芯矽科技文章

• 晶圆部件清洗工艺介绍2025-08-18 16:37

  

  晶圆部件清洗工艺是半导体制造中确保表面洁净度的关键环节，其核心在于通过多步骤、多技术的协同作用去除各类污染物。以下是该工艺的主要流程与技术要点：预处理阶段首先进行初步除尘，利用压缩空气或软毛刷清除大颗粒杂质，防止后续清洗液被过度污染。随后采用超声波粗洗，将晶圆浸入含有非离子型表面活性剂的去离子水中，通过高频振动产生的空化效应剥离附着力较弱的污染物，为深度清洁

  半导体制造 晶圆 清洗工艺 978浏览量

• 旋转喷淋清洗机工作原理是什么2025-08-18 16:30

  

  旋转喷淋清洗机的工作原理结合了机械运动、流体动力学和化学作用，通过多维度协同实现高效清洁。以下是其核心机制的分步解析：1.动力传输与旋转机构设备内置电机驱动主轴及载物托盘匀速旋转（通常可调转速5–30rpm），使被清洗工件周期性暴露于不同角度的喷淋区域。这种动态覆盖打破了静态清洗的盲区限制，尤其适合具有复杂几何结构的零部件（如盲孔、深槽或内腔）。2.高压喷射

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• 化学槽npp是什么意思2025-08-13 10:59

  

  在半导体制造及湿法清洗工艺中，“化学槽NPP”通常指一种特定的工艺步骤或设备配置，其含义需要结合上下文来理解。以下是可能的解释和详细说明：1.术语解析：NPP的可能含义根据行业惯例，“NPP”可能是以下两种常见缩写之一：(1)NewProcessPath（新工艺路径）应用场景：在生产线升级时，为测试新型清洗配方或反应条件而设立的专用化学槽。例如：“本次试验将

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• 半导体封装清洗工艺有哪些2025-08-13 10:51

  

  半导体封装过程中的清洗工艺是确保器件可靠性和性能的关键环节，主要涉及去除污染物、改善表面状态及为后续工艺做准备。以下是主流的清洗技术及其应用场景：一、按清洗介质分类湿法清洗（LiquidCleaning）原理：利用化学试剂与物理作用（如超声、喷淋）结合去除颗粒、有机物和金属残留。常用溶液：RCA标准流程（H₂O₂+NH₄OH/HCl交替使用）：去除有机污染和

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• 半导体湿法工艺用高精度温控器吗2025-08-12 11:23

  

  在半导体湿法工艺中，高精度温控器是必需的关键设备，其应用贯穿多个核心环节以确保工艺稳定性和产品良率。以下是具体分析：一、为何需要高精度温控？化学反应速率控制湿法蚀刻、清洗等过程依赖化学液与材料的相互作用，而反应速度直接受温度影响。例如：高温加速反应（如硫酸+双氧水混合液在80℃下快速剥离光刻胶）；低温导致反应滞后或不彻底，造成残留物污染后续工序。温度波动±1

  半导体 温控器 608浏览量

• 半导体湿法去胶原理2025-08-12 11:02

  

  半导体湿法去胶是一种通过化学溶解与物理辅助相结合的技术，用于高效、可控地去除晶圆表面的光刻胶及其他工艺残留物。以下是其核心原理及关键机制的详细说明：化学溶解作用溶剂选择与反应机制有机溶剂体系：针对正性光刻胶（如基于酚醛树脂的材料），常使用TMAH（四甲基氢氧化铵）、NMD-3等碱性溶液进行溶解；对于负性光刻胶，则采用特定溶剂如PGMEA实现剥离。这些溶剂通过

  半导体 晶圆 湿法 1359浏览量

• 半导体外延和薄膜沉积有什么不同2025-08-11 14:40

  

  半导体外延和薄膜沉积是两种密切相关但又有显著区别的技术。以下是它们的主要差异：定义与目标半导体外延核心特征：在单晶衬底上生长一层具有相同或相似晶格结构的单晶薄膜（外延层），强调晶体结构的连续性和匹配性36；目的：通过精确控制材料的原子级排列，改善电学性能、减少缺陷，并为高性能器件提供基础结构。例如，硅基集成电路中的应变硅技术可提升电子迁移率4。薄膜沉积核心特

  半导体 外延片 薄膜 1369浏览量

• 半导体外延工艺在哪个阶段进行的2025-08-11 14:36

  

  半导体外延工艺主要在集成电路制造的前端工艺（FEOL）阶段进行。以下是具体说明：所属环节定位：作为核心步骤之一，外延属于前端制造流程中的关键环节，其目的是在单晶衬底上有序沉积单晶材料以形成外延层。这一过程为后续晶体管、二极管等器件的构建提供基础结构。工艺目标与作用：通过同质外延（如Si/Si）或异质外延（如SiGe/Si），结合分子束外延（MBE）、气相外延

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• 湿法刻蚀sc2工艺应用是什么2025-08-06 11:19

  

  湿法刻蚀SC2工艺在半导体制造及相关领域中具有广泛的应用，以下是其主要应用场景和优势：材料选择性去除与表面平整化功能描述：通过精确控制化学溶液的组成，能够实现对特定材料的选择性去除。例如，它能有效去除表面的薄金属膜或氧化层，确保所需层结构更加均匀和平整，从而保持设计精度，减少干法刻蚀带来的方向不清或溅射效应。应用意义：有助于提升芯片制造过程中各层的质量和性能

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• 湿法刻蚀是各向异性的原因2025-08-06 11:13

  

  湿法刻蚀通常是各向同性的（即沿所有方向均匀腐蚀），但在某些特定条件下也会表现出一定的各向异性。以下是其产生各向异性的主要原因及机制分析：晶体结构的原子级差异晶面原子排列密度与键能差异：以石英为例，不同晶面（如{100}、{110}、{111}）的表面原子分布和硅氧键角度存在显著区别。例如，{111}面的原子堆积最紧密且键能较高，导致该晶面的刻蚀速率远低于其他

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