:34 49次阅读
CMD/MLDP引脚RN4020该怎么理解?

数据表中的内部弱上拉,但寄存器不存在该怎么办?

您好,我正在考虑使用PIC16LF1554微控制器作为一个爱好项目,但是我不清楚数据表的一部分。在下面的URL中,我...
发表于 2019-09-25 08:54 45次阅读
数据表中的内部弱上拉,但寄存器不存在该怎么办?

Microchip四款CAN MCU采用28引脚...

亚利桑那州钱德勒 - Microchip Technology Inc.已经加入了越来越多的供应商,....
发表于 2019-09-15 17:21 539次阅读
Microchip四款CAN MCU采用28引脚...

Digi-Key宣布与Directed Ener...

全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 宣布与 Directed Energ....
发表于 2019-09-09 16:02 159333次阅读
Digi-Key宣布与Directed Ener...

Digi-Key与Directed Energy...

Digi-Key Electronics 宣布与 Directed Energy, Inc. 建立独....
发表于 2019-09-06 15:20 150次阅读
Digi-Key与Directed Energy...

PIC18F97J60以太网模块偏置电流的值?

大家好,祝你们愉快!我是这个论坛的新成员,但最近几年我一直在使用Microchip微控制器。最近,我用pic18f97j60微控制...
发表于 2019-09-04 09:57 251次阅读
PIC18F97J60以太网模块偏置电流的值?

Microchip推出两款USB-PD解决方案,...

新产品带有HostFlexing和PDBalancing功能、经过认证的USB 3.1 PD Sma....
发表于 2019-08-30 15:25 251次阅读
Microchip推出两款USB-PD解决方案,...

Microchip推可显著降低功耗的模拟存储器技...

随着人工智能(AI)处理从云端转移至网络边缘,电池供电的深度嵌入式设备在执行AI任务(如计算机视觉和....
发表于 2019-08-16 17:31 183次阅读
Microchip推可显著降低功耗的模拟存储器技...

如何实现MCC 3.15离线安装URL这一目标?

我们很快将网站带到网上,提供这个链接,以及下载单个库的能力。[\引用]去年在Master时,Microchip承诺将8位汇编程序...
发表于 2019-08-14 08:16 90次阅读
如何实现MCC 3.15离线安装URL这一目标?

Microchip进军存储器基础设施市场 推业界...

SMC 1000 8 x 25G支持下一代CPU和SoC所需的高存储器带宽,用于人工智能和机器学习。
发表于 2019-08-08 14:52 166次阅读
Microchip进军存储器基础设施市场 推业界...

请问哪里可以下载RN2903的二进制HEX文件?

亲爱的Microchip员工和Microchip社区,哪里可以下载RN2903的二进制HEX文件?我不小心把Lora .MoE HEX文件...
发表于 2019-08-08 10:54 110次阅读
请问哪里可以下载RN2903的二进制HEX文件?

如何阅读对文章的答复?

嗨,几年前我订阅了Microchip论坛,我定期阅读文章和回复。偶尔我也会发邮件或回复帖子。但最近发生了一些变化。当我...
发表于 2019-08-06 12:29 65次阅读
如何阅读对文章的答复?

请问Microchip仍然支持和发展MBLAB XPress吗?

Microchip仍然支持和发展MBLAB XPress吗?没有活动或评估板生产数月?...
发表于 2019-08-01 08:24 75次阅读
请问Microchip仍然支持和发展MBLAB XPress吗?

Vox Power Ltd全系列用户可配置电源通...

Vox Power Ltd 宣布与全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics达成....
发表于 2019-07-19 09:52 575次阅读
Vox Power Ltd全系列用户可配置电源通...

Digi-Key上海办事处乔迁新址,继续稳固中国...

中国 -- 全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 上海办事处乔迁新址,以支....
发表于 2019-07-17 11:52 8384次阅读
Digi-Key上海办事处乔迁新址,继续稳固中国...

Microchip推出全新低功耗FPGA智能嵌入...

随着基于视觉的计算密集型系统在网络边缘的集成度越来越高,现场可编程门阵列(FPGA)正迅速成为下一代....
发表于 2019-07-17 11:43 273次阅读
Microchip推出全新低功耗FPGA智能嵌入...

基于Microchip的BMS低成本高精度电流检测方案设计

BMS(Battery Management System)是连接新能源车核心部件电池与整车的桥梁。受益于新能源车的发展,作为核心部件...
发表于 2019-07-12 08:00 436次阅读
基于Microchip的BMS低成本高精度电流检测方案设计

Microchip推出新型电容触摸式控制器 加速...

为解决汽车触摸屏开发人员面临的电磁干扰(EMI)和电磁兼容性(EMC)问题,Microchip Te....
发表于 2019-07-03 08:41 1375次阅读
Microchip推出新型电容触摸式控制器 加速...

Microchip推出全新时钟缓冲器 远超PCI...

随着数据中心向更高的带宽和更高速的基础架构迁移,对更高性能时序器件的需求变的至关重要。Microch....
发表于 2019-07-02 14:48 1316次阅读
Microchip推出全新时钟缓冲器 远超PCI...

Microchip面向下一代数据中心应用推出四款...

20路输出PCIe时钟缓冲器是下一代服务器、数据中心、存储设备及其他PCIe应用的理想选择。
发表于 2019-07-01 16:36 257次阅读
Microchip面向下一代数据中心应用推出四款...

Microchip发布符合USB 2.0规范的新...

新产品符合USB 2.0规范,与多端口系列产品采用同样的专利技术,这些新型单端口IC封装尺寸更小,可....
发表于 2019-06-25 11:31 307次阅读
Microchip发布符合USB 2.0规范的新...

Microchip发布基准解决方案 实时地对其所...

过去几年,中国电信运营商一直在大力部署 100G OTN交换网络。目前,中国最大的运营商之一——中国....
发表于 2019-06-13 14:04 1194次阅读
Microchip发布基准解决方案 实时地对其所...

Microchip推出业界首款商用eSPI至LP...

随着工业计算行业从低引脚数(LPC)接口技术向增强型串行外设接口(eSPI)总线技术转型,在应用新标....
发表于 2019-05-30 14:18 748次阅读
Microchip推出业界首款商用eSPI至LP...

Microchip推出业界首款商用eSPI至LP...

器件可帮助工业计算开发人员在现有设备中集成eSPI标准,在实现最低开发成本的同时延长产品使用周期。
发表于 2019-05-29 14:35 350次阅读
Microchip推出业界首款商用eSPI至LP...

Microchip发布全新PoE交换机 助力打造...

随着企业和机构致力于提升楼宇能源效率、改善楼宇运营成本,商用智能照明系统应用日渐普遍。这些系统正越来....
发表于 2019-05-24 13:49 2272次阅读
Microchip发布全新PoE交换机 助力打造...

中美关系如何影响半导体?来看看芯片巨头怎么说

以下是Microchip管理层对贸易战升级以及它对需求的可能影响的看法。
发表于 2019-05-17 09:14 1303次阅读
中美关系如何影响半导体?来看看芯片巨头怎么说

Microchip新推出一系列SiC功率器件 具...

随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升,新推出的700V MOSFET和700V、120....
发表于 2019-05-17 08:51 238次阅读
Microchip新推出一系列SiC功率器件 具...

Microchip推出最新版本统一软件框架 增加...

从基本器件配置到基于实时操作系统(RTOS)的设计,32位单片机(MCU)的应用在复杂性和开发模型方....
发表于 2019-05-14 16:12 966次阅读
Microchip推出最新版本统一软件框架 增加...

汽车智能化,芯片厂商的机遇在哪里?

很多厂实商都已将开启不同阶段的自动驾驶计划,比如特斯拉、奥迪、宝马、谷歌、长安、一汽、吉利、蔚来汽车....
发表于 2019-04-29 11:40 1956次阅读
汽车智能化,芯片厂商的机遇在哪里?

Microchip推出首款基于Arm®内核的单片...

SAMV71Q21RT和SAMRH71允许软件开发人员在迁移到宇航级元件之前着手使用SAMV71 C....
发表于 2019-04-25 11:37 1337次阅读
Microchip推出首款基于Arm®内核的单片...

IoTize即时NFC和蓝牙的TapNLink产...

IoTize 现通过全球电子元器件分销商 Digi-Key Electronics,向全球客户提供用....
发表于 2019-04-24 10:56 290次阅读
IoTize即时NFC和蓝牙的TapNLink产...

SSC7102 运动协处理器

信息 SSC7102运动协处理器是经过Windows 8.1认证的HID over I2C,低功耗,灵活的交钥匙解决方案.SC7102可以轻松实现超极本的传感器融合,笔记本电脑和平板电脑。 Microchip与多家业界领先的传感器制造商和传感器融合专家合作,共同打造此解决方案,无需传感器融合专业知识即可加快产品上市速度。 SSC7102效率极高。在运行复杂的传感器融合算法时,它消耗了〜4mA,从而延长了Windows 8.1平板电脑,笔记本电脑和超极本应用程序的电池寿命。 相关产品: 特点: Windows®8/ 8.1认证(HID over I2C) 易于实施完整的交钥匙运营协处理器 32位核心,工作频率为48MHz 活动模式下低功耗~4mA 深度睡眠系统消耗0.26mA 自我校准 传感器电源管理 小型BGA套餐 传感器不可知目标市场 PC:超极本,笔记本电脑和二合一可转换器 手机:平板电脑 遥控器,游戏 SSC7102- GQ-AB0解决方案: BMC150Bosch Mag + Accel BMG160 Bosch Gyroscope SSC7102-GQ-BA0解决方案: MPU- 6500 Invensense Accel + Gyro AK89 63CAKM Mag + Accel 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:14 18次阅读
SSC7102 运动协处理器

VP3203 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 高输入阻抗和高增益 热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:13 0次阅读
VP3203 MOSFET,P-CHANNEL增...

VP2110 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 VP2110是一种增强型(常关)晶体管,采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;免于二次故障 低功率驱动要求 易于并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:13 0次阅读
VP2110 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP2206 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 VP2206是一种增强型(常关)晶体管,采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;免于二次故障 低功率驱动要求 易于并联 低连续供电和快速切换速度 高输入阻抗和高增益 出色的热稳定性 集成式源极 - 漏极二极管 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:13 14次阅读
VP2206 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP2450 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 高输入阻抗和高增益 热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:12 4次阅读
VP2450 MOSFET,P-CHANNEL增...

VP2106 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:12 2次阅读
VP2106 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0808 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:12 10次阅读
VP0808 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0550 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 8次阅读
VP0550 MOSFET,P-CHANNEL增...

VP0106 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 7次阅读
VP0106 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0109 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 6次阅读
VP0109 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;免于二次故障 低功率驱动要求 易于并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 8次阅读
VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 TP5322是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗 低阈值(最高-2.4V) 低输入电容(最大110pF) 快速切换速度 低导通电阻 低输入和输出泄漏 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 2次阅读
TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 8次阅读
TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 5次阅读
TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 TP5335是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动器要求 Ease of并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 15次阅读
TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 9次阅读
TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 10次阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 13次阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 20次阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 16次阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 12次阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 31次阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 48次阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 42次阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 39次阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 93次阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增...

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10...

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:02 74次阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10...

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位...

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:02 62次阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位...

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 19:07 68次阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 19:07 61次阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

基于Microchip的低成本高精度电流检测方案

BMS(Battery Management System)是连接新能源车核心部件电池与整车的桥梁。....
发表于 2019-04-15 15:35 745次阅读
基于Microchip的低成本高精度电流检测方案

ATSAME70Q21的主要特性以及电路图

本文介绍了ATSAME70Q21主要特性,SAM S70, SAM E70, V70和V71 144....
发表于 2019-04-05 18:45 1934次阅读
ATSAME70Q21的主要特性以及电路图

Digi-Key推出BOM MTBF预测服务 为...

Digi-Key 推进这项合作的目的在于,让客户能够经济、高效地使用 BQR 的 SaaS 模式软件....
发表于 2019-03-29 15:17 1890次阅读
Digi-Key推出BOM MTBF预测服务 为...

Microchip全新dsPIC33CH512M...

dsPIC33CH512MP508(MP5)系列对近期推出的dsPIC33CH进行了扩展,将存储器从....
发表于 2019-03-28 17:13 2146次阅读
Microchip全新dsPIC33CH512M...

无变压器的高压开关稳压芯片SR087的性能介绍与...

视频简介:本视频介绍了Microchip无变压器的高压开关稳压芯片SR087,它可以直接把工频电压转....
发表于 2019-03-27 06:25 1215次观看
无变压器的高压开关稳压芯片SR087的性能介绍与...

兼容I2C总线和可配置模拟输出的PAC192

视频简介:本视频为大家介绍Microchip的上桥臂电流传感器PAC1921,它具有兼容I2C的总线....
发表于 2019-03-26 06:17 1270次观看
兼容I2C总线和可配置模拟输出的PAC192

Microchip为PIC®和SAM单片机提供统...

Microchip Technology 今日宣布推出最新版本的统一软件框架MPLAB® Harmo....
发表于 2019-03-25 16:50 215次阅读
Microchip为PIC®和SAM单片机提供统...

Digi-Key 宣布推出供应商驱动型 KiCa...

鉴于去年发布的资料库由 Digi-Key 应用工程团队策划和开发,合作伙伴资料库旨在让制造商提供其符....
发表于 2019-03-25 11:03 249次阅读
Digi-Key 宣布推出供应商驱动型 KiCa...

Microchip/伍尔特电子动手实验在慕尼黑上...

慕尼黑上海电子展2019正在上海新国际博览中心进行。本次展会,Microchip不仅设有自己的展台,....
发表于 2019-03-22 09:29 221次阅读
Microchip/伍尔特电子动手实验在慕尼黑上...

Digi-Key宣布推出微信会员计划和微信支付

全球电子元件分销商Digi-Key Electronics宣布,为了给持续增长的微信官方公众号关注者....
发表于 2019-03-21 10:40 1646次阅读
Digi-Key宣布推出微信会员计划和微信支付

Microchip在慕尼黑上海电子展2019期待...

慕尼黑上海电子展2019正在上海新国际博览中心进行。本次展会,Microchip不仅设有自己的展台,....
发表于 2019-03-20 16:28 1158次阅读
Microchip在慕尼黑上海电子展2019期待...

Microchip电源管理产品及方案介绍

本视频介绍了MCP19111/MCP87XXX 电源管理产品以及组成的灵活高校的电源方案。MCP19....
发表于 2019-03-20 06:52 1071次观看
Microchip电源管理产品及方案介绍

将物联网设备连接到云端的安全解决方案

尽管人们越来越意识到需要安全性,但开发人员经常发现自己在安全性方面采取了快捷方式,将物联网设备连接到....
发表于 2019-03-19 08:27 1085次阅读
将物联网设备连接到云端的安全解决方案

Microchip高集成度的电源解决方案

视频简介:本视频将向大家介绍Microchip MIC系列高集成度电源解决方案。
发表于 2019-03-15 06:52 886次观看
Microchip高集成度的电源解决方案

Microchip全新双核和单核dsPIC33C...

随着高端嵌入式控制应用的开发愈加复杂,系统开发人员需要更加灵活的选项为系统提供可扩展性。为此,Mic....
发表于 2019-03-14 13:36 2304次阅读
Microchip全新双核和单核dsPIC33C...

Microchip数字电源入门工具包的介绍

视频简介:本视频介绍了Microchip新推出的一款数字电源入门工具包,这款工具包采用了全新的dsP....
发表于 2019-03-11 06:02 1071次观看
Microchip数字电源入门工具包的介绍

采用MoC输入系统实现降低产品成本与抗污染

输入系统对产品吸引力很重要,必须支持产品功能的复杂性,同时降低成本并希望将灰尘和其他外来物质排出外壳....
发表于 2019-03-08 08:49 1480次阅读
采用MoC输入系统实现降低产品成本与抗污染

Microchip针对数字电源的参考设计介绍

视频简介:电源作为电控系统能量的来源,也跟大多数行业一样,正往高密度、小体积、高能效、智能化及定制化....
发表于 2019-03-06 06:16 1382次观看
Microchip针对数字电源的参考设计介绍

Microchip开关稳压器产品及典型应用介绍

视频简介:本视频介绍了Microchip开关稳压器产品,按照拓扑结构可分为降压式和升压式,降压式产品....
发表于 2019-03-06 06:12 1080次观看
Microchip开关稳压器产品及典型应用介绍

Microchip首款支持Type-C™的车载U...

受消费者对移动设备快速充电需求的推动,USB Type-C在智能手机行业的应用愈发广泛。USB700....
发表于 2019-02-27 16:40 2934次阅读
Microchip首款支持Type-C™的车载U...

Harwin的T-Contact产品现在可以透过...

继去年推出窄间距T-Contact产品后,Harwin现已获得领先通路商Digi-Key、Mouse....
发表于 2019-02-26 16:01 227次阅读
Harwin的T-Contact产品现在可以透过...

新型45V零漂移运算放大器提供超高精度和EMI滤...

美国微芯科技公司推出MCP6V51 零漂移运算放大器。这款新器件通过提供宽工作电压范围和片内电磁干扰....
发表于 2019-01-16 11:25 2095次阅读
新型45V零漂移运算放大器提供超高精度和EMI滤...

盘点2018年底物联网行业的新技术

2018年12月7日,第五届物联网开发者大会在北京北辰洲际酒店隆重开幕。现场设有展示区,向广大开发者....
发表于 2018-12-14 13:48 2114次阅读
盘点2018年底物联网行业的新技术

Microchip推出全新的单芯片maXTouc...

随着新型maXTouch触摸屏控制器上市,Microchip助客户实现全面可扩展性,提供业内唯一的完....
发表于 2018-12-12 10:12 1834次阅读
Microchip推出全新的单芯片maXTouc...

实力铸就荣誉 贝能国际再获“Microchip中...

2018年9月5日Microchip公司宣布,基于贝能国际有限公司在中国市场以高附加值服务水平为客户....
发表于 2018-12-05 17:58 951次阅读
实力铸就荣誉 贝能国际再获“Microchip中...

Microchip新推小尺寸MEMS时钟发生器

据麦姆斯咨询报道,Microchip推出了业界尺寸最小的MEMS时钟发生器DSC613。这款新器件可....
发表于 2018-11-15 16:38 1833次阅读
Microchip新推小尺寸MEMS时钟发生器

利用面向Google Cloud的Microch...

新解决方案让设计人员能够在Google Cloud IoT Core的人工智能和机器学习架构中轻松。
发表于 2018-10-11 10:45 3709次阅读
利用面向Google Cloud的Microch...

Microchip的8位PIC单片机,休眠电流低...

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)近日宣布推出多款全新8位PIC....
发表于 2018-10-02 14:08 2172次阅读
Microchip的8位PIC单片机,休眠电流低...

大联大品佳力推基于Microchip和Amazo...

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳力推微芯科技(Microc....
发表于 2018-09-21 10:31 3911次阅读
大联大品佳力推基于Microchip和Amazo...

Microchip推出六款8位核心的PIC 16...

Microchip Technology宣布推出配备强化型中阶8位核心的六款PIC16F193X系列....
发表于 2018-08-30 00:26 2444次阅读
Microchip推出六款8位核心的PIC 16...

功耗和安全性嵌入式系统设计的两大担忧

功耗与安全性是嵌入式系统设计师的两大重要担忧,尤其是在 IoT 传感器命令和控制应用程序中。 对于工....
发表于 2018-08-21 13:48 3266次阅读
功耗和安全性嵌入式系统设计的两大担忧

一招教你增强对不同样式和类型连接器的理解

连接器可能不是电路中最复杂的零件,但肯定是最重要的零件之一。提到电路,人们可能会有几种不同的认识。大....
发表于 2018-08-21 09:32 3806次阅读
一招教你增强对不同样式和类型连接器的理解