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关于嵌入式系统中的低功耗设计

2019年09月13日 13:36 次阅读

(文章来源: OFweek)

在嵌入式系统中,低功耗设计是在产品规划以及设计过程中必须要面对的问题。半导体芯片每18个月性能翻倍。但同时,电池的技术却跟不上半导体的步伐,同体积的电池10年容量才能翻一倍。嵌入式系统对于使用时间以及待机时间的要求也越来越高,这就需要在设计产品的时候充分考虑到整个系统的低功耗设计。功耗控制是一个系统的工程,需要从低功耗的器件选型、硬件的低功耗设计与制造技术、软件的低功耗优化等多个方面来统筹考虑。作者就在润欣科技工作期间服务过的项目,总结从以上多个角度来阐述嵌入式系统中低功耗设计要点。

随着半导体工艺的不断发展,半导体的制造工艺也在不断进步,选用先进工艺以及低功耗设计的元器件可以从源头上降低整个系统的功耗。主控芯片的选型要充分考虑到系统的使用场景,对于那些运算任务比较多的应用场景下,可以选用能耗比高的芯片来设计,比如像ambiq的Apollo系列芯片,该芯片采用具有专利的SPOT技术,芯片在亚阈值稳定运行,可减少能源消耗近13倍,实现极致的低功耗技术。

对于嵌入式系统,电源芯片对于低功耗设计是一个很重要的器件。电源芯片自身的功耗以及转换效率在很大程度影响电池的使用时间。进行低功耗的稳压电路设计,需采用低功耗的LDO或者DCDC芯片,如TI的TPS797系列,自身功耗仅1.2uA。

关于嵌入式系统中的低功耗设计

在满足功能需求的情况下,尽量选用带触发输出功能外部器件而非需要轮询的外部器件,这样可以减少MCU的运行时间,平时MCU可以一直处于睡眠状态下,在满足触发条件时有外部器件通过中断唤醒MCU工作。对外围元器件的电源控制,采用带关断功能的器件,对于那些进入低功耗模式下不需要工作的外设,可以使用MOS管电路配合MCU控制对局部的电路进行电源管理。在该设备不需要工作时,尽量关断该部分电源,以达到更低的功耗。

多级电压设计,电压和功耗有着密切的联系。因此功耗的降低可以考虑对于不同的电路模块,使用不同的电压等级,可以采用DVFS动态电压频率技术,通过将不同电路模块的工作电压及工作频率降低到恰好满足系统最低要求,来实时降低系统中不同电路模块功耗的方法。

硬件设计对于MCU的每个IO口都要避免IO口漏电流。当外设掉电时,IO口仍然会有潜在的电源输出,所以IO口需要默认配置成低电平或者高电平状态,避免漏电流。适当的降低CPU的运行频率,降低MCU的运行速度,可以有效的降低运行时需要消耗的电流,芯片的功耗和主频是线性的关系,更高的时钟频率意味着更快的MCU运行速度,那么MCU内部CMOS电路就更快的开关频率,导致更高的运行电流和待机电流。

合理的使用MCU的待机模式,在当前没有任务需要处理时,将MCU进入到低功耗的睡眠模式。对于使用嵌入式操作系统的嵌入式产品,一般都是在idle空闲任务中进入睡眠模式,但是为了进一步降低功耗,实现低功耗最优设计,我们还不能直接把睡眠或者停机模式直接放在空闲任务就可以了,需要设计一种更先进的休眠机制,比如在freertos操作系统中使用TIckless 低功耗机制,进入空闲任务后,首先要计算可以执行低功耗的最大时间,也就是求出下一个要执行的高优先级任务还剩多少时间。然后就是把低功耗的唤醒时间设置为这个求出的时间,到时间后系统会从低功耗模式被唤醒,继续执行多任务。

关注每一个GPIO口电平状态,在进入睡眠之前配置所有的GPIO口到高电平或者低电平以降低漏电流。对于外挂的传感器以及外围设备,也需要在进入睡眠之前配置其功耗模式以降低消耗的电流。

合理关闭MCU内部模块,对于在Deep Sleep模式下不需要工作的内部模块都要关闭时钟以及电源以节省功耗,同时要重点关注模拟IO口,模拟功能一般是耗电大户,在AD/DA功能不使用的时候尽快关闭,减小使用模拟功能的时间。此外,芯片内部SRAM由于需要不停的刷新,在睡眠模式下也需要消耗一定的电流,可以配置部分SRAM在睡眠模式下保持刷新降低功耗。

对于包含有无线功能的芯片,配置合理的待机参数以降低功耗。如比对于BLE芯片CSR1010,在进行BLE的广播模式下,60ms的广播间隔的待机电流时394A,如果将广播时间增大到1.28S,则待机电流降低到28A。对于wifi芯片,比如高通QCA4004芯片,在DTIM1情况下对应功耗是1.5mA,在DTIM10情况下则降低到334A。

嵌入式系统低功耗需要综合考虑各种可能的因素、条件和状态,需要对各种细节进行认真的斟酌和分析,需要对各种可能的方案和方法进行计算和分析,尽最大的努力优化整个系统的功耗,达到最节省电能的目的。

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OPA187 1µV Vos、0.005µV/°...

OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术,可在时间和温度范围内同步提供低失调电压(1μV)以及近似为零的漂移。此类微型,高精度,低静态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出。输入共模范围包括负电源轨。单电源或双电源可在4.5V至36V(±2.25V至±18V)范围内使用。 OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸(VSSOP)封装,5引脚SOT- 23封装和8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装。四通道版本采用14引脚SOIC,14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装。所有器件版本的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C。 特性 低失调电压:10μV(典型值) 零漂移:0.001μV/°C < li>低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源电压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 精密...

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OPA187 1µV Vos、0.005µV/°...

INA1651 SoundPlus™™ 高共模抑...

INA1650(双通道)和INA1651(单通道)SoundPlus™音频线路接收器可实现91dB的超高共模抑制比(CMRR),同时对于22dBu信号电平可在1kHz时保持-120dB的超低THD + N.片上电阻器的高精度匹配特性为INA165x器件提供了出色的CMRR性能。这些电阻器具有远远优于外部组件的匹配特性,并且不受印刷电路板(PCB)布局所导致的失配问题的影响。不同于其他线路接收器产品,INA165x CMRR在额定温度范围内能保持特性不变,经生产测试可在各种应用中提供始终如一的性能。 INA165x器件支持±2.25V到±18V的宽电源电压范围,电源电流为10.5mA。除线路接收器通道之外,INA165x器件还包含一个缓冲的中间电压基准输出,因此可将其配置为用于双电源或单电源应用。中间电源输出可用作信号链中其他模拟电路的偏置电压。这些器件的额定温度范围为-40°C至125°C。 特性 高共模抑制: 91dB(典型值) 高输入阻抗:1MΩ差分 超低噪声:-104.7dBu,未加权 超低总谐波失真+噪声: -120dB THD + N(22dBu,22kHz带宽) 高带宽:2.7MHz 低静态电流:6mA(INA1651,典型值) 短路保护 集成电磁干扰(EMI)滤波器 宽电源电压...

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INA1651 SoundPlus™™ 高共模抑...

TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的...

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

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TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的...

TPS7A25 具有电源正常状态指示功能的 30...

TPS7A25低压差线性稳压器(LDO)引入了2.4 V至18 V输入电压范围的独特组合,具有极低的静态电流(I Q )。这些功能更好地帮助现代设备满足日益严格的能源需求,并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命。 TPS7A25有固定版和可调版两种版本。固定电压版本消除了外部电阻,有助于最大限度地减少印刷电路板(PCB)面积。对于更高灵活性或更高输出电压,可调版本使用反馈电阻将输出电压设置为1.24 V至17.64 V.两种版本均具有1%的输出调节精度,可为大多数微控制器(MCU)提供精确调节。 TPS7A25 LDO的工作效率高于标准线性稳压器,因为在300 mA电流下,最大压差低于360 mV。从5.4 V输入电压(V IN )到5.0 V输出电压(V OUT ),此最大压差电压允许92.5%的效率。 电源就绪(PG)指示灯可用于将MCU保持在复位状态,直到电源正常或用于排序。 PG引脚为漏极开路输出;因此,引脚很容易移位,以便通过V OUT 以外的轨道进行监控。内置电流限制和热关断有助于在负载短路或故障时保护稳压器。 特性 超低I Q :2.5μA 输入电压:2.4 V至18 V 提供输出电压选项: 固定:1.25 V至5 V 可调:1.24 V至1...

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TPS7A25 具有电源正常状态指示功能的 30...

INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7n...

INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比。当G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行.INA821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G&gt; 1) 噪声:7nV /√ Hz 带宽:5.6MHz(G = 1),280kHz(G = 100) 与1nF容式负载一起工作时保持稳定 输入保护电压高达±40V 共模抑制:110dB,G = 10(最小值) 电源抑制:110dB,G = 1(最小值) 电源电流:650μA(最大值) 电源范围: 单电源:4.5 V至36 V 双电源:±2.25V至±18V 额定温度范围: - 40°C至+ 125°C 封装:8引脚SOIC...

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INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7n...

TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功...

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

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TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功...

OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、...

OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA859与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV /√ Hz 压摆率:1150V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围:< ul> 与正电源相差1.4V 包括负电源 TIA配置下的输出摆幅为2.5V PP 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:20.5mA ...

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OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、...

TPS23755 具有非光电反激直流/直流控制器...

TPS23755器件结合了以太网供电(PoE)供电设备(PD)接口,150V开关功率FET和电流模式DC-直流控制器针对反激拓扑进行了优化高度集成以及初级侧调节(PSR),扩频频率抖动(SSFD)和高级启动使得TPS23755成为尺寸受限应用的理想解决方案。 PoEimplementation支持IEEE 802.3at标准作为13W,Type 1 PD。 DC-DC控制器的PSR功能使用来自辅助绕组的反馈来控制输出电压,无需外部并联稳压器和光耦合器。它针对二次侧二极管整流器(通常为12 V输出或更高)进行了优化。通常,变频器以250 kHz的开关频率在连续导通模式(CCM)下工作。 SFFD和压摆率控制有助于最大限度地降低EMI滤波器的尺寸和成本。高级启动允许使用最小的偏置电容,同时简化转换器启动和设计。 辅助电源检测功能为次级侧电源适配器提供优先级,同时确保与PoE输入电源的平滑过渡,无效或热权衡。 DC-DC控制器具有内部软启动,斜率补偿和消隐功能。对于非隔离应用,TPS23755也支持降压拓扑。 特性 完整的IEEE 802.3at PD解决方案,适用于Type 1 PoE 以太网联盟(EA)徽标认证设计 稳健的100V,0.36Ω(典型值)热插拔MOSF...

发表于 2019-01-08 17:51 172次阅读
TPS23755 具有非光电反激直流/直流控制器...

TMP122-EP 增强型产品,具有 SPI 接...

TMP122是一款兼容SPI的温度传感器,采用SOT23-6封装。 TMP122温度传感器仅需要一个上拉电阻即可实现完整功能,能够在55°C至125°C的温度范围内测量2°C范围内的温度,工作温度高达150°C。可编程分辨率,可编程设定点和关闭功能为任何应用提供多功能性。低电源电流和2.7 V至5.5 V的电源电压范围使TMP122成为低功耗应用的理想选择。 TMP122是各种通信,计算机,消费电子产品中扩展热测量的理想选择。环境,工业和仪器应用。 特性 数字输出:SPI兼容接口 可编程分辨率:9到12位+符号 精度:±150°C,150°C; 25°C至85°C(最大值)±2.0°C,温度范围为?55°C至125°C(最大值) 低静态电流: 50μA 宽电源范围:2.7 V至5.5 V 微型SOT23-6封装 工作温度至150°C 可编程高/低设定点 应用 电源温度监控 计算机外围热保护 笔记本电脑 手机 电池管理 办公机器 恒温器控制器 环境监控和HVAC 机电设备温度 支持国防,航空和医疗应用 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现场 军用(?? 55°C /125°C)温度范围(1) Exte产品生命周期 扩展产品变更通知 产品可追溯性 (1)可提供更多温度范围 - 联系工...

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TMP122-EP 增强型产品,具有 SPI 接...

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

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LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换...

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

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TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换...

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和...

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

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TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和...

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电...

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

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LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电...

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

发表于 2019-01-08 17:51 186次阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟...

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增...

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

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INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增...

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

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LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温...

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

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LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温...

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

发表于 2019-01-08 17:51 760次阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速...

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 E...

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应...

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微...

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

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TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微...

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远...

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR...

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...

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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字...

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

发表于 2019-01-08 17:51 240次阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A ...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

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LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A ...

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

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LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A...