芯矽科技文章

• 清洗晶圆去除金属薄膜用什么2025-10-28 11:52

  

  清洗晶圆以去除金属薄膜需要根据金属类型、薄膜厚度和工艺要求选择合适的方法与化学品组合。以下是详细的技术方案及实施要点：一、化学湿法蚀刻（主流方案）酸性溶液体系稀盐酸（HCl）或硫酸（H₂SO₄）基配方：适用于大多数金属（如铝、铜、镍）。例如，用浓度5%~10%的HCl溶液可有效溶解铝层，反应生成可溶性氯化铝络合物。若添加双氧水（H₂O₂）作为氧化剂，能加速金

  晶圆 276浏览量

• 半导体六大制程工艺2025-10-28 11:47

  

  1.晶圆制备（WaferPreparation）核心目标：从高纯度多晶硅出发，通过提纯、单晶生长和精密加工获得高度平整的圆形硅片（晶圆）。具体包括直拉法或区熔法拉制单晶锭，切片后进行研磨、抛光处理，最终形成纳米级表面粗糙度的衬底材料。例如，现代先进制程普遍采用300mm直径的大尺寸晶圆以提高生产效率。该过程为后续所有微纳加工奠定物理基础，其质量直接影响器件性

  半导体 半导体制程 半导体制造 晶圆 483浏览量

• 晶圆清洗后如何判断是否完全干燥2025-10-27 11:27

  

  判断晶圆清洗后是否完全干燥需要综合运用多种物理检测方法和工艺监控手段，以下是具体的实施策略与技术要点：1.目视检查与光学显微分析表面反光特性观察：在高强度冷光源斜射条件下，完全干燥的晶圆呈现均匀镜面反射效果，无任何水膜干涉条纹或晕染现象。若存在局部湿润区域，光线散射会产生模糊的暗斑或彩色光晕。显微镜下微观验证：使用金相显微镜放大观察晶圆边缘及图案结构凹槽处，

  检测 139浏览量

• 晶圆湿法刻蚀技术有哪些优点2025-10-27 11:20

  

  晶圆湿法刻蚀技术作为半导体制造中的重要工艺手段，具有以下显著优点：高选择性与精准保护通过选用特定的化学试剂和控制反应条件，湿法刻蚀能够实现对目标材料的高效去除，同时极大限度地减少对非目标区域（如掩膜覆盖部分）的影响。这种高选择性源于不同材料在腐蚀液中的溶解速率差异，例如使用缓冲氧化物刻蚀液（BOE）时，二氧化硅的刻蚀速度远高于硅基底，从而确保精确的图案转移。

  刻蚀 晶圆 湿法 185浏览量

• 硅片酸洗过程的化学原理是什么2025-10-21 14:39

  

  硅片酸洗过程的化学原理主要基于酸与硅片表面杂质之间的化学反应，通过特定的酸性溶液溶解或络合去除污染物。以下是其核心机制及典型反应：氢氟酸（HF）对氧化层的腐蚀作用反应机理：HF是唯一能高效蚀刻二氧化硅（SiO₂）的试剂，生成挥发性的四氟化硅和水。若HF过量，则进一步形成六氟合硅酸（H₂SiF₆）：SiO₂+4HF→SiF₄↑+2H₂OSiO₂+6HF→H₂S

  硅片 酸洗 273浏览量

• 硅片酸洗单元如何保证清洗效果2025-10-21 14:33

  

  硅片酸洗单元保证清洗效果的核心在于精准控制化学反应过程、优化物理作用机制以及实施严格的污染防控。以下是具体实现路径：一、化学反应的精确调控1.配方动态适配性根据硅片表面污染物类型（如金属杂质、天然氧化层或有机残留物），采用分段式混酸配比策略。例如：针对重金属污染区域，局部强化氢氟酸（HF）浓度以加速络合反应；对厚氧化层区域则提高硝酸（HNO₃）比例增强氧化剥

  大硅片 硅片 酸洗 199浏览量

• SC2溶液可以重复使用吗2025-10-20 11:21

  

  SC2溶液通常不建议重复使用，主要原因如下：污染物累积导致效率下降SC2溶液（典型配方为HCl:H₂O₂:H₂O）在清洗过程中会逐渐溶解金属离子、颗粒物及其他杂质。随着使用次数增加，溶液中的污染物浓度升高，不仅降低对新硅片的清洗效果，还可能因饱和而析出沉淀，造成二次污染。例如，溶解的铜离子若达到一定浓度后，反而可能重新附着在晶圆表面形成缺陷。过氧化氢分解产物

  晶圆 溶液 303浏览量

• 如何选择合适的SC1溶液来清洗硅片2025-10-20 11:18

  

  选择合适的SC1溶液清洗硅片需要综合考虑多个因素，以下是具体的方法和要点：明确污染物类型与污染程度有机物污染为主时：如果硅片表面主要是光刻胶、油脂等有机污染物，应适当增加过氧化氢（H₂O₂）的比例。因为H₂O₂作为强氧化剂，能有效分解有机物分子链，将其转化为水溶性物质便于清洗。例如，当有机物污染严重时，可将NH₄OH:H₂O₂:H₂O的配比从常规的1:2:5

  清洗工艺 溶液 349浏览量

• 马兰戈尼干燥原理如何影响晶圆制造2025-10-15 14:11

  

  马兰戈尼干燥原理通过独特的流体力学机制显著提升了晶圆制造过程中的干燥效率与质量，但其应用也需精准调控以避免潜在缺陷。以下是该技术对晶圆制造的具体影响分析：正面影响减少水渍污染与残留定向回流机制：利用不同液体间的表面张力梯度（如水的表面张力高于异丙醇IPA），使水分在晶圆表面被主动拉回水槽，而非自然晾干或旋转甩干时的随机分布。这种定向流动有效消除了传统方法导致

  晶圆制造 检测系统 338浏览量

• 晶圆和芯片哪个更难制造一些2025-10-15 14:04

  

  关于晶圆和芯片哪个更难制造的问题，实际上两者都涉及极高的技术门槛和复杂的工艺流程，但它们的难点侧重不同。以下是具体分析：晶圆制造的难度核心材料提纯与单晶生长超高纯度要求：电子级硅需达到99.999999999%（多个“9”）的纯度，任何微量杂质都会影响半导体特性。从石英砂提炼冶金级硅后，还需通过化学气相沉积等工艺进一步提纯，这一过程能耗巨大且技术壁垒高3。例

  晶圆 芯片 464浏览量