深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-04-23 11:36

  宽带隙WBG功率晶体管的性能测试与挑战

  

  功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率晶体管的性能得到了显著提升，开启了更高效率和更快动态响应的可能性。宽带隙晶体管在现代电力系统中扮演着关键角色，包括开关电源(SMPS)、逆变器和电动机驱动器，因为

  GaN SiC 功率晶体管 宽带隙半导体

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• 发布了文章 2025-04-22 11:35

  氮化镓技术驱动的高效逆变器设计：硅与GaN器件的比较分析

  

  通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案，DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍，减少了体积和重量，同时实现了98.5%的效率。在DRS，我们设定了一个目标，即设计出改进版的2kVI车辆逆变器。在开发过程中，我们比较了基于硅的IGBT和MOSFET解决方案与最近出现的常关型E-HEMTGaN器件的性能。本

  GaN器件 氮化镓 逆变器

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• 发布了文章 2025-04-21 11:57

  上汽英飞凌无锡扩建功率半导体项目 投资3.1亿元提升产能！

  

  近日，上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价(环评)公告。该项目的总投资额达到3.1亿元人民币，计划选址于无锡分公司，旨在进一步提升其生产能力，以满足日益增长的市场需求。随着全球汽车行业的快速发展，尤其是电动汽车和智能汽车的崛起，对功率半导体的需求显著增加。功率半导体是电动车和混合动力车中的重要组成部

  功率半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2025-04-21 11:56

  霍尔效应电流传感技术：开环与闭环系统的比较与应用

  

  电流传感器广泛应用于各种场合。常见的技术是电阻式电流传感，即测量分流电阻上的电压降来确定未知电流。基于分流电阻的解决方案不提供电气隔离，并且在测量大电流时功率效率较低。另一种广泛使用的技术基于霍尔效应。霍尔效应电流传感器由于其传感器与待测电流之间的电气隔离，提供了更高的安全性。它还避免了电阻式电流传感方法中使用的分流电阻产生的高功耗。在本文中，我们将了解霍尔

  开环 电流传感器 闭环系统

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• 发布了文章 2025-04-18 11:48

  台积电2025年第一季度财报出炉：营收利润略有下滑但同比大幅增长

  

  在刚刚结束的法说会上，全球领先的半导体制造公司台积电公布了2025年第一季度的财务报告。尽管该季度的营收和利润环比略有下滑，但同比数据则显示出显著的增长，整体表现符合市场预期。根据台积电的财报，第一季度的总营收和利润较上一季度有所下降，这是由于市场需求的季节性波动和全球经济环境的影响。然而，与2024年第一季度相比，营收和利润均有大幅度提升，这表明公司在整体

  半导体 台积电

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• 发布了文章 2025-04-18 11:46

  浮思特 | 肖特基二极管如何在手机系统中提高射频功率测量的准确性与效率?

  

  电流和电压确实很重要，但功率给我们提供了更完整和更有用的射频(RF)信息，原因有几个。功率提供了一种更直接和方便的方式来表征射频系统的性能、评估信号强度、优化能量传输、确保安全以及分析系统性能。在大多数射频应用中，功率测量通常比高频电流或电压测量更相关且更易于准确获取。与其他射频仪器相比，功率计在射频功率测量中提供了最高的准确性。这些仪器可以是专用的独立设备

  手机系统 测量 肖特基二极管

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• 发布了文章 2025-04-17 11:23

  SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模块，助力紧凑型高性能电源系统

  

  在高电压和高效率应用领域，SemiQ作为一家领先的设计和开发企业，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模块。这些创新模块旨在支持更为紧凑且具有成本效益的系统设计，以满足各行业对高功率密度和能效解决方案日益增长的需求。新推出的SiCMOSFET模块采用强大的平面技术制造，具备耐用的栅氧化物结构，并集成了可靠的体二极管，从而显著提升

  MOSFET SiC SiC MOSFET 电源系统

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• 发布了文章 2025-04-17 11:22

  浮思特 | NoC架构如何解决MCU设计挑战

  

  微控制器(MCU)经历了显著的变革，从基本的控制器发展为能够处理日益复杂任务的专用处理单元。它们曾经仅限于简单的命令执行，现在支持快速决策、高度安全性和低功耗操作等多种功能。MCU的角色已经扩展到各个行业，从管理工业自动化中的复杂控制系统到支持安全关键的车辆应用以及在联网设备中实现高效能运作。随着MCU承担的工作负载不断增加，传统的基于总线的互连方式已经无法

  MCU设计 NoC 微控制器

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• 发布了文章 2025-04-16 11:57

  LEM(莱姆)公司为家用电动汽车充电器扩展剩余电流监控产品线

  

  LEM公司为其CDSR系列剩余电流监控设备推出创新产品。该新品提供三种输出选项：故障输出、SPI总线和模拟输出，有效提升了交流壁挂式充电盒与充电电缆的安全性和可靠性。这款新型LEMCDSR设备为漏电流检测提供了高性价比解决方案。它能有效消除电磁干扰，协助预防性维护，增强交流电动汽车充电器的可靠性，让消费者对充电系统的安全性建立充分信任。作为B型剩余电流监测器

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• 发布了文章 2025-04-16 11:55

  浮思特 | CMOS技术原理与应用：从晶体管结构到反相器设计

  

  MOSFET在数字电路中的常见形式是互补MOS(CMOS)电路。CMOS技术将n沟道和p沟道MOSFET成对集成在同一芯片上，成为数字集成电路的主导技术，相比单独使用NMOS和PMOS晶体管具有诸多优势。发展互补MOSFET(CMOS)技术的主要动机是实现数字电路逻辑门的高速运行与低功耗。CMOS技术支持构建多种高性能模拟和数字电路，其工作原理与BJT逻辑器

  CMOS 反相器 晶体管

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