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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识，行业应用和解决方案，以及电子相关的行业资讯。

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动态

  • 发布了文章 2023-10-09 14:21

    如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器

    额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此，高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器，这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说：“你总是可以使用标准栅极驱动器，但你必须用额外的电路来补充它，通常这就是权衡。”
    IGBT MOSFET SiC 半导体
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  • 发布了文章 2023-10-09 14:20

    如何使用万用表测试 IGBT

    通过目视检查、测量电气参数、评估栅极驱动和开关特性以及在应力条件下进行测试，可以识别潜在故障。然而，这种万用表测试只能提供有关 IGBT 功能的有限信息。为了对 IGBT 进行更全面的评估，建议进行栅极驱动测试、开关性能分析等额外测试。
    IGBT 万用表 测试
    1k浏览量

  • 发布了文章 2023-10-08 15:24

    SiC 和 GaN：两种半导体的发展

    在元件层面，硅 IGBT 比 SiC 同类产品便宜得多，并且不会很快从电力应用中消失。但一级制造商和原始设备制造商表示，将高功率密度碳化硅应用到逆变器设计中，可以降低系统级成本，因为需要更少的组件，从而节省了空间和重量。
    GaN SiC 氮化镓 碳化硅 第三代半导体
    693浏览量

  • 发布了文章 2023-10-07 11:34

    GaN技术：电子领域的下一波浪潮

    GaN技术正在电力电子领域崭露头角，受到了广泛的关注和投资。这一前沿技术在汽车、消费电子和航空航天等领域，特别是在功率转换应用中，展现了巨大的潜力。这将有助于满足全球减排压力，推动更高效的电力转换和电气化，为未来的电子器件设计师提供了全新的可能性。
    GaN 氮化镓 电动汽车
    489浏览量

  • 发布了文章 2023-09-28 11:31

    英飞凌、TI、NXP等芯片大厂最新市场行情

    芯片市场一直备受瞩目，2023年马上过去的9月的市场情况也吸引了广泛的关注。9月芯片市场行情仍在缓慢复苏，需求大多集中在汽车领域，消费类物料则因库存充足需求疲软，导致部分产品价格倒挂。
    NXP ti 芯片 英飞凌
    2.1k浏览量

  • 发布了文章 2023-09-28 11:23

    碳化硅（SiC）需求迎来指数级增长

    由于政府对气候变化的要求以及可能更重要的是消费者需求呈指数级增长，汽车原始设备制造商（OEMs）计划将电池电动车型转为未来10至15年主要销售的汽车。这种电气化转型正日益定义了汽车动力半导体的整体市场需求。最初，汽车动力半导体市场主要由硅IGBT和MOSFET主导，而SiC和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体的机会仅限于早期采用者，如特斯拉。
    MOSFET SiC 碳化硅
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  • 发布了文章 2023-09-27 10:26

    新能源汽车充电市场的三大趋势

    这三大趋势将推动电动汽车充电市场的发展，为更快速、更高效的充电解决方案提供了新的可能性，有望在全球范围内促进电动汽车的普及。向更高电压架构的过渡有望提高性能并缩短充电时间，同时监管举措将支持快速充电设施的部署。这些趋势有望为电动汽车产业的未来带来积极影响，推动电动汽车的发展。
    充电 新能源汽车 汽车充电桩 电动汽车
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  • 发布了文章 2023-09-26 14:12

    BC电池将取代TOPCon电池？

    BC电池与TOPCon技术的竞争前景 1.上下游产业链发展 BC电池的发展需要整体产业链的协同发展。目前，BC技术的设备和材料等相关产业链还需要进一步完善，其产能受到限制。而TOPCon技术规划的产能已达到1000GW，并且各环节的产业链已经相对成熟。 2.市场应用范围 BC电池更适用于对审美要求高、价格敏感度低的中高端分布式家居和工商业市场。
    充电 电动汽车 电池
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  • 发布了文章 2023-09-26 12:03

    新能源汽车无线充电技术的应用

    电动汽车的无线充电系统通常分为三种类型： 1. 固定式：这种系统类似于传统的插入式充电器，提供“停车和充电”以及其他便利功能。车辆上的接收板与街道上的充电板取代了传统的充电线缆。 2. 范围动态：范围内充电设备可以放置在公共交通站点、出租车站和交通信号灯附近，以为电动汽车提供短期充电。这种方式在不断变化的环境中提供灵活的充电解决方案。
    新能源 无线 汽车无线充电 电动汽车
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  • 发布了文章 2023-09-25 17:56

    SiC MOSFET逆变器的创新应用

    碳化硅逆变器将有助于驾驶员更快地为电动汽车充电，减轻消费者对续航里程的焦虑。由于SiC具有更高的工作温度和更快的开关速度，因此它是用于快速充电解决方案的理想半导体材料，尤其适用于涉及大电流和快速切换的交流到直流充电系统，因此需要良好的热管理。至于硅基氮化镓器件（GaN），虽然其高达200千赫兹的开关速度使其适用于电动汽车充电器和转换器，但目前其可制造性仍然存
    GaN MOSFET 电动汽车 逆变器
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企业信息

认证信息： 浮思特科技

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公司介绍：深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业，为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售，专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示，4大领域的方案研发，为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类：新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验，内部流程完整、组织架构清晰，服务客户超万位。有专利信息11条，著作权信息41条，是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

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