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电子发烧友网>RF/无线>射频功率晶体管耐用性的验证

射频功率晶体管耐用性的验证

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焊接后的晶振耐用性和灵活性为什么没预期好

  焊接后的晶振耐用性和灵活性为什么没预期好?松季电子解答如下:  首先需经检查,进行原因分析:元器件自身质量良好,其所在电路也一切正常,所以只能是焊接加工过程有问题,仔细观察后发现受损晶体管
2014-03-17 15:15:06

用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管

的高可靠,EPC 公司已经宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗辐射功率晶体管器件。EGaN 晶体管采用钝化模具形式,图像由 EPC 提供新产品利用 GaN 白光栅材料实现高电子迁移率和低温系数。该
2022-06-15 11:43:25

电子晶体管在结构和应用上的区别

电子产品中,近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代,但目前在一些高保真音响器材中,仍然使用电子作为音频功率放大器件。  而晶体管是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08

英飞凌700瓦L波段射频功率晶体管

  导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26

请问如何在ADS的库中添加新的射频晶体管

你好。请问如何在ADS的库中添加新的射频晶体管(sp2和非线性模型)?编辑:vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03

迄今为止最坚固耐用晶体管—氮化镓器件

晶体管”。  伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。  如今,氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36

飞思卡尔推出射频功率LDMOS晶体管

2011年9月9日,德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向U
2011-09-13 18:25:061179

最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774

RF功率晶体管耐用性验证方案

本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301

耐用型大功率LDMOS晶体管介绍

  本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515

射频功率晶体管耐用性验证

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461

如何验证RF功率晶体管耐用性

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-12-07 17:53:08354

检验RF功率晶体管耐用性测试方案

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-03-18 15:53:16947

如何验证射频功率晶体管耐用性

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2020-08-20 18:50:000

如何提高RF功率晶体管耐用性验证方案详细说明

能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性晶体管时,重要的是
2020-08-14 18:51:000

如何才能提高RF功率晶体管耐用性

 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2020-08-12 18:52:000

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422

MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书

MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530

MRF422射频功率晶体管规格书

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2023-07-24 14:24:070

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