NLAS5223B 模拟开关双SPDT 0.5欧姆

NLAS5223B是采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件是双独立单刀双掷（SPDT）开关，具有0.5欧姆的超低RON，VCC = 3.0 V。该器件还具有保证断路前（BBM）开关，确保开关不会使驱动器短路。 / div>

特性
超低RON，0.5欧姆，VCC = 3.0 V
NLAS5223B接口采用2.8 V芯片组，NLAS5223BL接口采用1.8 V芯片组
单电源供电从1.65到4.5 V
完全0到VCC信号处理能力
高离子通道隔离，低待机电流，50 nA，低失真，RON平坦度为0.15欧姆

应用	终端产品
手机音频模块扬声器和Earph一开关振铃音/芯片/放大器切换调制解调器	手机

技术文档

数据手册（1）相关资料（4）

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