深圳市浮思特科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-04-29 11:49

  面板驱动IC市场动态解析：策略调整与价格走势

  

  根据全球知名市场研究机构TrendForce的最新研究报告，今年上半年，面板行业品牌在操作策略上的调整，间接改变了面板驱动IC(DriverIC)的价格走势。这一趋势引发了业内人士的关注，尤其是在全球经济不确定性加大的背景下，面板驱动IC的市场动态尤为重要。在过去的几个月中，各大品牌厂和面板厂相继调整了备货节奏。这种调整使得库存水平逐渐回归到一个更为健康的状

  IC 面板驱动

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• 发布了文章 2025-04-29 11:47

  浮思特 | 莱姆电子(LEM)高精度数字电流传感器技术解析

  

  在电力电子系统中，电流测量精度与可靠性直接影响系统性能。作为全球电流传感器技术领导者，莱姆电子(LEM)推出的HMSRDA系列数字传感器，通过多项专利技术创新，为现代工业与汽车电子提供了突破性解决方案。图1核心技术创新1、Σ-Δ数字调制架构莱姆电子独有的二阶Σ-Δ调制技术，实现模拟信号到数字比特流的直接转换。该技术已应用于HMSRDA系列，具备三大技术特性：

  lem 传感器 电流传感器

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• 发布了文章 2025-04-28 11:28

  意法半导体收购多伦多初创公司Deeplite，助力边缘AI技术发展！

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布已成功收购加拿大多伦多的初创公司Deeplite。这一战略性收购旨在加强意法半导体在边缘人工智能(AI)技术领域的布局，并将Deeplite打造为其全资子公司，以便在未来更好地开发和推广先进的边缘AI解决方案。Deeplite成立于2019年，是一家专注于AI模型优化的软件公司。其核心技术

  ST 人工智能 意法半导体

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• 发布了文章 2025-04-28 11:27

  浮思特 | SiC技术2025：突破性进展与产业变革

  

  随着电动汽车、可再生能源系统和高性能计算等新兴技术将传统硅技术推向极限，材料科学正在不断发展以满足新的性能需求。功率半导体技术面临着在多样化严苛应用中实现更高电压运行、更优热管理和更高能效的压力。图12024年，碳化硅功率电子领域取得多项重大进展，这一趋势持续至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在电子行业中，MOSFET、IGBT和肖特基二极管等开关

  SiC 功率半导体

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• 发布了文章 2025-04-25 11:39

  SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理

  

  近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电以及高效服务器电源等高性能电力电子应用。SemiQ此次发布的SiCMOSFET模块采用优化的芯片设计，相比前代产品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2025-04-25 11:34

  浮思特 | 从硅基到宽禁带：逆变器功率器件的代际跨越与选型策略

  

  近年来，电力电子技术取得了重大进展。从电动汽车到可再生能源系统，逆变器在直流电转换为交流电的过程中发挥着关键作用。传统上，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造体系，长期主导着逆变器设计领域。然而，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件的出现正在重塑行业格局。这些器件具有更高效率、更大功率密度、更快开关频率和更

  功率器件 宽禁带 逆变器

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• 发布了文章 2025-04-24 11:33

  韩国对华半导体出口锐减23.5%，贸易逆差现象引发关注

  

  根据韩国产业通商资源部发布的最新数据显示，今年第一季度，韩国对华出口总额达288亿美元，其中半导体出口额为137.3亿美元，占对华出口总额的47%。然而，令人关注的是，韩国对华半导体出口额较去年同期的179.4亿美元下降了23.5%。这一趋势引发了广泛的关注，也暴露出中韩贸易关系中的新动向。对于半导体出口的显著下降，分析人士指出，主要有两个方面的原因。首先，

  半导体

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• 发布了文章 2025-04-24 11:32

  合成金刚石在半导体与量子领域的突破性应用

  

  合成金刚石因其在多种应用中提供极致性能的卓越能力，被誉为"超级材料"。其独特属性可深刻改变工艺流程和终端产品性能，适用于半导体、传感器和光学等广泛领域。卓越特性与应用价值电子工业主要采用化学气相沉积(CVD)法培育的合成金刚石。其碳原子以密集四面体结构排列的分子结构，赋予了无与伦比的强度与硬度。核心特性包括：·宽光谱透光性·超高导热率·宽电子带隙·优异抗热震

  GaN 半导体 金刚石

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• 发布了文章 2025-04-23 11:36

  宽带隙WBG功率晶体管的性能测试与挑战

  

  功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率晶体管的性能得到了显著提升，开启了更高效率和更快动态响应的可能性。宽带隙晶体管在现代电力系统中扮演着关键角色，包括开关电源(SMPS)、逆变器和电动机驱动器，因为

  GaN SiC 功率晶体管 宽带隙半导体

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• 发布了文章 2025-04-22 11:35

  氮化镓技术驱动的高效逆变器设计：硅与GaN器件的比较分析

  

  通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案，DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍，减少了体积和重量，同时实现了98.5%的效率。在DRS，我们设定了一个目标，即设计出改进版的2kVI车辆逆变器。在开发过程中，我们比较了基于硅的IGBT和MOSFET解决方案与最近出现的常关型E-HEMTGaN器件的性能。本

  GaN器件 氮化镓 逆变器

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