深圳市致知行科技有限公司文章

• ９.２.２　阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-22 03:01

  

  ９.２.２阻断电压压关系９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK

  电压 508浏览量

• 10.1.5 负栅电容晶体管∈《集成电路产业全书》2022-03-22 01:05

  

  NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)审稿人：北京大学蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn审稿人：北京大学张兴10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTM

  晶体管 626浏览量

• ９.２.１　电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-21 01:05

  

  ９.２.１电流-电压关系９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK

  电压 SiC 728浏览量

• 10.1.4 自旋场效应晶体管∈《集成电路产业全书》2022-03-21 01:04

  

  SpinField-effectTransistor撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  晶体管 390浏览量

• 10.1.3 碰撞电离MOS器件∈《集成电路产业全书》2022-03-20 01:06

  

  ImpactIonizationMOS撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型

  MOS 724浏览量

• ９.１.１０阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-19 01:07

  

  ９.１.１０阻断电压９.１双极结型晶体管（BJT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK7202V

  电压 419浏览量

• 10.1.2 隧道场效应晶体管(TFET)∈《集成电路产业全书》2022-03-19 01:06

  

  TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAP

  晶体管 946浏览量

• ９.１.９　共发射极电流增益：复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-18 03:01

  

  ９.１.９共发射极电流增益：复合效应９.１双极结型晶体管（BJT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科

  电流 701浏览量

• 10.1.1 栅极全环绕器件∈《集成电路产业全书》2022-03-18 01:06

  

  Gate-all-around（GAA）Device撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代A

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• 9.7.12 底填料Underfill∈《集成电路产业全书》2022-03-17 04:01

  

  Underfill撰稿人：中国科学院深圳技术研究院朱朋莉http://www.siat.ac.cn审稿人：中国科学院上海微系统与信息技术研究院罗乐http://www.sim.ac.cn9.7封装结构材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtP

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