日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60kW/L，这一数值达到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
2360 
德州仪器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频
2018-03-12 10:44:0010404 TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421 %-100% 负载下 η =>95% • 基于 CCM GaN 的图腾柱无桥 PFC 级，峰值效率 >99%，通过具有集成式驱动器的 LMG341x GaNFET 实现 • 峰值
2020-06-22 18:22:03
的 FET 和栅极驱动器。GaN FET 的开关速度比硅质 FET 快得多，而将驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感，并且可优化开关性能以降低功率损耗，从而有助于设计人员减小散热器的尺寸。节省的空间
2018-10-31 17:33:14
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
通电阻非常低，仅70mΩ，这款门驱动器内置了降压/升压转换器，从而可以产生负电压来关闭GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率级器件的一个关键优点是在硬切换时控制转换速率，这种控制对于抑制
2019-07-16 00:27:49
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC变换器设计
2023-06-21 07:35:15
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
部件：具有输入（滚轮）和输出（GaN驱动器）的Hercules控制器，以及功率调节：具有输入 (LaunchPad) 和输出（灯泡）的GaN驱动器。 图4：硬件模块对于固件来说也是如此。一个状态机管理
2018-06-01 11:31:35
新应用，产生了对超高效率、高功率密度、高频SiC功率转换器的需求。车载牵引电机驱动器希望获得最高功率密度以减小尺寸和重量，并刷新新的效率记录，而车外快速充电器希求高电压（高达2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著
2018-10-17 15:39:59
推荐课程：张飞软硬开源：基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器（视频+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量与体积，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的 PSoC? 6 Pioneer套件。PSoC 6 WiFi-BT Pioneer套件适合物联网 (IoT) 应用及可穿戴设备，可用于开发使用高性能Cypress 6 微控制器的Wi-Fi应用。 贸泽
2018-09-21 11:51:15
模块。这些设计平台目 前针对战略客户而推出，代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
领域的客户进行接洽，探讨宽温度范围和辐射方面的应用。 TI也将努力开发出全新类型的转换器、电机驱动和系统。 LMG5200与众不同之处 LMG5200原型机由一个高频驱动器和两个半桥配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
7. Fly-Buck隔离电源和Fly-Back的电路比较高功率密度GaN伺服驱动器的设计 采用TI氮化镓和电容隔离方案设计的伺服驱动器如图8所示。LMG3410是集成了驱动的GaN FET功率级芯片
2019-03-14 06:45:08
此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在稳定的 950kHz 开关频率下，可达到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高频谐振转换器谐振频率为 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽车中，飞行时间（TOF）通常用于确定范围。LIDAR的精度和分辨率取决于各种因素，包括开关频率和激光信号的清晰度。短脉冲激光是皮质的，以确保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驱动器演示
2019-11-11 15:48:09
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN单级解决方案——采用TPS53632G 无驱动器脉宽调制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半桥功率级（驱动器和GaN FET在同一集成电路上）——功率密度高，负载瞬态响应速度
2019-07-29 04:45:02
的 OBC。特性96.5% 系统效率3.8kW/L 功率密度支持 GaN 技术的高工作频率（500kHz 至 800kHz）经驱动器集成优化的 GaN用于 PFC 和 CLLLC 的单个 TMS
2022-08-15 10:22:18
LMG3410 单通道 GaN 功率级包含一个 70-mΩ、600-V GaN 功率晶体管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封装的专用驱动器。直接驱动架构用于创建常关器件，同时提供 GaN 功率晶体管
2022-04-12 14:11:49
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升压从动器PFC通过调整来提高低线效率总线电压新的SR VCC供电电路简化了复杂性和在高输出电压下显著降低驱动损耗条件新型GaN和GaN半桥功率ic降低开关损耗和循环能量，提高系统效率显著提高了
2023-06-16 09:04:37
。这些优势正是当下高功耗高密度系统、服务器和计算机所需要的，可以说专家所预测的拐点已经到来！时下，多个厂商正在大量的生产GaN器件，这些GaN器件正在被应用于工业、商业甚至要求极为严格的汽车领域的电力
2019-06-21 08:27:30
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流输入和满载情况下效率可达 98.7%TI LMG3410 GaN 功率级具有集成式驱动器和保护功能，可确保电路可靠性并简化设计使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
如何利用高速ADC设计用于汽车的LIDAR系统？
2021-05-17 06:28:04
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术…
2022-11-16 06:23:29
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度无刷电机驱动器参考设计。订购具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R栅极驱动器的DRV8323RH三相智能栅极驱动评估模块。
2017-08-21 14:21:03
怎么测量天线辐射下空间中某点的电磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
有谁知道贸泽电子卖的运放里面有假货吗？
2020-06-06 15:40:23
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个Hercules微控制器来驱动它。图1
2022-11-17 06:56:35
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程师大家好，初入电子领域，目前在研究高频驱动电路，在高频栅极驱动芯片的选型上遇到了难题，目前有没有比TI的LMG1020，更适合小功率高频驱动的栅极驱动芯片或者有没有推荐的搜索网站，希望各位大佬指点一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷达（光距离和范围探测）参考设计展示了一款低侧纳秒 (ns) 级 GaN 栅极驱动器 LMG1020，该驱动器能够驱动 FET 产生功率超过 100W 的 1ns 激光光脉冲。主要特色电路
2018-10-17 15:38:45
Hercules微控制器来驱动它。图1显示的是将用来驱动LMG5200的Hercules模块。
图1：具有死区发生器的Hercules PWM模块
GaN与Hercules功率级是天生的一对儿。它们在工业和汽车
2018-08-31 07:15:04
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
驱动器，采用基于传感器的梯形控制。本设计采用 TI 的 MOSFET 电源块技术，将两个采用半桥配置的 FET 集成到一个 SON 5x6 封装中，从而实现极高的功率密度。本设计使用两个并联的电源块，可以
2018-11-01 16:34:29
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中红外激光功率密度探测单元的研制
摘要:采用室温光导型ＨｇＣｄＴｅ探测器，研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元，主要包括衰减片、探测器
2010-04-28 16:05:36
10 Micrel推出具最高功率密度的降压稳压器MIC22950
MIC22950是麦瑞半导体(Micrel)的10A全集成同步降压稳压器，该公司高功率密度系列降压稳压器的创新产品
2010-04-03 08:41:01921 
适合空间受限应用的最高功率密度、多轨电源解决方案
2016-01-04 17:40:200 宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。
2017-12-29 10:40:006493 本报告对德州仪器LMG5200器件进行详细的逆向分析，包括器件设计、封装技术、制造工艺、成本和价格预估等。这是我们第一发现带有驱动器的半桥氮化镓场效应晶体管（GaN FET）设计，并采用先进的多芯片封装技术（PCB带有嵌入式通孔和倒装芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考设计，快速开始氮化镓设计。
2018-03-16 14:10:436146 电子发烧友网为你提供TI(ti)LMG1020相关产品参数、数据手册，更有LMG1020的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LMG1020真值表，LMG1020管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-11-02 18:33:05
本文介绍了LMG1020主要特性，框图和典型应用电路图以及高压评估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框图，电路图，材料清单和PCB设计图。
2019-04-05 11:02:006111 
此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善
2020-06-30 08:00:000 此激光雷达（光距离和范围探测）参考设计展示了一款低侧纳秒级 GaN 栅极驱动器 LMG1020，该驱动器能够驱动 FET 产生功率超过 100W 的 1ns 激光光脉冲。
2020-07-23 08:00:0020 机电元件集成来减小系统体积 我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。 首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 的散热
通过机电元件集成来减小系统体积
我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。
首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据
2022-01-14 17:10:261733 功率密度的方法，这些方法在以前并不可能实现，如今能满足世界日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。
为何选择GaN？
当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，
2021-12-09 11:08:161428 
(MOSFET)，因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能，使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术（如碳化硅）不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:52792 
。EPC21601 是一款单芯片加 eGaN® FET 驱动器，采用 EPC 专有的 GaN IC 技术，采用芯片级 BGA 外形尺寸，尺寸为 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 功率密度基础技术简介
2022-10-31 08:23:243 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:213715 基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
集成驱动器可减小解决方案尺寸，实现功率密集型系统。同时，集成降压/升压转换器意味着 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非稳压电源下工作，从而显著降低对偏置电源的要求。
2023-02-06 14:29:32274 作为一种宽带隙晶体管技术，GaN正在创造一个令人兴奋的机会，以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑功率密度的方法，这些方法在以前并不可能实现，如今能满足世界日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。
2023-04-07 09:16:45575 
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41963 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体技术高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
MASTERGAN4介绍ST推出世界首款集成半桥驱动IC和一对氮化镓（GaN）的MASTERGAN产品平台。该解决方案可用于最高400W以下的一代消费性电子、工业充电器，以及电源转接器
2022-11-21 16:14:24510 
该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。
2023-06-30 09:58:50263 Allegro 在行业盛事慕展期间发布氮化镓（GaN）隔离栅极驱动器AHV85110，这是Allegro Power-Thru产品系列的首次发布，AHV85110能够提供2倍功率密度，以及更简单
2023-07-13 16:05:02416 
电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:04166 
通过GaN电机系统提高机器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580
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