深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-05-19 11:29

  浮思特 | 电子电路下拉电阻详解：原理、计算与应用指南

  

  下拉电阻是电子电路设计中的重要组成部分，尤其在处理数字逻辑、晶体管和通信接口时。本教程将系统讲解其基本原理、计算方式、应用场景、选型要点、功耗考量，以及在晶体管和串行通信线路中的实际应用。什么是下拉电阻?下拉电阻是连接在信号线(如微控制器输入引脚或晶体管栅极)与地(GND)之间的电阻元件。其主要功能是确保当信号线无主动驱动时，能稳定维持在确定的低逻辑电平(通

  下拉电阻 电子电路 电路设计

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• 发布了文章 2025-05-16 11:09

  AI驱动半导体产业爆发式增长 2030年全球产值或突破万亿美元大关

  

  全球半导体产业正迎来新一轮增长周期。台积电全球业务资深副总经理张晓强近日透露，在人工智能(AI)技术的强劲推动下，2025年全球半导体产业同比增长率预计将超过10%。更值得关注的是，到2030年，全球半导体行业总产值有望达到1万亿美元规模，其中AI相关应用将贡献近半壁江山。2024年被业界普遍视为"AI元年"，生成式AI技术的爆发性发展对半导体产业产生了深远

  AI芯片 半导体

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• 发布了文章 2025-05-16 11:08

  浮思特 | 从IGBT到超结MOSFET：超结MOSFET成冰箱变频技术新宠

  

  目前全球每年销售约2.2亿台冰箱和冰柜，2024年市场规模约为750亿美元。预计该市场将以6.27%的年复合增长率持续增长，到2032年将达到约1200亿美元。当前冰箱压缩机驱动主要采用两种硅基技术：一种是IGBT，另一种是高压(HV)MOSFET。在这两种技术中，高压MOSFET的采用正在加速，这主要得益于两大趋势。第一个趋势是冰箱压缩机系统的变频化，通过

  IGBT MOSFET 冰箱

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• 发布了文章 2025-05-14 11:20

  PCIM 2025：面向电动汽车与工业系统的新型SiC功率器件

  

  随着全球电气化进程加速，工程师们面临着一个核心难题：如何在更紧凑的空间内实现更高功率密度，同时不牺牲散热性能与长期可靠性。无论是电动汽车、可再生能源系统还是先进工业设备，传统硅基功率器件已逼近物理极限。不断提升的开关速度、更严苛的能效要求以及日益复杂的应用场景，都在呼唤性能更强的功率半导体解决方案。为应对这些挑战，SemiQ、英飞凌、安世半导体和纳微半导体四

  SiC 功率器件 电动汽车

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• 发布了文章 2025-05-14 11:18

  SiC赋能IGBT：突破硅基极限,开启高压高效新时代

  

  自1982年由通用电气(GE)首次展示以来，基于硅材料的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在过去四十余年间经历了显著进化。虽然GE最早实现了IGBT的商业化，但东芝公司通过解决闩锁效应问题，大幅拓展了这一功率器件的商业应用版图。随后，众多厂商的加入推动该器件在电力转换和电机驱动等领域的广泛应用。时至今日，全球已有约20家主要供应商，市场规模从最初的数百万美元扩展

  IGBT SiC 硅基

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• 发布了文章 2025-05-13 11:23

  全球功率半导体市场规模缩减 比亚迪半导体首进前十

  

  2025财年第二季度，英飞凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日发布了最新财报，显示全球功率半导体市场规模已缩减至323亿美元，这一变化标志着市场格局的显著调整。在这份财报中，英飞凌尽管依然稳坐市场首位，但其市场份额同比下降了2.9个百分点，降至17.7%。这一趋势引发了业界的广泛关注，尤其是在全球经济环境不确定性加大的背景下。根据

  功率半导体 比亚迪

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• 发布了文章 2025-05-13 11:21

  半导体芯片的ESD静电防护：原理、测试方法与保护电路设计

  

  半导体芯片易受大电流与高电压现象影响。为实现元件级保护，我们采用片上ESD保护电路来提供安全的静电放电电流泄放路径。静电放电(ESD)是电子设备面临的常见威胁。当ESD事件发生时，一定量的电荷会在两个物体间转移(例如从人体到集成电路)。这种电荷转移可能导致极高电流在极短时间内流经芯片，若器件无法快速耗散能量就会造成损坏。ESD威胁贯穿产品全生命周期：在制造组

  ESD 半导体芯片 电路设计

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• 发布了文章 2025-05-08 11:09

  Nexperia推出新款汽车级SiC MOSFET，具备卓越效率与热稳定性

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且坚固的汽车级碳化硅(金属氧化物半导体场效应晶体管，SiCMOSFET)，这些新产品在RDS(on)额定值方面分别为30、40和60mΩ。这些产品在性能指标(FoM)上处于行业领先水平，之前仅提供工业级版本。随着获得AEC-Q101汽车标准认证，这些MOSFET现已适合用于多种应用场景，包括车载充电器(OBC)、电动车

  Nexperia SiC MOSFET 汽车

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• 发布了文章 2025-05-08 11:08

  基于氮化镓的碳化硅功率MOSFET高频谐振栅极驱动器

  

  对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言，优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题，而驱动电路在这些方面都起着关键作用。本文介绍了一种用于碳化硅升压转换器的氮化镓谐振栅极驱动器。该方案不仅能实现高效率，还能在高开关频率下保持良好控制的开关转换特性。谐振栅极驱动器原理转换器

  MOSFET 氮化镓 驱动器

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• 发布了文章 2025-05-07 11:15

  浮思特 | 创新烧结式温度传感器：实现功率电子器件精准温控的关键突破

  

  烧结工艺可提供更优异的电气和热性能表现。在功率电子应用中，这种直接将半导体芯片及传感器等相关无源元件固定于基板的技术，已成为焊接工艺极具吸引力的替代方案。结合碳化硅等宽禁带半导体材料的使用，该技术可使功率电子器件的工作温度突破200°C，显著超越传统焊接型硅基元件150°C的峰值温度限制。随着工作温度提升，模块整体过热风险加剧，因此实现高精度、低延迟的温度监

  温度传感器 温控 电子器件

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