华邦HyperRAM与SpiStack助力瑞萨RZ/A2M微处理器加速构建嵌入式AI系统

　　2021-07-08中国苏州 —— 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子于今日宣布，正式确认华邦HyperRAM™ 和 SpiStack® （NOR+NAND） 产品能够与瑞萨基于Arm® 内核的RZ/A2M 微处理器 （MPU） 搭配使用。华邦长期向瑞萨供应各类外部存储器，其中包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash等嵌入式系统的主流内存产品，RZ/A2M的用户也因此受益。

 

　　瑞萨RZ/A2M微处理器适用于人机界面（HMI），尤其是带有摄像头的HMI应用。RZ/A2M还支持广泛应用于移动设备的移动产业处理器接口（MIPI），并配备了用于高速图像处理的动态可配置处理器（DRP）。

　　RZ/A2M具备两个以太网通道，并且能够通过加密硬件加速器提升安全性能。因此，RZ/A2M 可实现安全可靠的高速网络连接，广泛应用于消费电子产品和工业设备的图像识别。

　　华邦HyperRAM是嵌入式AI和图像处理分类的理想选择。HyperRAM在保证电子电路足够小的同时可提供高存储和数据带宽，以支持图像识别等计算密集型工作负载。此外，SpiStack使设计人员可以以最微小型的系统设计灵活地将代码存储在NOR芯片中，并同时将数据存储在NAND芯片中。

　　以下是瑞萨RZ/A2M微处理器搭载华邦HyperRAM、SpiStack的嵌入式AI系统配置示例：

　　

　　· 华邦HyperRAM：可作为工作内存使用，更适合AIoT设备的嵌入式AI和图像处理应用。

　　· 华邦SpiStack （NOR+NAND）：NOR 芯片存储RZ/A2M 的启动代码和应用程序代码，NAND芯片可存储嵌入式AI学习数据和相机图像等多个大型数据。

　　· 瑞萨RZ/A2M：使用移动产业处理器接口（MIPI）摄像头和动态可配置处理器（DRP）来高速执行嵌入式AI成像应用。

　　华邦产品性能

　　HyperRAM 运行的最大频率为200MHz，可在3.3V或1.8V的工作电压下提供400MB/s的最大数据传输速率。HyperRAM在运行与混合睡眠模式下，均可提供超低功耗。以华邦的64Mb HyperRAM为例，在室温下，1.8V 待机功耗为 70uW。值得一提的是，HyperRAM 在1.8V 混合睡眠模式下的功耗只有35uW。此外，HyperRAM 只有13个信号引脚，这大大简化了PCB设计。当设计师设计成品时，MPU上的更多引脚可用于其他目的，设计师也可使用更少引脚的MPU 以获得更高经济效益。

　　华邦SpiStack （NOR+NAND） 将NOR芯片和NAND芯片堆叠到一个封装中，例如 64Mb Serial NOR和1Gb QspiNAND芯片堆叠，使设计人员可以灵活地将代码存储在 NOR 芯片中，并将数据存储在NAND芯片。此外，虽然是两个芯片 （NOR+NAND） 的堆栈，但单一封装的SpiStack，在使用上仅需6个信号引脚。

　　SpiStack通过简单的软件芯片选择命令 （C2h） 和指定的芯片ID实现切换工作芯片。其最高时钟频率可达104MHz，在Quad-SPI下，等同于416MHz。此外，SpiStack（NOR+NAND）支持并发操作（concurrent operation），当某颗芯片在执行写入/擦除时，另一颗芯片可以同时进行写入/擦除/读取，反之亦然。

　　瑞萨电子企业基础设施事业部副总裁加藤茂树表示：“随着嵌入式AI系统变得越来越复杂，使用搭载外部存储器的RZ/A2M可支持应用程序代码或训练模型不断增加的数据量。现在RZ/A2M已经确定搭载华邦的HyperRAM 与SpiStack内存，客户可以一次性获得涵盖RAM与Flash的华邦外部内存，并且可以毫无顾虑地使用我们的产品。”

　　华邦日本产品营销及应用工程副总三村直己表示：“采用华邦的HyperRAM和SpiStack （NOR+NAND）可以减少PCB上的内存安装面积、导线数量和BOM成本。 两种封装尺寸均仅有8x6mm ， 其中有13个信号引脚用于HyperRAM，6个用于SpiStack （NOR+NAND）。 与传统的SDRAM和并行NOR/NAND相比，华邦HyperRAM和SpiStack的封装尺寸和终端数量都减少了80%左右。搭载于瑞萨RZ/A2M，用户可享受华邦提供的整体内存解决方案。”