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• 发布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：电力电子硬件在环(HIL)测试的创新解决方案

  

  “万物电气化”影响着社会和工业的各个领域。为了实现可持续性发展的经济转型，需要低成本且高效的电力电子技术来满足各种应用需求。这不仅要求为每个特定应用开发拓扑结构，还需要高效率的新型半导体技术，例如基于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的器件。电动化是能源转型的关键支柱之一。在此领域，除了成本外，转换器的尺寸、重量和功率(例如用于电池充电)也至关重要。为此，上

  HIL 宽带隙器件 测试 电动化

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• 发布了文章 2025-03-17 10:41

  LEM(莱姆电子)适用于800V三相牵引逆变器的电流传感器

  

  目前，越来越多的汽车牵引逆变器开发者开始采用三相功率模块，LEM(莱姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一个备受青睐且经过广泛验证的例子。这些模块的兴起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技术的应用，能够支持800V电池系统的实现，从而为车辆提供更长的续航里程和更短的充电时间。HAH3DRS07/SP42，这是一款专为800V三相功率模块设计的紧凑

  lem 电流传感器 逆变器

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• 发布了文章 2025-03-17 10:40

  高级技术推动电动车电池制造的变革与可持续发展

  

  随着电动车(EV)市场的快速增长，预计到2033年将达到5375.3亿美元，汽车制造商面临的最紧迫挑战之一是确保电动车电池的安全性、可靠性和经济性。电池技术的进步在满足这些需求和确保电动车成功实现大规模推广方面发挥着至关重要的作用。为此，人工智能(AI)、数字双胞胎和先进电池化学等新兴技术正在帮助塑造电动车电池制造的未来，改变生产过程，提升电池性能，并确保可

  人工智能 电动汽车 电动车电池

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• 发布了文章 2025-03-14 11:03

  德州仪器发布超小型微控制器，推动嵌入式技术微型化

  

  在全球嵌入式技术领域，德州仪器(TexasInstruments,TI)于近日在德国举办的国际嵌入式展会上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。这款微控制器的面积仅为1.38mm²，较目前市场上最小的MCU小了38%，这一突破性进展将极大推动微型化技术的发展，满足日益增长的市场需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 单片机 微控制器 德州仪器

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• 发布了文章 2025-03-14 11:01

  2 kV SiC功率模块：推动1500 V系统的革命

  

  由于在可靠性、成本和系统级价值方面的显著提升，具有1700V阻断电压的碳化硅(SiC)在工业电力转换中变得越来越普遍。通过将最新一代SiC芯片的阻断电压扩展至2000V，新的可能性随之而来。以前需要中压器件或多级拓扑的直流链接电压现在可以更轻松地处理。最新的碳化硅电压等级正在促进1500V级逆变器的电路拓扑转变。凭借经过验证的芯片技术、低开关损耗和标准封装，

  SiC 功率模块 碳化硅

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• 发布了文章 2025-03-13 11:09

  意法半导体推出全新STM32U3微控制器，物联网超低功耗创新

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在为物联网(IoT)设备带来革命性的超低功耗解决方案。这款新产品不仅延续了意法半导体在超低功耗MCU领域的技术积累，更通过一系列创新设计，推动物联网应用的高效能和长续航。STM32U3微控制器搭载了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具备市场

  STM32 微控制器 意法半导体 物联网

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• 发布了文章 2025-03-13 11:05

  TRINNO特瑞诺 TGAN25N120ND N沟槽IGBT：感应加热和软开关领域新标杆

  

  在现代电力电子行业中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种高效的功率开关器件，广泛应用于各类电力转换设备。TRINNO(特瑞诺)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和广泛的应用前景受到了大家的青睐。本文将为您详细介绍这一优质功率器件的特点及其应用领域。图1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技术特点TGAN25N120

  IGBT 功率开关器件 晶体管

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• 发布了文章 2025-03-12 11:42

  英飞凌2024年MCU市场份额飙升，首次夺得全球微控制器市场首位

  

  近日，根据市场研究机构Omdia发布的最新报告，英飞凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市场份额预计将达到21.3%，相比2023年的17.8%增长了3.5个百分点。这一显著的增长幅度使英飞凌在同业中成为增幅最大的企业，并且标志着其在公司历史上首次在全球微控制器市场登顶。微控制器是现代电子设备的核心组件，

  mcu 微控制器 英飞凌

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• 发布了文章 2025-03-12 11:40

  突破电动汽车动力系统的技术瓶颈：先进的SiC沟槽技术

  

  随着汽车市场向主流采用加速，电力电子技术已成为创新的基石，推动了卓越的性能和效率。在这一技术演变的前沿，碳化硅(SiC)功率模块作为一项关键进展，重新定义了电动动力系统的能力。电动汽车的日益普及依赖于延长车辆续航里程和降低电池成本。这可以通过减少能量损失和提升逆变器中功率模块的紧凑性来实现。由于SiC功率器件能够实现比传统硅基器件更低的能量损失，因此它们引起

  SiC 动力系统 电动汽车

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• 发布了文章 2025-03-11 11:39

  英飞凌推出新款辐射耐受P沟道MOSFET，助力低地球轨道应用

  

  英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间”应用提供高效、可靠的功率器件方面迈出了重要一步。随着航天技术的迅猛发展，LEO卫星星座和其他空间系统的部署需求持续上升。为了成功实施这些次世代项目，工程师们需要

  MOSFET 英飞凌

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