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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识,行业应用和解决方案,以及电子相关的行业资讯。

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动态

  • 发布了文章 2025-04-29 11:49

    面板驱动IC市场动态解析:策略调整与价格走势

    根据全球知名市场研究机构TrendForce的最新研究报告,今年上半年,面板行业品牌在操作策略上的调整,间接改变了面板驱动IC(DriverIC)的价格走势。这一趋势引发了业内人士的关注,尤其是在全球经济不确定性加大的背景下,面板驱动IC的市场动态尤为重要。在过去的几个月中,各大品牌厂和面板厂相继调整了备货节奏。这种调整使得库存水平逐渐回归到一个更为健康的状
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  • 发布了文章 2025-04-29 11:47

    浮思特 | 莱姆电子(LEM)高精度数字电流传感器技术解析

    在电力电子系统中,电流测量精度与可靠性直接影响系统性能。作为全球电流传感器技术领导者,莱姆电子(LEM)推出的HMSRDA系列数字传感器,通过多项专利技术创新,为现代工业与汽车电子提供了突破性解决方案。图1核心技术创新1、Σ-Δ数字调制架构莱姆电子独有的二阶Σ-Δ调制技术,实现模拟信号到数字比特流的直接转换。该技术已应用于HMSRDA系列,具备三大技术特性:
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  • 发布了文章 2025-04-28 11:28

    意法半导体收购多伦多初创公司Deeplite,助力边缘AI技术发展!

    近日,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布已成功收购加拿大多伦多的初创公司Deeplite。这一战略性收购旨在加强意法半导体在边缘人工智能(AI)技术领域的布局,并将Deeplite打造为其全资子公司,以便在未来更好地开发和推广先进的边缘AI解决方案。Deeplite成立于2019年,是一家专注于AI模型优化的软件公司。其核心技术
  • 发布了文章 2025-04-28 11:27

    浮思特 | SiC技术2025:突破性进展与产业变革

    随着电动汽车、可再生能源系统和高性能计算等新兴技术将传统硅技术推向极限,材料科学正在不断发展以满足新的性能需求。功率半导体技术面临着在多样化严苛应用中实现更高电压运行、更优热管理和更高能效的压力。图12024年,碳化硅功率电子领域取得多项重大进展,这一趋势持续至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在电子行业中,MOSFET、IGBT和肖特基二极管等开关
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  • 发布了文章 2025-04-25 11:39

    SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块:高效能、超快开关与卓越热管理

    近日,半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计,具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗,适用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电以及高效服务器电源等高性能电力电子应用。SemiQ此次发布的SiCMOSFET模块采用优化的芯片设计,相比前代产品,芯片尺寸更小
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  • 发布了文章 2025-04-25 11:34

    浮思特 | 从硅基到宽禁带:逆变器功率器件的代际跨越与选型策略

    近年来,电力电子技术取得了重大进展。从电动汽车到可再生能源系统,逆变器在直流电转换为交流电的过程中发挥着关键作用。传统上,绝缘栅双极晶体管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造体系,长期主导着逆变器设计领域。然而,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件的出现正在重塑行业格局。这些器件具有更高效率、更大功率密度、更快开关频率和更
  • 发布了文章 2025-04-24 11:33

    韩国对华半导体出口锐减23.5%,贸易逆差现象引发关注

    根据韩国产业通商资源部发布的最新数据显示,今年第一季度,韩国对华出口总额达288亿美元,其中半导体出口额为137.3亿美元,占对华出口总额的47%。然而,令人关注的是,韩国对华半导体出口额较去年同期的179.4亿美元下降了23.5%。这一趋势引发了广泛的关注,也暴露出中韩贸易关系中的新动向。对于半导体出口的显著下降,分析人士指出,主要有两个方面的原因。首先,
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  • 发布了文章 2025-04-24 11:32

    合成金刚石在半导体与量子领域的突破性应用

    合成金刚石因其在多种应用中提供极致性能的卓越能力,被誉为"超级材料"。其独特属性可深刻改变工艺流程和终端产品性能,适用于半导体、传感器和光学等广泛领域。卓越特性与应用价值电子工业主要采用化学气相沉积(CVD)法培育的合成金刚石。其碳原子以密集四面体结构排列的分子结构,赋予了无与伦比的强度与硬度。核心特性包括:·宽光谱透光性·超高导热率·宽电子带隙·优异抗热震
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  • 发布了文章 2025-04-23 11:36

    宽带隙WBG功率晶体管的性能测试与挑战

    功率电子技术的快速发展,得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步,尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比,这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率晶体管的性能得到了显著提升,开启了更高效率和更快动态响应的可能性。宽带隙晶体管在现代电力系统中扮演着关键角色,包括开关电源(SMPS)、逆变器和电动机驱动器,因为
  • 发布了文章 2025-04-22 11:35

    氮化镓技术驱动的高效逆变器设计:硅与GaN器件的比较分析

    通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案,DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍,减少了体积和重量,同时实现了98.5%的效率。在DRS,我们设定了一个目标,即设计出改进版的2kVI车辆逆变器。在开发过程中,我们比较了基于硅的IGBT和MOSFET解决方案与最近出现的常关型E-HEMTGaN器件的性能。本

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公司介绍:深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业,为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售,专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示,4大领域的方案研发,为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验,内部流程完整、组织架构清晰,服务客户超万位。有专利信息11条,著作权信息41条,是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

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