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浅析如何减少射频载波对语音质量干扰的方法

2019年03月18日 11:35 次阅读

目前,音频放大器受射频强电场干扰的机会是越来越多。许多音频放大器在设计时并没有考虑到高频信号干扰问题,因此很容易将射频载波信息解调进音频频带中,从而造成射频干扰。

对GSM来说这个问题尤其突出,因为GSM采用了时分复用多址技术,多部电话可以与基站同时通信。GSM话机以217Hz的调频频率突发传送数据,因此形成了217Hz调制的强电场。这些话机中的放大器要么必须抑制217Hz的射频载波调制包络,要么必须采取适当的电磁屏蔽措施将此电场屏蔽掉。连接放大器和音源的输入导线起着天线的作用,很容易拾取发射机的射频信号,从而使该射频信号成为放大器输入信号的一部分。因为900MHz的射频波长为30cm,因此一段7.5cm长的导线(理论上)将成为一个高效率的四分之一波长天线(相对于900MHz)。3.5cm的四分之一波长天线也很容易拾取到1.9GHz的GSM发射信号。而PCB上的信号导线长度一般非常接近这一频率范围信号的四分之一波长,因此音频放大器很容易接收到高频干扰信号。

浅析如何减少射频载波对语音质量干扰的方法

可以采用以下方法来减少射频噪声影响:

* 将音频放大器集成到基带器件中

这样做可以缩短音源和放大器之间的路径,使得放大器的输入导线不再成为GSM发射频率的有效天线,这样射频干扰也就形不成音频噪声。但在基带IC中使用的低成本耳机放大器一般声音质量较差。因为耳机中的放大器是由单电源供电的,因此在将放大器输出信号连接到耳机扬声器时必须使用隔直流电容。这个电容不仅占用电路板空间,还会降低低频响应性能,并增加音频失真。

另外,耳机放大器的集成还会使敏感的模拟电路更靠近噪声较高的数字电路,从而使得放大器的正确接地变得更加困难。

* 优化电路板设计

通过仔细地设计电路版图来确保良好的音质和较低的射频敏感性。将放大器的输入导线布放在两个地平面之间,从而实现与外部射频电场的隔离。为了降低由输入导线形成的天线的效率,可以将走线长度控制在远小于最高射频频率的四分之一波长。

另外,放大器的供电回路也能拾取射频信号。电路板设计师通常使用旁路电容来减少电源上的噪声,但在射频频率点上,这类电容的自感会降低它们的旁路效果。图中给出了1?F和10pF陶瓷电容的阻抗频率特性。在音频频率范围内,1?F电容对地有更小的阻抗,因此能够提供更好的噪声抑制。但在1MHz以上时,其自感的作用开始胜过电容的作用,因此阻抗开始增加。通常需要在1?F电容旁并联一个10pF电容,后者就可以旁路掉1?F电容在GSM频率范围内的自感。

* 采用不受射频影响的音频放大器

这也许是最简单的解决方案,在一些情况下无需增加成本和电路板设计的复杂性就能解决问题,比如MAX9724耳机放大器就不容易受射频电场的干扰。

综上所述,在某些情况下一般只需采用上述的某一技术,但有时尚嫌不足。如果联合运用不易受射频影响的放大器和优化的电路版图设计,就可以确保能够消除射频噪声的干扰,即使在最恶劣的环境中也没有问题。

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ADF7010 高性能ISM频段ASK/FSK/...

ADF7021-V 高性能窄带收发器IC

和特点 高性能、低功耗、窄带收发器 增强性能版 ADF7021-N, 带外部VCO 利用外部VCO的频带范围:80 MHz至960 MHz 与ADF7021-N相比,邻道功率(ACP)和邻道抑制(ACR)性能得到提升 可编程中频滤波器带宽:9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK、MSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 数据速率:0.05 kbps至24 kbps 电源电压:2.3 V至3.6 V 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7021-V是一款基于 ADF7021-N的高性能、低功率、窄带RF收发器,其架构与ADF7021-N相似,不同之处在于片内RF频率合成器采用了一个外部VCO,适合要求提高相位噪声性能的应用。ADF7021-V可在免执照ISM频段以及80 MHz至960 MHz特许执照频段内工作。为了尽量降低RF馈通和杂散发射,外部VCO以2倍或4倍的所需RF频率工作;ADF7021-V最高支持1920 MHz的VCO工作频率。可通过在RF频率合成器环路外部进行额外的片内二分频来对4倍VCO工作进行编程,提高相位噪声性能。与ADF7021-N接收器一样,ADF7021-V支持9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽,因而成为全球窄带遥测...

发表于 2019-02-22 15:04 0次阅读
ADF7021-V 高性能窄带收发器IC

ADF7021 高性能窄带ISM收发器IC

和特点 低功耗、高性能、窄带收发器 频段:80-650MHz和862-940MHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 自动PA斜坡 支持的数据速率:0.05 kbps至25 kbps 可编程输出功率:-16dBm至+13dBm 低中频架构,可编程中频带宽:12.5/18.5/25kHz 2.3V至3.6V电源供电 接收机灵敏度:-123dBm (1kbps FSK) 全自动频率控制环路(AFC)补偿容差较低的晶振 高精度数字RSSI和集成Tx/Rx开关产品详情 ADF7021是一款低功耗、高度集成的2FSK/3FSK/4FSK收发器。该器件可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和862 MHz至940 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种数据滤波选项,用以改善窄带应用的频谱效率。它适合符合以下标准或法规的电路应用:欧洲ETSI EN 300-220标准、日本ARIB-T67标准、中国近程设备管理法规以及北美FCC Part 15、Part 90和Part 95监管标准。ADF7021只需少量外部分立器件便可构建一个完整的收发器,因此非常适合对价格和电路板面积敏感的应用。发射部分包含一个电压控制振荡器(VCO)和一个输出分辨率<1 ppm的低噪声小数N分频PL...

发表于 2019-02-22 12:18 0次阅读
ADF7021 高性能窄带ISM收发器IC

ADRF6602 1,000 MHz至3,100...

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围:1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB:+12 dBm 输入IP3:+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数:12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造,提供40引脚、裸露...

发表于 2019-02-22 12:17 14次阅读
ADRF6602 1,000 MHz至3,100...

ADRF6603 1,100 MHz至3,200...

和特点 集成小数N分频PLL的Rx混频器 RF输入频率范围:1100 MHz至3200 MHz 内部LO频率范围:2100 MHz至2600 MHz 输入P1dB:14.6 dBm 输入IP3:27 dBm 通过外部引脚优化输入IP3 SSB 噪声系数IP3SET引脚开路:14.2 dB IP3SET引脚3.3 V:15.2 dB 电压转换增益:6.9 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB 带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),用于内部混频器LO的产生。ADRF6603与ADRF6602共同构成了一个集成PLL/混频器系列,涵盖2100 MHz至2600 MHz频率范围。PLL基准输入支持12 MHz至160 MHz范围内的输入频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。环路滤波器输出再施加于一个集成式VCO。VCO输出(2× fLO)施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分...

发表于 2019-02-22 12:17 16次阅读
ADRF6603 1,100 MHz至3,200...

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB G...

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...

发表于 2019-02-22 12:16 21次阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB G...

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置...

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...

发表于 2019-02-22 12:16 30次阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置...

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...

发表于 2019-02-22 12:15 0次阅读
AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 ...

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...

发表于 2019-02-22 12:14 0次阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 ...

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模...

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...

发表于 2019-02-22 12:14 12次阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模...

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至...

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...

发表于 2019-02-22 12:13 0次阅读
AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至...

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0...

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...

发表于 2019-02-22 12:12 24次阅读
ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0...

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP...

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...

发表于 2019-02-22 12:10 26次阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP...

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相...

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...

发表于 2019-02-22 12:07 14次阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相...

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、G...

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...

发表于 2019-02-22 12:06 18次阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、G...

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有...

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...

发表于 2019-02-22 12:06 11次阅读
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有...

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/...

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...

发表于 2019-02-22 12:06 22次阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/...

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、...

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...

发表于 2019-02-22 12:06 24次阅读
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、...

ADRF6601 750 MHz至1160 MH...

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

发表于 2019-02-22 12:06 31次阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MH...

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3...

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...

发表于 2019-02-22 12:06 18次阅读
ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3...

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX...

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

发表于 2019-02-22 12:05 21次阅读
ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX...

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 ...

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...

发表于 2019-02-22 12:05 17次阅读
HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 ...

无线模块在AI与物联网应用中的发展

同时,运营商和开发人员密切关注蜂窝无线技术的进步,以便为物联网 (IoT) 提供低成本、可靠且可扩展...

发表于 2019-02-22 08:58 714次阅读
无线模块在AI与物联网应用中的发展

赛灵思Zynq UltraScale + RFS...

赛灵思 RFSoC 产品系列,是行业唯一一款可满足当前及未来行业需求的单芯片自适应射频平台。

发表于 2019-02-22 08:35 1654次阅读
赛灵思Zynq UltraScale + RFS...

高通已推出第二代5G调制解调器和射频前端解决方案

Qualcomm推出的第一代5G调制解调器和射频前端引领了全球5G部署。如今,第二代5G调制解调器和...

发表于 2019-02-21 17:53 1869次阅读
高通已推出第二代5G调制解调器和射频前端解决方案

射频GaN需求飙升,专利申请战全面启动

RF GaN已被工业公司认可并成为主流。从知识产权的角度来看,美国和日本主导着整个RF GaN知识产...

发表于 2019-02-21 10:26 500次阅读
射频GaN需求飙升,专利申请战全面启动

TI的15.4射频通信堆栈及云端解决方案

TI 15.4 协议栈,以及低功耗远距离传感器到云端解决方案介绍

发表于 2019-02-21 06:07 240次阅读
TI的15.4射频通信堆栈及云端解决方案

温室气体传感器用于进行精确监测气候变化

本文着眼于可以使用和将要使用的传感器技术衡量和报告发生的微妙(而不是微妙)气候变化。这包括用于测量实...

发表于 2019-02-20 08:09 650次阅读
温室气体传感器用于进行精确监测气候变化

射频传输线基础知识讲解

传输线的作用和基本概念是基础,实际上,在射频领域有许多理论,这里尽可能减少数学推导来理解这些概念和应...

发表于 2019-02-19 14:04 478次阅读
射频传输线基础知识讲解

进入了5G时代哪些射频器件厂商提前走了一步

如今,多家电信运营商、基站(Base Station)制造商、小型基站(Small Cells)制造...

发表于 2019-02-17 11:46 2993次阅读
进入了5G时代哪些射频器件厂商提前走了一步

基于无线射频标签技术可实现超快速传输

无线射频识别系统与读取器及标签搭配后,可通过无线电波(射频识别,radio waves)实现数据通信...

发表于 2019-02-17 10:24 566次阅读
基于无线射频标签技术可实现超快速传输

5G射频前端市场蓬勃发展 GaN的优势异常明显

目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基...

发表于 2019-02-14 10:49 845次阅读
5G射频前端市场蓬勃发展 GaN的优势异常明显

小型移动设备上的多频段混合平衡天线的设计方案

小型用户设备的天线设计多年来一直依赖于不平衡设计的使用 - 通常是单极天线和倒L天线的巧妙变体。随着...

发表于 2019-02-14 08:29 464次阅读
小型移动设备上的多频段混合平衡天线的设计方案

如何从无线电波中进行能量收集

电力的无线传输经常会提出Nicola Tesla的图像以及他在一个世纪前的无线电力传输工作。众所周知...

发表于 2019-02-14 08:28 457次阅读
如何从无线电波中进行能量收集

业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模...

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆...

发表于 2019-02-11 15:59 1288次阅读
业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模...

离散RF探测器的功能与应用介绍

无处不在的检测RF功能通常集成在单片无线电收发器和片上系统(SoC)中。然而,离散RF探测器在许多低...

发表于 2019-02-06 10:30 746次阅读
离散RF探测器的功能与应用介绍

模块化物联网的应用开发与设备解决方案

但是,满足每种解决方案的需求往往需要重新考虑开发方式。开发人员不仅要满足应用的基本要求,还要应对将不...

发表于 2019-02-06 09:59 708次阅读
模块化物联网的应用开发与设备解决方案

国内外RF MEMS厂商大盘点 5G对我国的RF...

射频微机电系统(RF MEMS)是MEMS技术的重要应用领域之一,也是二十世纪九十年代以来MEMS领...

发表于 2019-02-04 16:54 632次阅读
国内外RF MEMS厂商大盘点 5G对我国的RF...

射频工程师必备测量技术基础!

N型连接器常用在测试仪器上,因为它们非常耐用,可以处理高功率,能够很好地工作在高达18GHz的频率下...

发表于 2019-02-04 10:53 273次阅读
射频工程师必备测量技术基础!

滤波器是射频系统中必不可少的关键部件之一

滤波器是射频系统中必不可少的关键部件之一,主要是用来作频率选择——让需要的频率信号通过而反射不需要的...

发表于 2019-01-29 15:21 1930次阅读
滤波器是射频系统中必不可少的关键部件之一

5G网络的发展趋势与应用解决方案

近两年业界谈论最多的话题除了人工智能,就是5G了。5G网络会有更宽的带宽、更高的网络容量及吞吐量,但...

发表于 2019-01-26 08:19 363次阅读
5G网络的发展趋势与应用解决方案

03:应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

本次会议将介绍恩智浦成熟的射频产品解决方案,广泛应用于DAS和小型基站,功率范围从0.5W、10W到...

发表于 2019-01-21 07:10 142次阅读
03:应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

窄带物联网和射频前端器件的机遇和挑战

随着中国5G时代的到来,本文讨论了其中的一个重要的发展方向:窄带物联网应用 (CatM/NB-IoT...

发表于 2019-01-20 10:30 711次阅读
窄带物联网和射频前端器件的机遇和挑战

GaN步步紧逼,LDMOS路在何方?

在射频和功率应用中,氮化镓(GaN)技术正在变得日益盛行。

发表于 2019-01-19 10:33 881次阅读
GaN步步紧逼,LDMOS路在何方?

将物联网平台和系统应用到可穿戴设备设计中

可穿戴设备将在物联网领域占据相当大的份额。 基于传感器并以无线方式连接的可穿戴设备,正从科幻剧《星际...

发表于 2019-01-17 08:02 579次阅读
将物联网平台和系统应用到可穿戴设备设计中

探究射频芯片的工作原理与行业发展现状

旺材芯片日前,工信部部长苗圩表示,在2019年我国将会进行5G的商业推广,并且有部分地区将会发放临时...

发表于 2019-01-16 08:48 2699次阅读
探究射频芯片的工作原理与行业发展现状

混音器在射频接收器设计中主要起到什么作用

混频器是超外差(超级)接收器架构中RF信号链的关键阶段。它允许接收器在感兴趣的宽频带上进行调谐,然后...

发表于 2019-01-16 08:11 754次阅读
混音器在射频接收器设计中主要起到什么作用

5G即将爆发 智能手机射频器件发展趋势预测

5G时代,手机射频器件将会有哪些新的发展趋势,近日电子创新网等专访了Qorvo亚太区移动事业部市场战...

发表于 2019-01-11 15:09 2035次阅读
5G即将爆发 智能手机射频器件发展趋势预测

射频前端模块构成及其供应链

终端设备的无线通信模块主要分为射频前端模块(RFFEM)、射频收发模块、以及基带信号处理器三部分。其...

发表于 2019-01-10 15:18 2856次阅读
射频前端模块构成及其供应链

依图科技发布语音开放平台 联袂微软、华为撬动语音...

本文来源:腾讯科技 12月11日,人工智能公司依图科技公布了在中文语音识别技术上的最新突破。在全球最...

发表于 2019-01-10 14:05 405次阅读
依图科技发布语音开放平台 联袂微软、华为撬动语音...

02:应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

本次会议将介绍恩智浦成熟的射频产品解决方案,广泛应用于DAS和小型基站,功率范围从0.5W、10W到...

发表于 2019-01-08 07:08 473次阅读
02:应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

本次会议将介绍恩智浦成熟的射频产品解决方案,广泛应用于DAS和小型基站,功率范围从0.5W、10W到...

发表于 2019-01-07 07:06 390次阅读
应用于DAS和小型基站的射频产品解决方案

罗森伯格陪你做车载 ——车载射频高速连接器之趋肤...

罗森伯格高压产品大客户经理周同昌先生解读了关于电磁屏蔽测试的理论知识和三同轴测试系统,文章受到了大家...

发表于 2019-01-04 18:02 3525次阅读
罗森伯格陪你做车载 ——车载射频高速连接器之趋肤...

射频前端的成本伴随着LTE网络逐步提升

提及射频前端,相信不少朋友对射频前端还不太了解。它是射频收发器和天线之间的一系列组件,主要包括功率放...

发表于 2019-01-03 11:26 2035次阅读
射频前端的成本伴随着LTE网络逐步提升

罗德与施瓦茨、iBwave和Anokiwave这...

5G的商业推广工作即将展开。作为射频和微波测试和测量设备的全球市场和技术的领先者,罗德与施瓦茨的产品...

发表于 2018-12-27 16:53 3449次阅读
罗德与施瓦茨、iBwave和Anokiwave这...

SilTerra开发MEMS-on-CMOS平台...

SilTerra一直在开发其MEMS-on-CMOS平台,并将其扩展到新的应用,例如:医疗和指纹传感...

发表于 2018-12-23 14:20 1013次阅读
SilTerra开发MEMS-on-CMOS平台...