DMN1019UFDE-7

制造商：Diodes

描述：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Datasheet：

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器件参数

Function

配置

Single
通道数量

1
连续漏极电流

11 A
输入偏置电容@10V

2.425 nF
类型

N沟道
漏源电阻

10 mΩ
漏源电压

12 V
漏源导通电阻@4.5V,9.7A

10 mΩ
漏源导通电阻

10 mΩ
栅源电压

8 V
栅源极阈值电压@250uA

800 mV
栅极电荷@8V

50.6 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

7.6 ns
功率耗散

690 mW
关闭延迟时间

57.6 ns
元件数量

1
下降时间

16.8 ns
上升时间

22.2 ns

Physical

触点镀层

Gold
抗辐射加固

No
引脚数

6
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

U-DFN2020-6

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

580 µm
长度

2.05 mm
宽度

2.05 mm

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