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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识,行业应用和解决方案,以及电子相关的行业资讯。

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动态

  • 发布了文章 2025-03-11 11:34

    智能计算新纪元:具记忆功能的晶体管问世

    在当今电子工业中,对更快、更高效组件的需求巨大,以满足现代计算的需要。传统晶体管正逐渐达到其物理和操作极限,它们在数据中心中消耗大量能源和空间,尤其是在需要数十亿个晶体管来存储和处理数据的场景下。随着数字数据的急剧增长,这种方法变得不可持续。来自约翰霍普金斯大学的研究团队发现了一种新型记忆电阻器(memristor),能够拥有更丰富的记忆,提升其效率。该研究
  • 发布了文章 2025-03-07 11:11

    Marvell展示2纳米芯片3D堆叠技术,应对设计复杂性挑战!

    随着现代科技的迅猛发展,芯片设计面临着前所未有的挑战。特别是在集成电路(IC)领域,随着设计复杂性的增加,传统的光罩尺寸已经成为制约芯片性能和功能扩展的瓶颈。为了解决这一问题,3D堆叠技术应运而生,成为应对这些挑战的重要手段。近期,Marvell公司在这一领域取得了重大进展,展示了其采用台积电最新2纳米制程的矽智财(IP)解决方案,用于AI和云端基础设施芯片
  • 发布了文章 2025-03-07 11:10

    SiC与GaN技术专利竞争:新兴电力电子领域的创新机遇

    在过去十年中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势,如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作,使其特别适用于电动汽车(EV)、可再生能源系统和先进通信技术等应用。专利申请通常是一个领域研发和商业活动水平的有力指标。从图1可以看出,SiC和GaN基础的电力电子技术的专利申请趋势在过去十年
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  • 发布了文章 2025-03-05 13:56

    三星电子成功研发量子耐性安全芯片S3SSE2A 应对未来网络安全挑战

    近日,三星电子系统LSI事业部宣布成功研发出一款名为S3SSE2A的安全芯片,以应对不断发展的量子电脑技术所带来的网络安全威胁。这款芯片不仅已完成样品出货准备,更在行业内率先采用了量子耐性口令(PQC)技术,标志着三星在移动产品安全领域的又一重要进展。量子计算机的快速发展正在对传统的公钥加密(PKC)技术构成严重威胁。现有的加密算法,如RSA和ECC等,在面
  • 发布了文章 2025-03-05 13:53

    详解晶闸管工作原理,全面掌握开关控制技术

    晶闸管是具有双稳态行为的三端电子元件。控制端称为“门极”(G)。另外两个端子,阳极(A)和阴极(K),与负载串联导通电流,并且能够承受高电压。这些元件被用作电子开关。简介晶闸管用于直流和交流电路中的开关和功率控制电路。与晶体管不同,大多数晶闸管的门极信号可以移除,它们仍会保持导通状态。晶闸管设计用于处理高电流和高电压,甚至超过1kV或100A。它们是具有四个
  • 发布了文章 2025-03-04 11:44

    浮思特 | 直流(DC)电源的基础知识与应用解析

    直流(DC)电源是电气和电子电路中的基本组件,提供恒定的电位差,驱动单向电流流动。与周期性变化极性的交流电(AC)源不同,直流电压源保持稳定的输出,这使其在广泛的应用中不可或缺。常见的例子包括电池、太阳能电池和直流电源,它们为从小型电子设备到大型工业系统的各种设备提供能量。这些电源在为设备供电方面发挥着至关重要的作用,确保在需要稳定电压的电路中可靠运行。除了
  • 发布了文章 2025-03-04 11:42

    全球化合物半导体市场预计到2030年将达250亿美元!

    根据YoleGroup最近公布的市场预测,全球化合物半导体市场到2030年的市场规模有望达到约250亿美元。这一预测显示了化合物半导体行业在未来几年的快速扩张潜力,特别是在汽车和移动出行领域的应用。YoleGroup指出,化合物半导体市场将在2024年至2030年间以接近13%的复合年增长率迅速增长。这一增长主要得益于多个因素的驱动,包括电动汽车的普及、智能
  • 发布了文章 2025-03-03 11:43

    SemiQ第三代SiC MOSFET:车充与工业应用新突破

    SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级,芯片面积缩小20%,开关损耗更低,能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业电源及电机驱动等场景打造,在热管理性能和系统集成便利性方面均有显著提升。图1核心性能亮点:•总开关损耗降低至1646微焦耳•爬电距离扩展至9毫米•栅极驱动电压优化
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  • 发布了文章 2025-03-03 11:41

    氮化镓技术推动电动汽车电源设计革新!

    电动汽车设计师致力于通过提升功率、缩小系统尺寸并减少散热需求,使电动汽车更轻量化、自动化,并配备更小电池。借助氮化镓(GaN)汽车级功率器件在功率转换、高频开关和热管理领域的突破性进展,电动汽车的能效、可持续性和经济性正不断提升。这些器件具备抗振动、耐高温及适应严苛环境的能力,助力动力系统设计更紧凑,车身更轻量化。GaN的卓越热管理能力降低了对庞大散热器和冷
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  • 发布了文章 2025-01-24 11:27

    台积电两工厂受地震影响,预计1至2万片晶圆报废

    近日,台湾半导体制造业巨头台积电遭遇了一次突发事件。据台湾媒体报道,台积电位于台南的Fab14和Fab18工厂在近期发生的地震中受损,初步估计将有1至2万片晶圆报废。本月21日零时17分,台湾嘉义县发生了一场里氏6.4级的地震。这场地震对台积电造成了不小的影响,尤其是其位于台南的先进制程产线。地震发生后,为确保人员安全,台积电迅速启动了内部安全预防措施,各厂
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企业信息

认证信息: 浮思特科技

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地址:沙河西路3011号c区1栋4楼

公司介绍:深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业,为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售,专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示,4大领域的方案研发,为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验,内部流程完整、组织架构清晰,服务客户超万位。有专利信息11条,著作权信息41条,是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

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