型号介绍
GD25LQ32DLIGR 是一款 32Mbit（4MB）1.8V 低压四线串行 NOR Flash，这款闪存工作电压覆盖 1.65V~2.0V，完美适配各类低电压主控芯片，直流功耗表现十分亮眼，常态待机电流仅 35μA，进入深度掉电模式后电流低至 1μA，能够极大延长电池类产品续航。电气时序支持最高 120MHz 时钟，四线 Quad 与 QPI 模式下传输速率可达 480Mbps，同时规范了完整输入输出电平标准、上电时序，区分 - 40℃~85℃工业级温度电气参数，高低温环境下读写、擦除时序稳定；器件具备标准的读写擦耗时，单页编程典型 0.7ms，4KB 扇区擦除 90ms，整片擦除 20 秒，还支持擦写挂起、恢复功能，操作中途可读取其他区域数据，提升设备运行效率。硬件电气设计上集成 CS、SCLK 以及四组复用 IO 引脚，默认 SPI 模式，开启 QE 位后切换双线、四线通信，配套独立 HOLD 暂停、深度掉电硬件逻辑，同时划定 - 65℃~150℃宽存储温域，IO、电源拥有充足耐压余量，产品电气稳定性可靠。
主要特性
存储：32Mbit (4MB)，页 256Byte，4KB 统一扇区；10 万次擦写，数据保存 20 年
电压：1.65~2.0V（1.8V 低压）
接口：SPI/Dual/Quad/QPI，最高 480Mbps，120MHz 时钟，支持 XIP 片上执行
速度：页编程 0.7ms，扇区擦 90ms，整片擦 20s；支持擦写挂起 / 恢复
功耗：待机 35μA，深度掉电 1μA
安全：区块硬件 + 软件保护；3 组 1KB OTP 安全区；单颗 128bit 唯一 ID
封装温区：WLCSP，工业级 - 40~+85℃，
应用领域
网络通信小型设备
工业自动化
便携式电子设备
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