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ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,它可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,它可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。
作为存储器前沿技术,ReRAM未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍。
ReRAM其实就是一种忆阻器模型,是一种能够描述电荷和磁通之间关系的全新元件,也是一种具有记忆功能的非线性电阻,不仅可以记忆流经自身的电荷数量,也可以通过控制激励源的电流或者磁通来改变自身的阻值大小,并且这种阻值变化可以在断电下继续保存相当长的一段时间。
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