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半导体清洗机循环泵怎么用2025-07-29 11:10
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半导体清洗机氮气怎么排2025-07-29 11:05
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晶圆清洗用什么气体最好2025-07-23 14:41
在晶圆清洗工艺中，选择气体需根据污染物类型、工艺需求和设备条件综合判断。以下是对不同气体的分析及推荐：1.氧气（O₂）作用：去除有机物：氧气等离子体通过活性氧自由基（如O*、O₃）与有机污染物（如光刻胶残留）发生氧化反应，生成CO₂和H₂O等挥发性物质1。表面活化：增强晶圆表面亲水性，为后续工艺（如CVD）提供更好的附着力3。优势：高效去除有机污染，适用于光晶圆 416浏览量 -
晶圆清洗工艺有哪些类型2025-07-23 14:32
晶圆清洗工艺是半导体制造中的关键步骤，用于去除晶圆表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子和氧化物），确保后续工艺（如光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。根据清洗介质、工艺原理和设备类型的不同，晶圆清洗工艺可分为以下几类：1.湿法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：将多片晶圆（通常25-50片）放入化学槽中，依次浸泡半导体 1133浏览量 -
晶圆清洗后表面外延颗粒要求2025-07-22 16:54
晶圆清洗后表面外延颗粒的要求是半导体制造中的关键质量控制指标，直接影响后续工艺（如外延生长、光刻、金属化等）的良率和器件性能。以下是不同维度的具体要求和技术要点：一、颗粒污染的核心要求颗粒尺寸与数量小尺寸晶圆（2-6英寸）：允许颗粒尺寸通常≥1μm，数量控制在＜1000颗/cm²（具体取决于工艺节点）。部分应用（如功率器件）可接受更低标准，但需避免肉眼可见污半导体制造 1314浏览量 -
不同晶圆尺寸清洗的区别2025-07-22 16:51
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硅清洗液不能涂的部位有哪些2025-07-21 14:42
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晶圆蚀刻扩散工艺流程2025-07-15 15:00
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晶圆蚀刻后的清洗方法有哪些2025-07-15 14:59
