深圳市浮思特科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-05-14 11:18

  SiC赋能IGBT：突破硅基极限,开启高压高效新时代

  

  自1982年由通用电气(GE)首次展示以来，基于硅材料的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在过去四十余年间经历了显著进化。虽然GE最早实现了IGBT的商业化，但东芝公司通过解决闩锁效应问题，大幅拓展了这一功率器件的商业应用版图。随后，众多厂商的加入推动该器件在电力转换和电机驱动等领域的广泛应用。时至今日，全球已有约20家主要供应商，市场规模从最初的数百万美元扩展

  IGBT SiC 硅基

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• 发布了文章 2025-05-13 11:23

  全球功率半导体市场规模缩减 比亚迪半导体首进前十

  

  2025财年第二季度，英飞凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日发布了最新财报，显示全球功率半导体市场规模已缩减至323亿美元，这一变化标志着市场格局的显著调整。在这份财报中，英飞凌尽管依然稳坐市场首位，但其市场份额同比下降了2.9个百分点，降至17.7%。这一趋势引发了业界的广泛关注，尤其是在全球经济环境不确定性加大的背景下。根据

  功率半导体 比亚迪

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• 发布了文章 2025-05-13 11:21

  半导体芯片的ESD静电防护：原理、测试方法与保护电路设计

  

  半导体芯片易受大电流与高电压现象影响。为实现元件级保护，我们采用片上ESD保护电路来提供安全的静电放电电流泄放路径。静电放电(ESD)是电子设备面临的常见威胁。当ESD事件发生时，一定量的电荷会在两个物体间转移(例如从人体到集成电路)。这种电荷转移可能导致极高电流在极短时间内流经芯片，若器件无法快速耗散能量就会造成损坏。ESD威胁贯穿产品全生命周期：在制造组

  ESD 半导体芯片 电路设计

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• 发布了文章 2025-05-08 11:09

  Nexperia推出新款汽车级SiC MOSFET，具备卓越效率与热稳定性

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且坚固的汽车级碳化硅(金属氧化物半导体场效应晶体管，SiCMOSFET)，这些新产品在RDS(on)额定值方面分别为30、40和60mΩ。这些产品在性能指标(FoM)上处于行业领先水平，之前仅提供工业级版本。随着获得AEC-Q101汽车标准认证，这些MOSFET现已适合用于多种应用场景，包括车载充电器(OBC)、电动车

  Nexperia SiC MOSFET 汽车

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• 发布了文章 2025-05-08 11:08

  基于氮化镓的碳化硅功率MOSFET高频谐振栅极驱动器

  

  对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言，优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题，而驱动电路在这些方面都起着关键作用。本文介绍了一种用于碳化硅升压转换器的氮化镓谐振栅极驱动器。该方案不仅能实现高效率，还能在高开关频率下保持良好控制的开关转换特性。谐振栅极驱动器原理转换器

  MOSFET 氮化镓 驱动器

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• 发布了文章 2025-05-07 11:15

  浮思特 | 创新烧结式温度传感器：实现功率电子器件精准温控的关键突破

  

  烧结工艺可提供更优异的电气和热性能表现。在功率电子应用中，这种直接将半导体芯片及传感器等相关无源元件固定于基板的技术，已成为焊接工艺极具吸引力的替代方案。结合碳化硅等宽禁带半导体材料的使用，该技术可使功率电子器件的工作温度突破200°C，显著超越传统焊接型硅基元件150°C的峰值温度限制。随着工作温度提升，模块整体过热风险加剧，因此实现高精度、低延迟的温度监

  温度传感器 温控 电子器件

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• 发布了文章 2025-05-06 14:08

  新型IGBT和SiC功率模块用于高电压应用的新功率模块

  

  近日，英飞凌、三菱和Navitas分别推出了多款新型功率模块，旨在提升电动汽车及工业应用的效率和可靠性。这些优化的模块不仅能够降低能量损失，还能在极端环境下稳定运行，标志着电力电子技术的又一次进步。英飞凌发布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特别针对400V和800V电动汽车架构的电驱动系统。其EDT3系列模块适用于750V和1200V的电力系统，相

  IGBT SiC 高电压

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• 发布了文章 2025-05-06 14:03

  AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架构

  

  本文将聚焦AI对数据中心架构的影响，以及这些变化对服务器和机架技术的意义。具体而言，我们将探讨转向48V架构如何提升数据中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何应用于服务器、机架及相关设备以支持这一架构演进。数据中心与电力当前数据中心约占全球总用电量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直观来看，届时全球数据中心的整体用电量将与当今印度全国的电力消耗规模相当

  AI MOSFET 人工智能

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• 发布了文章 2025-04-30 11:54

  芯联集成2024年营收65.09亿元：SiC业务领跑亚洲

  

  近日，国内半导体龙头芯联集成发布2024年全年业绩公告。数据显示，公司全年实现营业收入65.09亿元，其中主营业务收入62.76亿元，同比增长27.8%;归母净利润大幅减亏超50%，毛利率首次转正至1.03%，标志着公司经营质量显著提升。作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)的产业化进展备受关注。芯联集成在SiCMOSFET领域表现亮眼，出货量稳居亚洲市

  SiC 半导体

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• 发布了文章 2025-04-29 11:49

  面板驱动IC市场动态解析：策略调整与价格走势

  

  根据全球知名市场研究机构TrendForce的最新研究报告，今年上半年，面板行业品牌在操作策略上的调整，间接改变了面板驱动IC(DriverIC)的价格走势。这一趋势引发了业内人士的关注，尤其是在全球经济不确定性加大的背景下，面板驱动IC的市场动态尤为重要。在过去的几个月中，各大品牌厂和面板厂相继调整了备货节奏。这种调整使得库存水平逐渐回归到一个更为健康的状

  IC 面板驱动

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