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1Mbit国产SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介绍

2021年09月28日 16:29 次阅读

SRAM是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM虽然速度较快,不需要刷新的动作,但是也有缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下:

•优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。

•缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。

本篇文章主要介绍一款1Mbit存储国产SRAM芯片EMI501NL16VM-55I

伟凌创芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先进的全CMOS工艺技术制造,位宽64Kx 16位,电源电压为2.7V~3.6V,支持三态输出和TTL兼容和工业温度范围和芯片级封装,以实现系统设计的用户灵活性。还支持低数据保持电压,以实现低数据保持电流电池备份操作。封装采用标准的44TSOP2。

异步低功耗SRAM通常具有较低的访问速度,Taa在55ns或70ns。这类SRAM将功耗,特别是待机电流(Isb1, Isb2)降到了最低,以满足移动设备的要求。典型的Icc可以达到1mA且Isb1/Isb2降到1uA的水平。这类存储器在消费电子、、POS、打印机、手机、汽车医疗设备等领域有着广泛的应用。

1Mbit存储国产SRAM芯片系列

Part Number Density Org. VCC Access TImes Temp. Package
EMI501HB08PM45I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 45ns -40~85℃ 32SOP
EMI501HB08PM-55I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 55ns -40~85℃ 32SOP
EMI501NL16VM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI501NL16LM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48BGA

责任编辑:tzh

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