云镓半导体文章

• 云镓半导体将参加 ISPSD 2026 国际功率器件与功率集成电路大会2026-03-10 14:36

  

  云镓半导体研究创新|云镓半导体六篇研究成果被ISPSD2026录用在刚刚结束的ISPSD2026征稿评比中，云镓半导体（CloudSemi）在GaN和ICDSession的六篇投稿获得组委会录用接收，成为连续三年登陆ISPSD国际大舞台的GaN中国公司（其中两篇口头报告），再次印证云镓团队的技术水平与创新能力，证明了中国的GaN初创企业的创新能力，具备超车国

  功率器件 半导体 集成电路 692浏览量

• 650V 双向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC转换器评估板2026-02-05 17:38

  

  云镓半导体650V双向E-modeGaN(MBDS)的应用1.MBDS器件介绍云镓半导体推出了650VE-modeGaN双向器件MBDS(MonolithicBi-DirectionalSwitch,MBDS)。这种GaN半导体器件使用GaN工艺制造平台，在无需工艺调整和MASK变动的前提下，通过合并漂移区和漏极以及双栅控制，即可以实现单片集成的氮化镓双向器

  GaN 评估板 转换器 544浏览量

• E-mode GaN助力4.5kW对称半桥LLC谐振变换器突破99%最高效率2026-01-13 16:24

  

  云镓半导体650VE-modeGaN的应用1.背景随着AI大数据模型的兴起，对高效率、高功率密度的电源需求逐步加强。世界能源短缺的加剧导致了其他领域对电源的高效率需求，各产业迫切希望技术进步推动能源供应性能提升。与此相对应的一个变化是关键性的半导体和器件已经出现了明显的国产化率迅速提升的趋势。宽禁带半导体材料（如氮化镓、碳化硅）的应用显著降低了开关损耗，同时

  GaN LLC 谐振变换器 1054浏览量

• 最高效率突破99%的4.5kW对称半桥LLC谐振变换器2026-01-13 14:33

  

  云镓半导体650VEmodeGaN的应用1.背景随着AI大数据模型的兴起，对高效率、高功率密度的电源需求逐步加强。世界能源短缺的加剧导致了其他领域对电源的高效率需求，各产业迫切希望技术进步推动能源供应性能提升。与此相对应的一个变化是关键性的半导体和器件已经出现了明显的国产化率迅速提升的趋势。宽禁带半导体材料（如氮化镓、碳化硅）的应用显著降低了开关损耗，同时数

  LLC 电源 谐振变换器 634浏览量

• 云镓半导体发布 2kW 双向开关 (GaN BDS) 前置升压 APFC 评估板2025-12-12 16:30

  

  云镓半导体2kW双向开关(GaNBDS)前置升压APFC评估板CG-EVB-BDS-PFC-2KW1.双向开关前置升压APFC由来双向开关前置升压APFC是无桥APFC拓扑中的一种，从拓扑结构上来说实际就是Boost电路的变形，只是交流输入的正负半周各自对应不同的电路，此拓扑省去了整流桥的应用。2.Boost型APFC和双向开关前置升压APFC的工作对比下表

  APFC 半导体 双向开关 评估板 2011浏览量

• 云镓大功率 GaN 产品 | 技术参数解读 钛金服务器电源 DEMO2025-11-11 13:45

  

  云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展示了钛金3000W服务器电源及600W微型逆变器。本文从器件参数、系统DEMO及驱动器角度全方位解读云镓工业级GaN产品系列。2.云镓工业级GaN产品参数优势聚焦数据中心与再生能源等

  demo板 GaN 服务器电源 624浏览量

• 应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis2025-11-11 13:45

  

  云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好得使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的GaN器件的能力。

  GaN 功率器件 半导体 422浏览量

• 应用指导 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)2025-11-11 13:44

  

  云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的

  FET GaN 功率器件 397浏览量

• 应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation2025-11-11 13:44

  

  云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的GaN器件的

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• 双向创“芯” — 云镓半导体国内首发高压 GaN 双向器件 （GaN BDS）2025-11-11 13:43

  

  云镓半导体双向创“芯”—云镓半导体国内首发高压GaN双向器件MBDS1.前言长期以来，器件工程师都在追求一种可双向导通且双向耐压的开关元件，该类器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC变换的应用场景中广泛应用。典型拓扑有双开关有源桥拓扑、Cyclo-converter、Vienna整流器、MatrixConverter等，此类拓扑在数据中心、光伏微逆、车载充

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