电子发烧友网站提供《采用SOT-23封装的高亮度白光LED驱动器TPS61165-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:40:23
0 电子发烧友网站提供《采用WSON和SOT-23封装的TPS61165高亮度白光LED驱动器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:39:140 放大机构，对压电叠堆的输出位移进行放大，同时该结构采用交替驱动的方式以提高驱动器定子的驱动效率。使用方波信号作为激励信号，定子驱动足通过摩擦力驱动导轨运动，对该电机的输出性能进行测试，同时得到激励电机
2024-03-08 17:38:14
为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件
2024-03-08 08:22:30
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电子发烧友网站提供《TFT-LCD双高压扫描驱动器TPS65193数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 13:35:440 Microchip近日宣布推出一款创新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器，该驱动器采用了Augmented Switching™专利技术，进一步扩展了其mSiC解决方案系列，为高压SiC电源模块的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成 万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压
2024-03-01 16:57:54318 慧能泰特别推出了HP3000双通道低侧驱动器，采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封装形式，支持高达35 V的供电耐压。
2024-02-21 09:23:00329 
TOSHIBA（东芝）TPD4163K是一款采用高压PWM控制的直流无刷电机驱动器。它采用高压SOI工艺制造。它是用于电流传感的三分流电阻电路。它包含电平移位高侧驱动器、低侧驱动器、IGBT输出
2024-01-31 11:41:34113 
电子发烧友网站提供《封装外形图34引线功率四平面无引线（PQFN）塑料封装介绍.pdf》资料免费下载
2024-01-31 10:04:170 特性
• 用于变压器的推挽式驱动器• 宽输入电压范围：2.25V 至36 V
• 高输出驱动：5V 电源时可达1.5A
• 低 RON，4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
• 超低 EMI
2024-01-29 17:15:55
特性
• 用于变压器的推挽式驱动器• 宽输入电压范围：2.25V 至36 V
• 高输出驱动：5V 电源时可达1.5A
• 低 RON，4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
• 超低 EMI
2024-01-12 16:08:17
必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 请问什么是长线驱动器，它的原理是什么，信号传输时采用什么方式，推挽单端还是差分？常见的常见驱动器厂家推荐
2024-01-06 17:35:42
2104全桥驱动电路原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号，实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测电路。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器：
2024-01-05 16:11:041106 特性
• 用于变压器的推挽式驱动器• 宽输入电压范围：2.25V 至36 V
• 高输出驱动：5V 电源时可达1.5A
• 低 RON，4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
• 超低 EMI
2024-01-04 17:37:19
上电时mos源-地电压
inp低电平时mos源-地电压
inp高电平时mos源-地电压
开关部分原理图
问题：1.请问这4v左右的电压是否正常？是否栅级驱动器已经损坏？（换用多个均是这种
2024-01-04 06:44:25
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
ADC驱动器用于调理输入信号，并充当信号源与SAR ADC开关电容输入之间的低阻抗缓冲器。ADAQ798x的ADC驱动器采用“两全其美”的办法，不仅具备信号链集成优势，而且提供设计灵活性，支持很多
2023-12-11 07:50:39
Littelfuse 推出FDA117光隔离光伏驱动器，可产生浮动电源，是各行各业隔离开关应用的绝佳选择。
2023-12-05 16:39:01475 电子发烧友网站提供《高压隔离栅极驱动器ADuM4121/ADuM4121-1数据手册.pdf》资料免费下载
2023-11-28 10:52:480 上工作，必须使用专用的驱动器。步进驱动器的原理是采用单极性直流电源供电，只要对步进电机的各相绕组按合适的时序通电，就能使步进电机步进转动。步进电机驱动器一般需要接脉
2023-11-14 08:07:32926 
伺服电机控制一个排线收卷装置，不知道是不是排线交接地方带电的原因，操作工说一到交接的地方伺服电机就会马上停止下来，而伺服驱动器是直接断电了，伺服驱动器也接地了，不知道怎么解决，想问一下大家
2023-11-14 07:02:16
。初始分析是对的，即保险一再熔断，驱动器肯定存在某一不正常的大电流，并检查出一功率管损坏。但对该管的作用没有弄清楚。实际上该管为步进电机电源驱动管，步进电机为高压起动，因而要承受高压大电流。静态检查
2023-11-09 07:50:35
可以通过串口直接控制步进电机驱动器吗
2023-10-18 07:20:07
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 具有广泛的保护功能，可增强系统的安全性和可靠性。当驱动器温度高于内置热折返保护触发点时，AL1697开始降低输出电流。
特性
两种内部高压MOSFET选项：用于超级结的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
大部分驱动器都是脉冲控制，怎么通过电压控制驱动器
2023-10-12 06:00:22
步进电机的半步驱动是由驱动器来设置的吗
2023-10-11 06:52:18
超低功耗STM32L011x3/4系列包括7种不同封装类型的设备从14到32个引脚。以下描述概述了该家族中提出的外围设备。
这些功能使超低功耗STM32L011x3/4微控制器适用于
广泛
2023-10-09 07:06:47
伺服驱动器中可以集成多少种电机驱动控制电路？
2023-10-08 07:07:48
51单片机和2H45B驱动器线连接 怎么连接是直接驱动器的脉冲、方向、使能与51单片机的I/O连接吗
新手求学谢谢大家
2023-10-07 06:30:04
一：概述
根据市场需求，开发一款 16 路高压 NMOS 漂移栅开漏输出，降低成本，适用于 LED 流星灯装饰领域。
二：特点
★CMOS 5V 工作
★封装形式兼容 DM134
★NMOS 漂移栅开漏输出，耐压 20V，输出电流 40mA
★内置流星灯模式,无需外控,实现流星灯效果
★内置稳压管
2023-09-25 06:45:08
在很多地方都会用到驱动器，但是驱动器是个整体的概念，简单的说驱动器是驱动某类设备的驱动硬件。比如说电脑以及其他的工业设备或者是工具上，都会用到驱动器。本文重点介绍下驱动器是什么，以及电机驱动器是什么。
2023-09-18 10:00:291439 本技术笔记为采用 HLGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供 PCB设计和焊接工艺的通用指南。
2023-09-13 08:03:50
驱动器类应用场景，特别是高压场景，通常使用输出滤波器来达到现场应用需求。
2023-09-08 16:17:43683 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
关节模组伺服驱动基于STM32G4解决方案的优势 • STM32G4芯片体积9X9 mm • 内嵌MOS管前级驱动，省去外部3个驱动芯片PCB布局 • 完全满足高性能伺服驱动控制主芯片资源 • 低成本
2023-09-06 08:06:24
本技术笔记为采用 HLGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供 PCB 设计和焊接工艺的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
本技术笔记为采用 LGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
% 负载
集成两个8mΩ 功率 MOSFET
使用 PWM 信号或模拟信号动态编程输出电流和输出电压
可调开关频率
使用电阻频率抖动
良好的 EMI 性能
集成2A MOSFET 门驱动器
综合保护功能
2023-08-16 11:33:09
电子发烧友网站提供《用于背光AP3156高压实现发光二极管驱动器应用.pdf》资料免费下载
2023-07-26 15:49:180 电子发烧友网站提供《DGD2101高压栅极驱动器IC.pdf》资料免费下载
2023-07-24 15:55:430 LED驱动器将电源更改为特定电压电流以驱动LED电压转换器。一般来说，LED驱动器的输入包括高压工频交流电（即城市用电）、低压直流电、高压直流电、低压直流电和高频交流电（如电子变压器的输出
2023-07-04 16:38:263213 纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
采用了GaNSense™技术的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast™功率IC，适用于更高功率的应用
2023-06-16 11:12:02
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-06-16 10:05:18674 
。PI不断推出各种新产品，持续满足风能、光伏以及高压直流输电、轨道交通等应用领域的碳中和需求。 ▋为新能源应用量身定制的并联门极驱动器 王皓介绍说，PI的
2023-06-02 16:12:06887 
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IG
2023-05-12 15:46:12
电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换
2023-05-12 15:40:44
配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 S
2023-05-12 15:34:44
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37
配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 S
2023-05-12 15:16:27
封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 10:31:25
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOS
2023-05-12 10:14:25
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFE
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:20:45
我们正在使用 PTN38007 评估板/DFP，我将发生器连接到转接驱动器的 TX1 引脚，将示波器连接到 RX1 引脚，但示波器中没有信号。我已将操作模式更改为 USB3 等，但没有用。
我
2023-05-12 06:47:03
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:37:32
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC M
2023-05-11 16:51:03
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-11 16:46:09
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO
2023-05-11 16:44:08
高速风筒专用电机驱动芯片是一款高压、高速功率
MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参
考输出通道。高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压
兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成
2023-05-10 10:05:20
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商业级DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工业级 DDR4
2023-04-24 08:08:20
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573 CMD291P4产品简介Qorvo 的 CMD291P4 是一款宽带 GaAs MMIC 驱动放大器，采用无引线 4x4 毫米表面贴装封装。该宽带设备的工作频率范围为 16 至 24 GHz，非常
2023-04-20 11:47:12
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。ADuM4135提供米勒箝位
2023-04-19 16:13:20
MASWCC0010GaAs 吸收式，单电源MACOM 的 MASWCC0010 是一款带有集成 TTL 驱动器的 SP4T 吸收式 pHEMT 开关。该器件采用 MLP 塑料表面贴装封装。该开关
2023-04-17 13:48:58
4月12日，上海——纳芯微电子（以下简称“纳芯微”，科创板股票代码688052）今日宣布推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列，包括NLC5301/2/3/4共四款器件。其中NLC5301
2023-04-13 15:22:28
CMD169P4产品简介Qorvo 的 CMD169P4 是一款射频/微波 GaAs MMIC 驱动放大器，采用无引线 4x4 毫米塑料表面贴装 (SMT) 封装。CMD169P4 非常适合小尺寸
2023-04-13 13:23:38
高速、高压、高压侧栅极驱动器
2023-03-28 18:24:31
单通道驱动器
2023-03-28 18:24:30
三相桥式驱动器
2023-03-28 18:24:30
自振荡半桥驱动器
2023-03-28 18:24:30
8路高压源极驱动器
2023-03-28 15:13:06
IR21814类似的驱动芯片直接驱动MOS管，该电路具有驱动简单，成本低，PCB占用面积小等优点，在我司产品中得到广泛的应用。但是，所采用的LLC谐振拓扑来说，驱动频率在195K~360K之间变化
2023-03-28 11:42:481746 
过冲和瞬时过电压对IGBT的影响。 被动泄放电阻：车辆在下高压后，为了保证安全，需要通过泄放电阻把电机控制器内电容的电量放掉。 铜排：铜排在电机驱动器内部分为直流和交流铜排，直流铜排是连接直流高压
2023-03-23 15:45:33
自振荡半桥驱动器
2023-03-23 04:51:18
电子发烧友App
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