其实早在2002年Intel即发现了这一技术,一直处于试验演示阶段,现在终于把它变成了现实,Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
的内部结构,可以在内部工作原理中引导和直流电,以调节它们并将它们带到需要的地方。晶体管就是其中之一。8050型晶体管是一种非常特殊的器件,被归类为负-正-负(NPN)外延放大器晶体管,最常见于无线电
2023-02-16 18:22:30
为书架箱设计的胆味晶体管功放的PCB板
2009-03-16 08:33:56
数据中心是什么:数据中心是全球协作的特定设备网络,用来在因特网络基础设施上传递、加速、展示、计算、存储数据信息。数据中心大部分电子元件都是由低直流电源驱动运行的。数据中心的产生致使人们的认识从定量
2021-07-12 07:10:37
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性:就三极管,mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊,请各位大侠指点!!!
2016-06-07 23:27:44
晶体管低频放大器晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器,频率从几十赫到一百千赫左右一、晶体管的偏置电路为了使放大器获得线性的放大作用,晶体管不仅须有一个合适的静态工作点,而且必须使
2021-06-02 06:14:09
情况,需要检查实际使用状态,并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为安全使用晶体管,请务必作为参考。判定前:晶体管的选定~贴装的流程1. 晶体管的选定从Web、Shortform产品目录
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标,是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作,必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统,该系
2012-08-02 23:57:09
的集电极除被控对象外,没有连接任何其他的电路或元件,因此也将晶体管的这种连接方式称为集电极开路。另外,在晶体管开关电路中,晶体管处于饱和状态,使得开关导通。当晶体管关断时(晶体管从饱和状态恢复到截止
2017-03-28 15:54:24
一、晶体管如何表示0和1 从第一台计算机到EDVAC,这些计算机使用的都是电子管和二极管等元件,利用这些元件的开关特性实现二进制的计算。然而电子管元件有许多明显的缺点。例如,在运行时产生的热量
2021-01-13 16:23:43
一、晶体管开关电路:是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路,此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时,由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
,发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。正常时,锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R×100档测,电阻值大于2kΩ),锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数?有的器件有放大倍数改变的参数。另外,不同的仿真模型参数不同如何改变?
2014-02-28 08:42:03
晶体管测量模块的基本特性有哪些?晶体管测量模块的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
晶体管温控电路图如图是晶体管组成的继电器延时吸合电路。刚接通电源时,16μF电容上电压为零,两个三极管都截止,继电器不动作。随着16μF电容的充电,过一段时间后,其上电压达到高电平,两个三极管都导通,继电器延时吸合。延时时间可达60s。延时的时间长短可通过10MΩ电阻来调节。
2008-11-07 20:36:15
`非常不错的晶体管电路设计书籍!`
2016-11-08 14:12:33
2.1.1 5倍的放大 2.1.2 基极偏置电压 2.1.3 基极-发射极间电压为0.6V 2.1.4 两种类型的晶体管 [hide]晶体管电路设计.pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。 晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。 h 参数
2021-05-13 07:56:25
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
(电阻器)组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此,晶体管也俗称"石",设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求,ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
不同分类角度,有几种不同的分类方法。在这里,从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中,本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中,分功率型和小信号型,IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET(以Nch为例)是相同N型的源极与漏极间流过电流,而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流,也就是与双极晶体管相同。因此,具有MOSFET的栅极
2020-06-09 07:34:33
发展。正因为它如此地丰富了人们的生活,就其贡献度而言,作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士,当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之,晶体管为
2019-07-23 00:07:18
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
得到了晶体管的h参数后,就可以画出晶体管的线性等效电路,图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路,应注意以下几点: (1)电压的参考极性为上正下负,电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
发展。正因为它如此地丰富了人们的生活,就其贡献度而言,作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士,当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之,晶体管为
2019-05-05 00:52:40
之间)和发射结(B、E极之间),发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同,晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
/2N5551、S8050/S8550等型号。选用时应根据应用电路具体要求而定。 后级功率放大电路中使用的互补推挽对管,应选用大电流、大功率、低噪声晶体管,其耗散功率为100~200W,集电极最大电流为
2012-01-28 11:27:38
偏、集电结正偏,就是晶体管的倒置放大应用)。要理解晶体管的饱和,就必须先要理解晶体管的放大原理。从晶体管电路方面来理解放大原理,比较简单:晶体管的放大能力,就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力
2012-02-13 01:14:04
,晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 (以 NPN 管为例) 共射极输出特性表达式为:。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于 晶体管的三个工作状态(饱和、放大和截止)。 a
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。输入级和输出
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF,航空
2018-07-17 15:08:03
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板(即 MSP-EXP430G2ET)获取电源 (3.3V) 时,该程序有效。但是当我使用外部电源 (8.33V) 为
2024-01-22 06:00:31
求大神相助,Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那,当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
) 电流放大以下分析仅适用于NPN硅晶体管。如上图所示,我们将流向基极 B 流向发射极 E 的电流称为基极电流 Ib;从集电极C流向发射极E的电流称为集电极电流Ic。这两个电流的方向都是从发射极流出
2023-02-08 15:19:23
电压和电流的方向相反,电子和空穴的作用颠倒了。PNP晶体管使用Veb来控制从发射极区域通过基区入射到集电极区域的正电子,而NPN晶体管使用Vbe来控制从发射极区域通过基区进入集电极区域的负电子。此外,在
2023-02-15 18:13:01
晶体管引线中的电子流产生电流。当微小电流流过其基极时,PNP晶体管接通。在PNP晶体管中,电流从发射极传递到集电极。PNP晶体管的字母表示晶体管的发射极、集电极和基极所需的电压。PNP晶体管的基极始终
2023-02-03 09:44:48
众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替,MFR151管子能用哪个来代替?或是谁有这两个高频管子的原件库?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
用multisim仿真高频振荡器,晶体管集电极输出为12v,哪位高手帮我看看
2019-01-14 22:50:32
了他提出的晶体管密度计算公式,用以规范晶体管密度的通用衡量标准,以此厘清当前业内制程节点命名乱象,这也是英特尔不懈的坚持和努力,将有助于更加容易地比较不同厂商之间的技术。介绍22FFL的功耗和性能
2017-09-22 11:08:53
及其应用。
什么是晶体管
晶体管是电子设备。它是通过p型和n型半导体制成的。当半导体放置在相同类型半导体之间的中心时,这种排列称为晶体管。我们可以说晶体管是两个二极管的组合,它是背靠背连接的。晶体管是一种
2023-08-02 12:26:53
设计芯片和智能设备产品时,却不得不考虑其影响。 芯片里程表 明尼苏达大学电气工程教授Chris H. Kim早在10多年前就开始对晶体管老化对芯片和电子系统的影响开始进行研究和试验。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
光电器件相关联,其特点是响应速度快(响应时间为数十皮秒),适合集成。这些类型的器件有望应用于光电集成。》 双极晶体管双极晶体管是音频电路中常用的一种晶体管。双极性是由两种半导体材料中的电流流动引起的。双极晶体管
2023-02-03 09:36:05
晶体管通道完全闭合;二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟,正在先行研发一种有前景的替代材料:GaN。从光学角度看,GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
晶体管。让我们更深入地了解NPN和PNP晶体管的操作。当从晶体管基极向发射极提供足够的电流时,NPN晶体管导通。为了使电流流入NPN晶体管的基极,基极必须连接到正电压,发射极必须连接到负电压。当足够的电流
2023-02-03 09:50:59
的基极和发射极之间连接放电电阻,可以减少这种延迟。然而,由于这种滞后时间,达林顿不太适合高频应用。 达林顿晶体管的饱和电压也更高,硅的饱和电压通常为0.7v DC,而不是约0.2v DC。这有时会导致
2023-02-16 18:19:11
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件,即不受单个平面的限制。它也被称为3D,因为具有第三维度。 为避免混淆,必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管器件时使用不同的标签
2023-02-24 15:25:29
,因此可能的话,从器件库存中选择Q1和Q2满足条件——在相同集电极电流下,Q2的VBE小于Q1的VBE。晶体管Q2的基极连接到Q1集电极的零增益输出。R3连接在Vp电源和Q2的集电极之间,与2+示波器
2021-11-01 09:53:18
可以将PNP晶体管定义为通常为“OFF”,但是适度的输出电流和相对于其发射极(E)的基极(B)的负电压将使其“打开”,从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗?如果您还记得一个简单
2023-02-03 09:45:56
请教:单结晶体管在什么位置,有人说是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在学习单结晶体管,按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真,大多数都不成功,请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊,可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
流程图应答系统)、ACD(自动呼叫分配系统)等等,可以自动灵活地处理大量各种不同的电话呼入和呼出业务和服务的运营操作场所。呼叫中心在在企业应用中已经逐渐从电话营销中心向着CTI(计算机通信集成)综合呼叫
2014-02-17 16:45:06
`场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管
2017-05-06 15:56:51
场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2
2018-11-05 17:16:04
场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2
2009-04-25 15:43:51
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关,从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要,其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备(如 LED
2023-02-20 16:35:09
大数据和物联网是如何影响数据中心的?
2021-05-21 06:24:04
各位大神,小弟最近看的一个设计,放大器 B在接收到数/模转换器 A 的输出信号后,将其偏移分量反馈回数/模转换器 A 的参考电平输入端,使其输出中心幅值为0V。不懂啊,这怎么就实现中心幅值为0了?(数/模转换器 B用来控制数/模转换器 A 参考电平)
2016-04-05 20:20:17
如何去判别晶体管材料与极性?如何去检测晶体管的性能?怎样去检测特殊晶体管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时,由于电容两端电压不能突变,上电瞬间电容如同短路,因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流,使晶体管迅速导通。之后,电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
连接到晶体管基极端子的硅二极管,齐纳二极管或有源网络为晶体管偏置。如果愿意,我们还可以从双电压电源正确偏置晶体管。
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲,负载太大寿命会缩短,最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种情况,需要检查实际使用状态,并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频,它们在型号上的大致区别是什么?例如《晶体管电路设计》中列举的:高频(2SA****,2SC*****)、低频(2SB****,2SD****)。现在产品设计中最常用的型号是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大,通过什么手段能解决?
2021-06-24 07:29:25
)条件下,数字晶体管中流过的电流值定义为IO。如您所知,绝对最大额定值被定义为"不能同时提供2项以上",仅用IC标记没有问题,但结合客户实际使用状态,合并标记为IO。因此电路设计
2019-04-22 05:39:52
额定值,在不超过VIN(max)条件下,数字晶体管中流过的电流值定义为IO。如您所知,绝对最大额定值被定义为"不能同时提供2项以上",仅用IC标记没有问题,但结合客户实际使用状态,合并
2019-04-09 21:49:36
传输(2-10km)——这一结论目前还来自于我的技术猜思——我希望这一溯因思维的结论是正确的。我们把数据中心内的连接称为互连,我们把数据中心外的连接成为传输。数据中心必然从200G跃进400G数据中心
2019-10-26 16:47:18
)乘以基极电流(β* Ib)。100是低功率信号晶体管的合理平均值)流入晶体管的基极电流Ib为:代替使用单独的基准偏置电源,通常是通过降压电阻R1从主电源轨(Vcc)提供基准偏置电压。现在可以选择电阻
2020-11-02 09:25:24
1、使用加速电容在基极限流电阻并联小容量的电容(一般pF级别),当输入信号上升、下降时候能够使限流电阻瞬间被旁路并提供基极电流,所以在晶体管由导通状态变化到截止状态时能够迅速从基极抽取电子(因为电子
2023-02-09 15:48:33
(电阻器)组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此,晶体管也俗称"石",设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求,ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
更短的死区时间,较低的磁化电流导致较低的反向传导损耗。在状态3下,当驱动信号VGSL为高电平时,晶体管的ZVS实现,并且没有开关导通损耗。在状态4时,晶体管以从漏极到源极的正向电流导通。在此状态下
2023-02-27 09:37:29
如何用晶体管搭建一个放大电路,要求输入为1V,输出至少放大一倍,这么大的输入怎么做到不失真呢?
2016-06-11 16:17:59
如果说起来,电子管也算得上是晶体管的“前辈”了。但是,如今电子管在电子电路设计领域中的地位已经渐渐地被晶体管所取代,只有在少数对于音频质量有着极高要求的产品中,才会出现电子管的身影。那么晶体管
2016-01-26 16:52:08
为很低的正向电压(1.0V~1.5V)。该结构中栅极形成的pn结正向电压(VF)约为3.0 V,电阻为几欧姆,与栅极电容CG并联。因此,CoolGaN™晶体管驱动电路与传统硅晶体管存在很大差异。栅极驱动
2021-01-19 16:48:15
用。(2)横向PNP管: 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的,故称为横向PNP管。由于受工艺限制,基区宽度不可能很小,所以它的值相对较低,一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点
2019-04-30 06:00:00
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
请问AD可以让这些零件以自身中心为中心进行旋转吗
2019-09-16 07:16:41
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺,首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了,因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。
2020-03-11 09:51:095687 ,而智算中心是从“计算器”到“大脑”飞跃。而要推动数据中心向智算中心变革,需要两个维度的变革,其一是从算力的层面看,要支持异构计算,其二从提供智慧的维度看,需要提供算法、算力、数据以及工具融合的能力。
2020-09-14 11:52:042494
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