AP70P03NF

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.45nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):140pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

70 A
输入偏置电容@25V

3.45 nF
类型

N沟道
漏源电压

30 V
漏源导通电阻@10V,20A

5.6 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

2.5 V
栅极电荷@10V

60 nC
反向传输电容@25V

140 pF
功率耗散

90 W

Physical

工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
制造商封装

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