深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-03-11 11:34

  智能计算新纪元：具记忆功能的晶体管问世

  

  在当今电子工业中，对更快、更高效组件的需求巨大，以满足现代计算的需要。传统晶体管正逐渐达到其物理和操作极限，它们在数据中心中消耗大量能源和空间，尤其是在需要数十亿个晶体管来存储和处理数据的场景下。随着数字数据的急剧增长，这种方法变得不可持续。来自约翰霍普金斯大学的研究团队发现了一种新型记忆电阻器(memristor)，能够拥有更丰富的记忆，提升其效率。该研究

  晶体管 智能计算 电阻器

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• 发布了文章 2025-03-07 11:11

  Marvell展示2纳米芯片3D堆叠技术，应对设计复杂性挑战！

  

  随着现代科技的迅猛发展，芯片设计面临着前所未有的挑战。特别是在集成电路(IC)领域，随着设计复杂性的增加，传统的光罩尺寸已经成为制约芯片性能和功能扩展的瓶颈。为了解决这一问题，3D堆叠技术应运而生，成为应对这些挑战的重要手段。近期，Marvell公司在这一领域取得了重大进展，展示了其采用台积电最新2纳米制程的矽智财(IP)解决方案，用于AI和云端基础设施芯片

  Marvell 台积电 芯片设计

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• 发布了文章 2025-03-07 11:10

  SiC与GaN技术专利竞争：新兴电力电子领域的创新机遇

  

  在过去十年中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势，如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作，使其特别适用于电动汽车(EV)、可再生能源系统和先进通信技术等应用。专利申请通常是一个领域研发和商业活动水平的有力指标。从图1可以看出，SiC和GaN基础的电力电子技术的专利申请趋势在过去十年

  GaN SiC 氮化镓

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• 发布了文章 2025-03-05 13:56

  三星电子成功研发量子耐性安全芯片S3SSE2A 应对未来网络安全挑战

  

  近日，三星电子系统LSI事业部宣布成功研发出一款名为S3SSE2A的安全芯片，以应对不断发展的量子电脑技术所带来的网络安全威胁。这款芯片不仅已完成样品出货准备，更在行业内率先采用了量子耐性口令(PQC)技术，标志着三星在移动产品安全领域的又一重要进展。量子计算机的快速发展正在对传统的公钥加密(PKC)技术构成严重威胁。现有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星电子 网络安全 量子芯片

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• 发布了文章 2025-03-05 13:53

  详解晶闸管工作原理，全面掌握开关控制技术

  

  晶闸管是具有双稳态行为的三端电子元件。控制端称为“门极”(G)。另外两个端子，阳极(A)和阴极(K)，与负载串联导通电流，并且能够承受高电压。这些元件被用作电子开关。简介晶闸管用于直流和交流电路中的开关和功率控制电路。与晶体管不同，大多数晶闸管的门极信号可以移除，它们仍会保持导通状态。晶闸管设计用于处理高电流和高电压，甚至超过1kV或100A。它们是具有四个

  二极管 控制电路 晶闸管 电子元件

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• 发布了文章 2025-03-04 11:44

  浮思特 | 直流(DC)电源的基础知识与应用解析

  

  直流(DC)电源是电气和电子电路中的基本组件，提供恒定的电位差，驱动单向电流流动。与周期性变化极性的交流电(AC)源不同，直流电压源保持稳定的输出，这使其在广泛的应用中不可或缺。常见的例子包括电池、太阳能电池和直流电源，它们为从小型电子设备到大型工业系统的各种设备提供能量。这些电源在为设备供电方面发挥着至关重要的作用，确保在需要稳定电压的电路中可靠运行。除了

  电子设备 直流电源

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• 发布了文章 2025-03-04 11:42

  全球化合物半导体市场预计到2030年将达250亿美元！

  

  根据YoleGroup最近公布的市场预测，全球化合物半导体市场到2030年的市场规模有望达到约250亿美元。这一预测显示了化合物半导体行业在未来几年的快速扩张潜力，特别是在汽车和移动出行领域的应用。YoleGroup指出，化合物半导体市场将在2024年至2030年间以接近13%的复合年增长率迅速增长。这一增长主要得益于多个因素的驱动，包括电动汽车的普及、智能

  SiC 化合物半导体 半导体

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• 发布了文章 2025-03-03 11:43

  SemiQ第三代SiC MOSFET：车充与工业应用新突破

  

  SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级，芯片面积缩小20%，开关损耗更低，能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业电源及电机驱动等场景打造，在热管理性能和系统集成便利性方面均有显著提升。图1核心性能亮点：•总开关损耗降低至1646微焦耳•爬电距离扩展至9毫米•栅极驱动电压优化

  MOSFET SiC 车充

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• 发布了文章 2025-03-03 11:41

  氮化镓技术推动电动汽车电源设计革新！

  

  电动汽车设计师致力于通过提升功率、缩小系统尺寸并减少散热需求，使电动汽车更轻量化、自动化，并配备更小电池。借助氮化镓(GaN)汽车级功率器件在功率转换、高频开关和热管理领域的突破性进展，电动汽车的能效、可持续性和经济性正不断提升。这些器件具备抗振动、耐高温及适应严苛环境的能力，助力动力系统设计更紧凑，车身更轻量化。GaN的卓越热管理能力降低了对庞大散热器和冷

  GaN器件 电动汽车

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• 发布了文章 2025-01-24 11:27

  台积电两工厂受地震影响，预计1至2万片晶圆报废

  

  近日，台湾半导体制造业巨头台积电遭遇了一次突发事件。据台湾媒体报道，台积电位于台南的Fab14和Fab18工厂在近期发生的地震中受损，初步估计将有1至2万片晶圆报废。本月21日零时17分，台湾嘉义县发生了一场里氏6.4级的地震。这场地震对台积电造成了不小的影响，尤其是其位于台南的先进制程产线。地震发生后，为确保人员安全，台积电迅速启动了内部安全预防措施，各厂

  半导体 台积电 晶圆

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