Flexfilm

动态

• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  高效OLED印刷工艺应用 | 椭偏仪优化HTL层VNPB薄膜均匀性

  

  有机发光二极管（OLED）的喷墨印刷技术因其材料利用率高、可大面积加工等优势成为产业焦点，但多层溶液加工存在根本性挑战：层间互溶与咖啡环效应引发薄膜不均匀导致器件性能下降。本文提出一种基于二元溶剂（环己酮/环己基苯）和可热交联空穴传输材料VNPB构建稳定界面，首次实现空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）全喷墨印刷，为高性能溶液加工OL

  OLED 二极管

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• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  台阶仪在3D打印中的应用：精确测量物体表面粗糙度

  

  增材制造（AM）技术通过逐层堆积材料实现复杂结构成型，但3D打印表面质量存在层厚均匀性和组装方式导致的台阶效应问题，表面粗糙度直接影响机械性能与功能可靠性，尤其在航空航天、生物医疗等领域至关重要。因此精确测量表面轮廓成为提升打印质量的关键环节。本文提出基于多模-无芯-多模（MCM）光纤的低成本曲率传感器，通过探针位移-曲率-光强调制机制实现表面轮廓实时测量。

  3D打印 测量

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• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  BIPV建筑一体化的热电平衡 | 光谱选择性薄膜的透射率调控

  

  技术支持：180-1566-6117建筑光伏一体化（BIPV）技术因响应“碳中和”目标而快速发展。然而，现有半透明光伏技术（如钙钛矿电池）虽能兼顾发电与透光，但其成本高、耐久性差限制了商业化应用。传统光伏模块（如晶硅电池）虽效率高，但完全遮挡光线，导致室内热增益增加。因此，光谱选择性设计成为解决这一问题的有效途径。本研究开发了一种柔性PDMS/ITO/PET

  光伏 光谱 晶硅电池

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• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  台阶仪应用 | 半导体GaAs/Si异质外延层表面粗糙度优化

  

  在半导体行业中，硅基光电子技术是实现光互联、突破集成电路电互联瓶颈的关键，而在硅si衬底上外延生长高质量GaAs薄膜是硅基光源单片集成的核心。台阶仪作为重要的表征工具，在GaAs/Si异质外延研究中，通过对样品表面粗糙度的测试，为优化生长工艺、提升薄膜质量提供了关键数据支撑，对探究外延片生长规律具有重要意义。1实验方法flexfilm本研究中使用台阶仪通过接

  光电子 半导体 测试

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• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  椭偏仪原理和应用 | 精准测量不同基底光学薄膜TiO₂/SiO₂的光学常数

  

  椭偏仪作为表征光学薄膜性能的核心工具，在光学薄膜领域具有不可替代的作用。本研究聚焦基底类型（K9玻璃、石英玻璃、单晶硅）对溶胶-凝胶法制备的TiO₂和SiO₂薄膜光学性能的调控机制。Flexfilm费曼仪器作为国内领先的薄膜材料检测解决方案提供商，致力于为全球工业智造提供精准测量解决方案。其中全光谱椭偏仪可以精确量化薄膜的折射率、消光系数及厚度参数，揭示基底

  仪器 测量

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• 发布了文章 2025-07-22 09:51

  台阶仪在Micro LED巨量转移中的应用 | 测量PDMS微柱尺寸提升良率

  

  微型发光二极管Micro-LED显示技术是一种新兴技术。它在可穿戴设备、虚拟现实、手机，微投影显示器等便携式应用中具有巨大的潜力。本研究聚焦Micro-LED巨量转印技术中弹性印章（PDMS材质）的关键制程参数优化。半导体制造中表面粗糙度测量非常重要，Flexfilm费曼仪器作为国内领先的薄膜材料检测解决方案提供商，其提供的Flexfilm探针式台阶仪可以用

  Micro LED 二极管 测量

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• 发布了文章 2025-07-21 18:17

  薄膜厚度高精度测量 | 光学干涉+PPS算法实现PCB/光学镀膜/半导体膜厚高效测量

  

  透明薄膜在光学器件、微电子封装及光电子领域中具有关键作用，其厚度均匀性直接影响产品性能。然而，工业级微米级薄膜的快速测量面临挑战：传统干涉法设备庞大、成本高，分光光度法易受噪声干扰且依赖校准样品。本文本文基于FlexFilm单点膜厚仪的光学干涉技术框架，提出一种基于共焦光谱成像与薄膜干涉原理的微型化测量系统，结合相位功率谱（PPS）算法，实现了无需校准的高效

  pcb PCB 半导体 高精度测量

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• 发布了文章 2025-07-21 18:17

  全光谱椭偏仪测量：金属/半导体TMDs薄膜光学常数与高折射率特性

  

  过渡金属二硫族化合物（TMDs）因其独特的激子效应、高折射率和显著的光学各向异性，在纳米光子学领域展现出巨大潜力。本研究采用Flexfilm全光谱椭偏仪结合机械剥离技术，系统测量了多种多层TMD薄膜材料的光学常数。研究表明，半导体性TMD（如MoTe₂）表现出极高的折射率（n∥≈4.84）和强双折射（Δn≈1.54），而金属性TMD（如TaS₂）在近红外波段

  TMDS 半导体 测量

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• 发布了文章 2025-07-21 18:17

  芯片制造中高精度膜厚测量与校准：基于红外干涉技术的新方法

  

  在先进光学、微电子和材料科学等领域，透明薄膜作为关键工业组件，其亚微米级厚度的快速稳定测量至关重要。芯片制造中，薄膜衬底的厚度直接影响芯片的性能、可靠性及功能实现，而传统红外干涉测量方法受机械振动、环境光干扰及薄膜倾斜等因素限制，测量精度难以满足高精度工业需求。为此，本研究提出一种融合红外干涉与激光校准的薄膜厚度测量新方法，旨在突破传统技术瓶颈，实现更精准、

  测量 芯片制造

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• 发布了文章 2025-07-21 18:17

  芯片制造中的膜厚检测 | 多层膜厚及表面轮廓的高精度测量

  

  随着物联网(IoT)和人工智能(AI)驱动的半导体器件微型化，对多层膜结构的三维无损检测需求急剧增长。传统椭偏仪仅支持逐点膜厚测量，而白光干涉法等技术难以分离透明薄膜的多层反射信号。本文提出一种单次曝光光谱分辨干涉测量法，通过偏振编码与光谱分析结合，首次实现多层膜厚度与3D表面轮廓的同步实时测量。并使用Flexfilm探针式台阶仪对新方法的检测精度进行验证。

  半导体 测量 芯片制造

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