TC1201V 低噪声和中等功率GaAs FET

FET GaAs

型号： TC1201V

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC1201V
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC1201V与TC1201相同，除了源极中的通孔降低了接地电感。这个器件被加工成具有用于高增益应用的通孔。它可以在高达30 GHz的电路中使用，并且适合用于低噪声和中等功率放大器应用，应用所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。所有焊盘均镀金热压或热声引线接合。

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1201V
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

型号参数
电源接地过孔
低噪声系数：NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=13 dB，典型频率为12 GHz
高动态范围：1 dB压缩功率P-1=21.5 dBm，6 V，
40毫安和12千兆赫
击穿电压：BVDGO≥9 V
Lg=0.25µm，Wg=300µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试

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