TC1202P0912 超低噪声GaAs FET

FET GaAs

型号： TC1202P0912

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC1202P0912
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC1202是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪声系数和高的相关增益。该设备可用于高达30 GHz的电路，适用于低噪声应用。所有设备都经过100%直流测试确保始终如一的质量。所有焊盘均镀金，用于热压或热声波导线粘合。

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1202P0912
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

型号参数
低噪声系数：NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=12 dB，典型频率为12 GHz
Lg=0.25µm，Wg=300µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试

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