开关损耗 - 电子发烧友网

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

2023-11-23 09:08:34

MOS管的开关损耗计算

MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。

2023-07-23 14:17:00

MOS管的开关损耗计算

CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。

2023-07-17 16:51:22

IGBT导通损耗和开关损耗

从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。导通损耗和开关损耗大概1:2

资料下载 rstech_rd 2023-02-23 09:26:49

matlab中mos管开通损耗和关断损耗,终于明白了！开关电源中MOS开关损耗的推导过程和计算方法...

和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...

资料下载胡政鹏邮箱 2021-10-22 17:35:59

开关损耗原理分析

一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关

资料下载 Arvinhw 2021-10-22 10:51:06

功率MOSFET的开关损耗分析

功率MOSFET的开关损耗分析。

资料下载姚小熊27 2021-04-16 14:17:02

寄生电感对IGBT开关损耗测量平台的搭建

MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。

资料下载 2017-09-08 16:06:52

异步降压转换器的导通开关损耗

图1所示为基于MAX1744/5控制器IC的简化降压转换器，具有异步整流功能。由于二极管的关断特性，主开关（Q1）的导通开关损耗取决于开关频率、输入环路的走线电感（由C1、Q1和D1组成）、主开关

2023-03-10 09:26:35

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。

2023-02-24 11:51:28

DC/DC评估篇损耗探讨-同步整流降压转换器的开关损耗

上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。

2023-02-23 10:40:49

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著这两大优势。

2023-02-08 13:43:22

开关电源功率MOSFET开关损耗的2个产生因素

开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。

2023-01-17 10:21:00

集成高侧MOSFET中的开关损耗分析

图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图

飞毛腿452 2022-11-16 08:00:15

PFC MOSFET的开关损耗测试方案

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?

2022-10-19 10:39:23

开关损耗测试方案中的探头应用

，热损耗极低。开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是开关电源中最为重要的一个损耗点，课件开关损耗测试是至关重要的。接下来普科科技PRBTEK就开关损耗测试方案中的探头应用进行介绍。上图使用MSO5配合THDP0200及TCP003

2021-11-23 15:07:57

准确测量开关损耗的几个方式

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？一、开关损耗

罕井雅直 2021-11-18 07:00:00

开关损耗包括哪几种

kingnet_520888 2021-10-29 07:10:32

如何更加深入理解MOSFET开关损耗？

如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？

73723fsdfw 2021-04-07 06:01:07

【干货】MOSFET开关损耗分析与计算

本帖最后由张飞电子学院鲁肃于 2021-1-30 13:21 编辑本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子

张飞电子学院鲁肃 2021-01-30 13:20:31

驱动器源极引脚是如何降低开关损耗

在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。

2020-07-17 17:47:44

减少开关损耗电源设计小技巧——软开关的选择与设计

坏该开关器件。　　由于硬开关存在以上缺点，限制了开关器件工作频率的提高，在软开关技术出来之前，功率开关器件的开关损耗是很大的。为了弥补硬开关工作的不足，提出了软开关技术。　　软开关技术的原理　　所谓

我在线中 2019-08-27 07:00:00

如何准确的测量开关损耗

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？

2019-06-27 10:22:08

怎样准确测量开关损耗

一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？

2019-06-26 15:49:45

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有

727634sf 2018-11-27 16:37:30

MOS开关损耗计算

如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流

吴友尧 2018-10-11 10:21:49

讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗

在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关

liuyongwangzi 2018-06-05 09:39:43

基于CMM下开关损耗和反激开关损耗分析以及公式计算

1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。

2018-01-13 09:28:57

开关损耗测试在电源调试中重要作用

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？

2017-11-10 08:56:42

MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？

本帖最后由小小的大太阳于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？

小小的大太阳 2017-05-31 10:04:51

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