TC1606 2W高线性高效率GaAs功率场效应晶体管

晶体管

型号： TC1606

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC1606
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC1606是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT），具有高线性和高功率附加效率。该装置采用适当的通孔工艺进行处理，提供了低成本热阻和低电感。长的栅极长度使得器件具有高击穿电压。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。焊盘为镀金热压或热声引线接合。背面镀金与标准AuSn兼容模具连接。典型应用包括商用高性能功率放大器

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1606
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

型号参数
2W 6 GHz时的典型功率
线性功率增益：GL=12 dB 6 GHz时的典型值
高线性度：IP3=43 dBm，6 GHz时典型
过孔源接地
适用于高可靠性应用
击穿电压：BVDGO≥18V
Lg=0.6µm，Wg=5 mm
高功率附加效率：6 GHz时标称PAE为43%
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试

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