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中芯国际内讧之后 平衡木该怎么走?

旺材芯片 2019-07-05 16:39 次阅读

中芯国际因股东诉求分歧而引发的内讧,被外界认为是典型的控制权之争。中芯国际面临的似乎是公司治理问题,但又决不是单纯的公司治理问题那么简单。中芯国际的问题,与其说是股东之间的利益冲突,还不如说是中国高科技产业发展困境的某种折射

在东西方冷战余波、国际社会对中国实施技术封锁的背景下,中芯国际为了突破封锁、培育产业,吸纳了各路背景的资金最终形成了异常复杂的股东结构。而围绕着中芯国际所形成的央企股东、地方政府股东、主权基金股东、台资股东、美国股东,利益诉求各不相同,中间夹杂着中国政府意志、财务投资人意志、产业投资人意志、创办者个人意志,在各方意志无法取得平衡之时,内讧变得无可避免

中芯国际作为中国半导体产业的龙头企业,从2000年设立以来,一路上可谓跌跌撞撞,期间发生的变局更是令人眼花缭乱——开业十年亏九年、专利诉讼、创始人出局、CEO更迭、派系斗争……这家寄托了中国半导体产业希望的领头羊,何以如此狼狈

12年前,被誉为华人世界半导体产业的第三号人物、台籍留美人士张汝京,前往中国大陆创办了“中芯国际”。企业创立仅仅几年时间,规模一路高歌猛进,一度挤入全球前三甲。但因为与行业老大台积电之间长达7年的专利诉讼败北,迫使张汝京引咎辞职离开了他一手创办的企业。从此,这家股东结构异常复杂的企业进入了多事之秋。而起着平衡各方利益关键作用的老董事长江上舟的辞世,则直接导致中芯国际内部派系斗争公开化

中芯国际内讧的爆发,与其说是股东之间利益冲突,还不如说是中国高科技产业在国际技术封锁背景下发展困境的某种折射。因为复杂的股东结构、企业内部的派系林立,本质上皆由国际社会在高科技领域对中国的技术封锁而引发。

中芯国际不幸成为各方角力的一个平台,这家企业究竟会成为先驱还是先烈,目前似乎还无法得出明确的答案。

本文节选自《股权战争》,苏龙飞著,北京大学出版社出版。本文讲述了中芯国际股权分歧内讧等一系列往事。

01

背景:半导体产业技术封锁

在正式介绍中芯国际的案例之前,有必要先交代一下国际上关于高科技产品技术输出的两个名词——“巴统组织”、“瓦森纳协议”。

冷战期间,美国、西欧、日本等西方阵营国家为了实现对东方阵营国家的技术封锁,在巴黎成立了“巴黎统筹委员会”(简称“巴统组织”),具体实施限制成员国向东方阵营国家出口战略物资和高科技产品,包括军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资等。其封锁的最重要目标即苏联与中国

苏联解体之后,巴统组织于1994年宣告解散,但1996年美国等33个西方国家又重新签订了一个替代性的“瓦森纳协议”,对军事产品及高科技产品的出口实施管制,中国同样在被管制国家之列

随着电子、IT产业的兴起,中国从20世纪90年代起,逐渐对半导体产品产生巨大需求。而半导体作为高科技产业,恰恰处于西方国家“瓦森纳协议”对中国实施的严格技术封锁之中。

根据“瓦森纳协议”的规则,西方国家对中国半导体技术出口,一般都是按照“N-2”的原则审批也就是说比最先进的技术晚两代,而在审批过程中再适当拖延一下时间,基本上,中国能够拿到的技术设备都会比发达国家最先进的晚三代甚至更长

当时中国为了突破半导体生产的瓶颈,于20世纪90年代中后期由政府主导投巨资设立了“908”及“909”工程,先后建立了华晶、华虹两家核心国有企业。但华晶、华虹等国有企业到国际市场采购设备都遭遇到了“瓦森纳协议”的限制,基本以失败告终。

美国等西方国家对华出口管制,使得中国半导体设备制造业同国际先进水平存在2~3代的差距,落后国际先进水平10年左右。而这也极大妨碍了中国在半导体价值链生产中的水平升级。

02

序幕:江上舟搭台

上海市经委副主任江上舟

“908”、“909”工程搁浅之后,1999年,当时的信息产业部召开全国集成电路“十五”战略规划研讨会,当时准备花5年时间,投资200亿元人民币,建两条8英寸半导体生产线。在那次会上,参加会议的上海市经委副主任江上舟就表示,必须寻找海外伙伴投资,才可能设法突破“瓦森纳协议”的限制

此后,江上舟开始了寻找半导体海外合作伙伴的历程。同一时间,本案例的另一核心主角——美籍台商张汝京,正在考虑回中国大陆来投资半导体产业。

出生于1948年的张汝京,被誉为华人世界半导体业的“第三号人物”。他获得博士学位之后于1977年加入美国德州仪器,德州仪器任职的20年间,8年从事研发,12年从事工厂运营,并协助德州仪器在美国、日本、新加坡、意大利及中国台湾完成了10座半导体工厂的建设、运营。

1997年,张汝京从德州仪器退休之后,在投资人的邀请下回台湾创办了世大积电”,从事半导体代工。不料2000年1月,世大积电的大股东在张汝京毫不知情的情况下,将企业作价50亿美元卖给了行业老大台积电”,张汝京被迫离开企业

于是,张汝京辗转来到中国大陆寻找创业机会。他发现,中国大陆半导体产业无论是在技术还是产业规模上,都远远落后于世界平均水平。

正是在中国大陆考察的时候,张汝京与上海市经委副主任江上舟结识了。对于江上舟来说,张汝京可谓是久觅而不得的栋梁之材,他简直是担当协助发展半导体产业的最佳人选。江上舟力邀张汝京到上海落脚创立半导体企业。

媒体记录了一些关于张汝京的投资选址情况:“当时张汝京到北京考察时,北京市的市长、主管科技的副市长都不在,只有一位无法拍板的人陪同,因而不了了之;而到上海考察时,上海市市长、主管科技的副市长全都在,当即拍板且马上就带去张江选地,想要哪块都可以。”

2000年4月,张汝京在开曼群岛设立了“中芯国际”,并以此为平台募集资金,再以外商投资的身份在上海设厂。中芯国际的首批投资人中,有来自美国的高盛、华登国际,有来自中国台湾的汉鼎亚太,有来自新加坡的祥峰投资,还有中国政府背景的上海实业、北大青鸟。中芯国际首期募资约10亿美元,募资完成后共计有16名股东股权非常分散,即使是作为大股东的上海实业,也不过持股12%左右而张汝京本人的持股还不足1%

之所以采取这种股权多样化的股东背景,很重要的一个原因就是吸取 “908”、 “909” 工程国企色彩太浓厚、技术引进时被国际阻击的教训,刻意淡化中国政府在其中的角色背景,以取得国际社会的信任、突破国际对技术的封锁。同时,张汝京本人也不希望企业出现同创办世大积电一样,由于被某一单一大股东绝对控制,存在随时可以将企业卖掉的可能。

而且,就公司治理结构而言,中芯国际的董事会只安排了张汝京一位出任执行董事(代表管理层),而各大股东委派进入董事会的成员,统统只能出任非执行董事,而不得担任执行董事。此举相信是张汝京在公司章程中与股东刻意约定的,目的在于保证中芯国际在经营方面有足够的独立性,以避免各大股东过度介入日常经营并控制企业。

由于江上舟的缘故,在早期中芯国际内部,除了创办人张汝京之外,上海实业在所有股东中的话语权最为突出

03

起步:张汝京唱戏

张汝京唱戏

2000年8月中芯国际投资的芯片厂开始动工,并且创造了全球最快的芯片厂建厂记录。

从当年8月1日在上海打下第一根桩,到2001年9月25日上海第一个8英寸厂正式建成投产,前后只用了13个月。让人不可思议的是,中芯国际在上海一口气建了3座8英寸芯片厂。2002年9月,中芯国际在北京的两座12英寸芯片厂破土动工。2003年9月,中芯国际收购摩托罗拉设立于天津的8英寸芯片厂。

中芯国际的这种投资规模,可以说是当时国内绝无仅有的大手笔了。要知道,一条8英寸芯片生产线要耗资数亿美元,一条12英寸生产线要耗资近10亿美元,更别说多条生产线同时开建了。中芯国际的投资规模,使其产能得以迅速进入全球半导体代工行业的前三甲,仅次于中国台湾的台积电及台联电

显然,中芯国际设立初期所募集的10亿美元无法应付如此大的投资规模,于是2003年9月,中芯国际再向原有股东和新投资人私募约6.3亿美元

2004年3月,中芯国际于纽约、香港两地实现上市,融资额近18亿美元。上市后的中芯国际开始了新一轮扩张:2005年成都8英寸工厂开工、上海12英寸工厂开工;2006年武汉12英寸工厂开工;2008年深圳8英寸及12英寸工厂开工。中芯国际最终形成了华东、华南、华北、西部四地的菱形布局。

然而,这种看似豪迈的大手笔扩张背后,却浸染了创办人张汝京为突破国际技术封锁而付出的汗水。

2001年,中芯国际上海工厂还在建设中,张汝京希望从美国进口0.18微米等级的生产线设备,于是向美国政府申请相关出口许可证。就当时美国而言,0.18微米技术已经不是最先进的了(当时美国0.13微米技术已经实现量产),但中国国内即使最先进的技术也不过是0.35微米级别,距离0.18微米还差两代。

由于“瓦森纳协议”的技术封锁,中芯国际引进0.18微米级别生产设备变得困难重重。为了取得从美国进口设备的出口许可,身为基督徒的张汝京前往美国四处游说,并且找齐了全美五大教会为他做人格背书,担保他所说的话都诚实可信,还承诺中芯国际的产品一定只用于商业用途,不会用于军事用途。最后美国才给他们出具了出口许可

此后每隔一两年,中芯国际的生产线需要技术升级时,类似的刁难都会出现,0.13微米、90纳米、65纳米的时候都曾出现过。

直到中芯国际申请购买45纳米技术设备的时候,因为有过去六七年的良好纪录中芯国际一直信守承诺,产品只用于商业用途,美国政府才没有刻意为难。2007年12月,中芯国际顺利拿到了45纳米产品的生产设备,仅比西方发达国家晚了1年左右的时间,2009年1月,中芯国际又顺利拿到了32纳米生产设备的出口许可证。

张汝京接受媒体采访时表示:“45纳米是个很大的突破,以后基本上就和国外同步了,再接下去的28纳米以及更高端产品应该不再会有出口许可的问题了。”

整个中国半导体产业公认的是,如果不是中芯国际,只怕中国半导体产业技术升级远远达不到这种速度。而中芯国际之所以能实现这点,跟其创办人张汝京的美籍台商身份、跟其股东来自全球各路资本,有着莫大关系。可以作为旁证的是,中芯国际建了4座12英寸芯片加工厂之后,国企背景的华虹NEC筹划了多年的第一座12英寸工厂,依然因美国技术封锁而胎死腹中。

04

分歧:盈利优先还是产业升级优先

虽然中芯国际为国内的半导体产业快速升级做出了不可替代的贡献,但在企业内部,各方的分歧却日趋扩大化。

从利益相关方的角度分析,围绕着中芯国际存在三大力量政府、股东、创办人。政府的核心诉求在于,通过中芯国际尽快将国内的半导体产业培育起来;创办人张汝京的核心诉求在于,将中芯国际打造成在全球半导体代工领域拥有话语权的企业;股东的核心诉求在于,通过投资中芯国际获得可观的财务回报(特别是考虑到中芯国际创办时绝大部分股东都是财务投资人的角色)。

理论上说,三方的诉求似乎可以实现完美统一:中芯国际成功成长成了拥有国际话语权的企业,国内的半导体产业也实现了快速升级,股东也借此获得财务回报。但事实却是,中芯国际在实际运营中无法做到三者统一

在部分股东眼里,作为中芯国际唯一执行董事及CEO的张汝京至少有两大“败笔”:其一是长期亏损,其二是盲目扩张

败笔一:长期亏损。中芯国际自2000年设立直至2009年,从未有过一个完整年度实现了盈利,这对一些追求投资回报的股东来说,显然是难以接受的。

长期亏损对于张汝京来说也是无可奈何的事情,有些瓶颈他无法逾越,而且为了确保中芯国际的长期发展,他也不能将眼光放在短期盈利这个目标上。

首先,国际的技术封锁阻碍了中芯国际的生产自主性,他无法根据市场需求去生产高毛利率的产品。比如,中芯国际进口的12英寸半导体生产线,理论上既可以生产存储器产品也可以生产逻辑器产品,不过后者的毛利率要比前者的毛利率高很多。但是由于技术封锁,中芯国际无法生产高毛利率的逻辑器产品(美方担心用于军事用途),而只能生产低毛利率的存储器产品,而存储器产品的价格波动很大,这就导致其盈利处于某种不可控状态之中。

从技术工人的培养来说,存储器芯片生产的工艺流程不像逻辑器芯片那么困难,有利于生产技术工人的培训,有了存储器产品的技术基础,再去开发逻辑器产品工艺困难会小得多。如果一开始就切入生产逻辑器产品,技术人员的经验不足无法确保生产出合格产品。从存储器产品切入的策略,客观上帮助中芯国际完成了初步的知识产权以及技术积累。张汝京说道:“当时很多人都责怪我,认为我们不应该要做存储器,因为这个产品价格波动很大。但是在当初没有任何基础的情况下,这是没有办法的选择,我们必须做下去。”

其次,为了尽可能快速地跟上整个国际半导体市场的产业升级,张汝京只有打破正常节奏,在还未消化完8英寸生产线的巨额投资成本时,又开始大规模进行12英寸生产线布局,这就使得投资额滚雪球般扩大,而创造的收入无法覆盖投资成本。

张汝京一直坚持认为,如果不投12英寸生产线,中芯国际将是中国大陆所有半导体公司中盈利最好的公司之一,“但是,不做12英寸中芯国际有前途吗?中国的半导体产业有前途吗”。他很清楚投资12英寸生产线对中芯国际意味着巨大的压力。其他半导体厂商都是8英寸生产线折旧完了才投资12英寸生产线,而中芯国际2001年第一个8英寸生产线才建成,如果等8英寸折旧完再投资12英寸,中芯国际将永远无法跟上全球半导体产业的升级步伐。

所以,张汝京始终认为,分析师们只看到中芯国际业绩差,却不了解其他同行起步比中芯国际早了近20年,所有的折旧都已经结束了,利润自然好看。就这个意义而言,中芯国际是以自身连年的巨额亏损,去拉动整个中国半导体产业的快速升级。

曾任职于中科院微电子所的半导体专家莫大康表示,多亏了张汝京在业内的地位和他那强大的意志力,才能在中芯国际有说一不二的能力,游说董事会去做这个投资,否则中国半导体就不会有今天。

败笔二:盲目扩张。中芯国际成立后的几年时间内,迅速跳出上海,全国扩张,特别是经不住一些地方政府的邀请与游说,在北京、天津、成都、武汉以及深圳设立了众多生产线,内容不仅涉及芯片代工本身,还包括下游封装测试以及芯载彩色滤光镜头等其他领域,规模异常之大,部分项目后来成为中芯国际的沉重负担。

跟各地方政府的合作,张汝京一直认为这是划算的交易,比如武汉的12英寸工厂,前期投资全部由政府代付,委托中芯国际经营,时机成熟时再进行回购。这样中芯国际就减轻了很多财务压力,同时又获得了产能。不过这也让张汝京后来陷入两难,比如12英寸生产线,在北京投了,上海作为大本营,如果不投的话上海领导不高兴,投的话压力太大。作为一家企业,奔走于不同地方政府之间进行平衡,是一件非常困难的事情,稍不小心就很可能让某一地方政府不快。

正是张汝京过于迎合各地方政府,摊子铺得太大,让企业陷入被动之中,更加恶化了企业的局面,因而这点也被股东们所诟病。

不过,此时的三方诉求虽然在目标上无法得到全面满足,但至少创办人张汝京与中国政府的战略诉求还保持着一致,因为无论是企业规模效应还是所带动的整个产业的升级都在蒸蒸日上。因而股东此时也无可奈何,只能对暂时的亏损妥协让步,期待中长期的投资回报。

05

转折:大唐电信入股

正因为在政府的支持下,张汝京依然可以按照自己的意志经营企业,并且能够在与股东意志相左时让股东做出妥协。

此时中芯国际的经营战略,依然在按照张汝京所设定的、并且也是政府所期望的方向发展,中芯国际依然在大举扩张、大手笔投资。特别是2008年存储芯片价格崩盘,中芯国际深陷亏损困局,急需补充资本。

问题是,钱从哪里来?

由于中芯国际亏损连连,原先的股东面对这家连续亏损的企业,显然已经不再有兴趣追加投资了,只想熬到企业盈利,然后可以趁股价走强逐步套现退出

一些国际私募股权基金(PE)倒是有兴趣入股,包括黑石、TPG等几家国际知名私募股权基金找到张汝京,表示愿以优厚价格收购中芯国际股权。这几家基金提出的方案不尽相同,从收购20%、35%、50%乃至全部股权都有。

张汝京回忆道:“私募股权基金从2006年开始争相收购待价而沽的半导体企业,典型的交易就是飞思卡尔收购案。私募有很灵活的操作方式,给的价格也很优惠。一旦被他们控制主导权,多半是分拆出售。”但这显然不是张汝京愿意看到的结果。

基于这种形势,张汝京不得不向有关政府部门求援。政府表示如果有机会也愿意投资,并推荐了大唐电信、华润以及中国电子信息产业集团三家央企备选。

股权卖给国际PE还是卖给国内央企,在中芯国际董事会内部产生了很大争论,在张汝京的主张下最终决定将目标选定国内央企。几轮谈判之后,中国电子信息产业集团因为旗下生产部分军用产品被海外股东强烈质疑而出局,华润则因为要求将中芯国际更名而被董事会否定,最后仅有大唐电信一家入围。

2008年11月,央企大唐电信入股中芯国际,并且取代上海实业成为第一大股东。

由于众所周知的央企复杂的审批流程,从谈判到完成投资,前后经历了10个月。而这10个月之中,恰恰是2008年国际金融海啸最为肆虐的时候,全球股市暴跌,中芯国际的股价从1.4港元跌至0.4港元,最终大唐控股以1.76亿美元获得了中芯国际16.6%股份,成为最大股东。因为融资额的巨额缩水以及原有股东的股权被过度稀释,张汝京引发原有股东的强烈不满。

大唐电信的入股,成为中芯国际发展过程中一个不可忽视的转折点,因为这是中芯国际成立以来第一家以产业投资者身份进入的股东。

此前,中芯国际的众多股东中,虽然既有国内股东也有海外股东,既有实业企业股东也有私募股权基金,但他们基本都是财务投资人的角色(就算上海实业、北大青鸟这样的实业企业股东,由于他们跟中芯国际不在同一行业,他们的投资更多只是谋求财务回报,或者是受政府之命提供财务支持),因而并无在经营层面控制中芯国际的动机

而大唐电信跟中芯国际同处产业链上下游,其入股中芯国际就是明显的产业资本的角色,而且不排除其想要控制中芯国际的动机。更加值得注意的是,大唐电信要求在中芯国际董事会拥有两个席位,而其他几家主要股东在董事会皆只有一个席位。一般而言,如果作为财务投资者的角色,在董事会有一个席位就够了,而大唐电信谋求两个席位,其谋求控制权的欲求可见端倪。

大唐电信为什么要入股中芯国际为什么有控制中芯国际的意图?业界有两种分析可以作为参考:

其一是,大唐电信正在积极发展4G,这需要一个强有力的产业链支持,其中也包括芯片,所以一直希望将中芯国际做成其附属。这也是大唐电信入股中芯国际最重要的目的。

其二是,大唐电信增强对中芯国际的控制权,或在提高自身在央企中的地位。央企一直持续整合,未来计划缩减到100家以内。由于大唐电信在央企中的地位并不强势,它可能想通过控制中国最大的半导体代工企业,以避免被整合。

棋局至此,围绕着中芯国际的利益相关方变得更加复杂起来,原先是政府希望能借此培育发展产业、创办人希望打造一个有产业话语权的企业、股东希望能获得财务回报。而今,股东的利益诉求中,除了原有股东想获得财务回报之外,新进的第一大股东并不完全关心财务回报,而是希望将其变成自己的附庸、服务于自己的战略目标。多方的诉求变得各不相同,调和起来变得越来越困难。

为此,江上舟不得不于2009年6月以独立非执行董事身份出任中芯国际董事长。江上舟在董事会不代表任何股东的单一利益,他更多是以政府官员的身份背景,跟创办人张汝京一道协调各方关系,以使企业维系住基本的平衡。

大唐电信带着谋求控制权的想法入股中芯国际,而江上舟及张汝京又极力强调企业的独立自主、不受单一股东控制,特别是不能成为国有股东的附庸这就为日后的控制权争端埋下了伏笔

06

诉讼:压垮张汝京的稻草

令人没有想到的是,一场官司的失败,迫使创始人张汝京引咎辞职,企业内部的平衡关系从此被打破

2009年11月3日,美国加州联邦地方法院传来消息,半导体代工业老大台积电起诉中芯国际侵犯其知识产权的官司,判决中芯国际败诉。

其实,中芯国际这次败诉,可以看做在国际上对中国半导体技术封锁背景下,台湾方面对张汝京在中国大陆创办中芯国际的具体阻击行动。

张汝京与台积电创办人张忠谋原先同在美国德州仪器任职,并且后者是前者的间接上司。20世纪80年代张忠谋回到了中国台湾创办台积电,开创了半导体行业设计与制造相分离的格局,台积电也成为全球半导体代工企业的老大,张忠谋也被称为“台湾半导体教父”。

张忠谋也被称为“台湾半导体教父”

由于中国大陆缺乏高端的半导体人才,张汝京创办中芯国际时,基本都是从原世大积电(此时已经属于台积电)挖了一批原先的部下过来。在此后相当长的一段时间内,中芯国际的管理层班底核心都是台湾人马

由于台湾团队早已经习惯了台积电的工厂运营模式,所以中芯国际的工厂运营模式基本也是复制自台积电的模式。一是挖人、二是工艺流程模仿,这就给日后双方的诉讼埋下了伏笔。

台积电当然不希望养虎为患,坐视中芯国际做大成为自己强劲的竞争对手。于是2003年12月,台积电及其北美子公司向美国加州联邦地方法院提交诉讼状,起诉中芯国际侵犯专利权及窃取商业秘密,并申请对中芯国际实施禁制令处分及赔偿财务损失,起诉对象包括中芯国际在上海及美国的子公司。

台积电表示,在对该公司近期销往美国的产品加以分析,确实查出侵犯到台积电的数项专利证据后,才正式提出起诉。台积电同时还称,中芯国际雇用了超过100名台积电前员工,并让其中一些人提供台积电的商业机密。

而中芯国际除了2004年3月7日向美国加州联邦地方法院提出撤销台积电的侵权指控的声明外,并无采取实质性的应对措施。

2004年3月23日,台积电再向美国加州联邦地方法院提交新证据,称中芯国际180纳米芯片生产线所采用的工艺流程约有90%来自台积电,并且中芯国际以认股权作利诱,向台积电掌握技术机密的高层挖角,窃取生产技术

双方的知识产权纠纷持续了近两年,最终于2005年1月达成庭外和解,根据和解协议,中芯国际赔偿台积电大约1.75亿美元。

张汝京不得不承认:“我们确实犯了错误”,当初从台积电招聘的工程师习惯了台积电生产线的操作方式,因此来到中芯国际之后照搬了对手的菜单,侵犯了对方的权益。自从2005年达成和解,中芯国际一直努力建造自己的运营体系,“过程远比想象中艰难”。

除了台积电的商业阻击,台湾当局还对张汝京实施政治层面的打压

2005年3月31日,中国台湾“经济部”以张汝京非法投资为由,对其处以500万新台币罚款,并限期6个月内撤资,否则将连续罚款,直至撤资为止。台湾当局最核心的理由是,半导体产业一直是禁止向中国大陆投资的领域,但张汝京却在2000年12月21日私下经由英属开曼群岛注册的中芯国际集成电路制造有限公司,在中国大陆投资设立中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,已构成“违法”赴大陆投资的事实。

据媒体报道,张汝京当初为创办中芯国际而四处奔走募集资金时,台湾当局就已经在横加干涉。当时有不少基金和财团投资给中芯国际,但后来有两家台湾基金股东的名字不慎被泄漏出去,台湾当局马上就逼这两家基金退股。

台湾当局对张汝京的处罚令张汝京大为震怒,他随即发表声明强调:“本人是美国公民,但在中国台湾长大,受教育,服兵役,对台湾有深厚的感情。1990年自美返台起至2000年,总共在台湾参与和建造了4座晶圆厂。2000年时在中国大陆建晶圆厂,为两岸的半导体产业同样地尽力做一些贡献。台湾当局的某些人士,对我们在中国大陆的发展一再打压和迫害,本人深表不解与遗憾,已委托律师妥善处理此事。依合法、合情合理的渠道据理力争。希望台湾当局能依法客观公平地处理这件事。”

此过程中,据说上海市政府和台湾事务办公室在其中做了不少调解。但是当时台湾当局是由有台独倾向的陈水扁掌控,这些周旋调解收效甚微。

2007年3月,台北“高等行政法院”对中芯国际张汝京投资一事做出判决,撤销台湾“经济部”处罚决定。判决书表示,中芯国际开曼公司投资上海公司时,张汝京为唯一执行董事、总裁及CEO,但他所拥有开曼公司持股比例低于0.5%,并非主要投资人。并且,开曼公司投资中国大陆是由董事会决定,是公司的行为,而非张汝京个人行为,所以不能把这项投资行为当做张汝京个人所能支配的投资,原处分与诉讼裁决有误,应予撤销。

张汝京与台湾之间的纠葛,可谓“一波未平,一波又起”。2006年8月,台积电又以中芯国际不遵守和解协议为由,再次把中芯国际告上法庭,这场官司一打就是3年。

台积电代理律师指责中芯国际违反了2005年1月双方签署的和解协议。根据该协议,中芯国际需将0.13微米或更先进的技术资料交由第三方托管并不得使用,然而实际运营中,中芯国际继续侵犯台积电相关知识产权。

2008年马英九上台后,两岸关系缓和,张汝京通过各种渠道找到台积电的高层,表达和解的愿望。另一方面,包括国务院台湾事务办公室也在积极协调此事。“我一直认为,如果两岸不和解的话,我们和台积电就不和解,两岸和解的话,我们当然要和解。”张汝京这样表示。

据说在张汝京的主导下,双方一度达成了和解的初步框架,但因为双方律师始终无法在细节条款上达成一致,而且中芯国际的代理律师认为,己方证据充分胜算把握很大,所以坚持要打到最后。正是这个坚持,让中芯国际受到重创。

2009年11月3日,美国加州联邦地方法院判决中芯国际败诉。法院陪审团调查发现,在65个有争议的专利项目当中,中芯国际非法使用了其中的61个。台积电要求10亿美元的损害赔偿

官司败诉之后,中芯国际不得不重新与台积电谈和解,但此时的和解代价就远非判决之前那么低了。

一审判决3天之后的2009年11月7日,中芯国际董事长江上舟、CEO张汝京以及律师团主要成员紧急飞往香港,与台积电负责此事的副董事长曾繁诚再次进行谈判。一番激辩之后,台积电与中芯国际当天正式达成和解协议:中芯国际分4年向台积电赔偿2亿美元现金,同时向台积电支付8%股权外加授出2%的认股权

站在台积电的角度来说,虽然赔偿金额大大低于他所要求的10亿美元,但台积电因此成为中芯国际的第二大股东。当然,江上舟及张汝京为了避免台积电以股东身份过多介入中芯国际的运营,双方约定台积电无权向中芯国际董事会派驻董事,而只能做中芯国际的“被动投资者”。

诉讼和解实现了,但是这次和解的代价是创始人张汝京“下课”。11月10日,中芯国际公告了与台积电的和解方案,紧随其后又公告了张汝京因“个人原因”辞去执行董事、总裁、CEO等职务。

有猜测认为,张汝京的下课,是台积电答应和解的前提条件但这一点并没有得到台积电方面的佐证。张汝京辞职之后接受媒体采访时说,辞职的决定是他主动做出的,“我尽力了,官司的事让我精疲力竭,对(辞职)这个结果我也感到很失望”。由此可见,即使张汝京是主动递交辞呈,估计他也不是心甘情愿的,也许背后有某种压力。

一方面,官司的败诉使得中芯国际遭受到巨大损失,而张汝京是公司唯一的执行董事,因而他觉得应该为此承担责任;另一方面,股东们对张汝京已经失去耐心、日渐不满——持续亏损、盲目扩张、以低估值引进大唐电信过度稀释老股东权益——张汝京犯的错误已经够多了;而第一大股东大唐电信更是有动机让张汝京出局,以便强化自己在企业的控制权。

因而,输了官司成为一个最佳契机,所有股东都一致同意张汝京辞职。无论张汝京的功过是非如何,他最终还是下课了。

创始人张汝京的出局,使得中芯国际内部失去了重要的平衡力量,中芯国际从此进入了多事之秋。

07

平衡:江上舟的运筹

后张汝京时代,江上舟成为中芯国际内部平衡各方关系的唯一关键性人物。

作为张汝京的替补,董事长江上舟先后找来了王宁国接任中芯国际的执行董事及CEO职务,找来了杨士宁出任中芯国际的COO。

王宁国,较张汝京年长2岁,与张汝京一样出生于中国大陆成长于中国台湾,在美国加州大学获得材料科学博士学位以后加入贝尔实验室从事半导体研究,20世纪80年代加入美国应用材料公司任亚洲区总裁。2005——2007年,中国政府有关方面邀请他出任华虹集团CEO。

杨士宁,出生于中国大陆,毕业于上海大学,之后在美国获得材料工程专业博士学位并加入美国国籍。博士毕业之后,杨士宁在芯片巨头英特尔公司工作,有十多年的工作经验。中芯国际创立的早期,张汝京将杨士宁招至麾下出任首席技术官,2005年杨士宁加盟全球第四大芯片代工厂新加坡特许半导体,担任首席技术官。如今,杨士宁重新回到中芯国际出任COO。

王宁国与杨士宁,在中芯国际管理层中分别代表了台湾背景及大陆背景最高职位

除了解决张汝京离开后的人事空缺,还有一件让江上舟忧心忡忡的事情:如何避免中芯国际被大股东大唐电信所控制

为了平衡大唐电信的话语权,同时也为了进一步充实企业资本金,江上舟动用自己多年从政所积累的政治资源,说服了中国国家主权基金性质的中投集团向中芯国际入股。2011年4月19日,中央政府背景的中投集团向中芯国际投资2.5亿美元,获得11.6%股权,成为中芯国际第二大股东

据说,中投原本打算向中芯国际投资3.5亿美元,并获得第一大股东地位。虽说中投也是带有央企性质的国有资本,但由于中投本身并没有实业,其定位就是从事财务投资谋求财务回报,因而不会在具体经营层面有控制中芯国际的企图。由中投做第一大股东的话,中芯国际的独立性可以确保,同时也能大大稀释大唐电信在董事会的话语权。

岂知,江上舟的主张遭到大唐电信的极力反对,中投最终只投资了2.5亿美元,占股11.6%。而大唐为了确保其股权不被稀释,同期注入1.02亿美元,使其股份占比提高至19.14%,依然牢牢占据第一大股东地位。

这一系列的变化,无论是主动还是被动,中芯国际的国有化色彩越来越浓厚。国有性质的股东,从最早的上海实业、北大青鸟,到后来大唐电信,再后来的中投集团,占股比例也从刚刚设立时的10%左右提高到超过35%

无论是站在创始人张汝京的角度,还是站在董事长江上舟的角度,他们都不希望中芯国际的国有化色彩太浓厚,因为这会影响到国际社会对中芯国际的性质判断,继而对中芯国际的技术升级带来不利影响。

但无可奈何的是,中芯国际不得不接受国有股所占比例持续扩大的现实。因为中芯国际为了带动产业升级,必须持续进行庞大的投资,因而一直面临巨大的资金缺口。中芯国际最佳的融资对象是海外投资者,但是因为连续多年亏损,海外投资者不愿意投了要投也是估值非常低,没法接受所以被迫寻求国有股东的支持

此时,围绕着中芯国际形成了央企股东、地方政府股东、国家主权基金股东、台资股东、美国股东等复杂的股东结构,各方利益诉求各不相同。

08

交锋:两大派系争夺控制权

王宁国在江上舟的盛邀下接任张汝京出任中芯国际CEO之后,他最大的任务就是扭转张汝京时代连续多年亏损的局面

在王宁国时代,中芯国际的核心管理架构是:首席执行官(CEO)王宁国负责企业全面工作,首席商务官(CBO)季克非负责承接业务订单及安排生产计划,首席运营官(COO)杨士宁负责具体的生产制造及技术开发,人称“铁三角”。

为了实现中芯国际的扭亏为盈,王宁国实施了组织精简、人员裁撤、资产压缩等工作,并且处理了张汝京时代投资的太阳能业务。再加上COO杨士宁在技术层面的提升,以及CBO季克非在半导体行业全球性大复苏背景下获得大量订单,中芯国际2010年获得了历史性的全年盈利,销售收入也达到历史最高水平的15亿美元。

然而,由于历史原因,中芯国际内部形成了台湾派及大陆派两大派系。当年张汝京创办中芯国际时,管理层的核心班底基本都是中国台湾人,即使张汝京辞职以后,台籍员工依然占据主要地位。在这种背景之下,台湾派职务最高的CEO王宁国与大陆派职务最高COO杨士宁,逐渐产生间隙

关于二者存在某些间隙,他们公开表态的口径不一致可以作为一些佐证。杨士宁接受媒体采访时,表示:“我可以负责地说,中芯国际在2010年能够扭亏为盈,技术营运团队在市场旺季的高效营运起到了决定性的作用。” 而王宁国在公开场合总结2010年业绩时,则将盈利主要原因归结为企业结构调整及全球性的行业复苏。

客观来说,杨士宁与王宁国之间这种分歧称不上真正的矛盾,充其量是一种各自揽功的行为。

大股东大唐电信的介入,导致了双方的关系日趋复杂化。大唐电信自从2008年入股中芯国际成为第一大股东以后,就逐步表现出了对中芯国际的控制欲。2009年中投集团欲向中芯国际投资3.5亿美元成为第一大股东遭到大唐电信的反对即是一个证明。

但是,股东要强势控制中芯国际并不是那么容易。因为根据中芯国际的章程,所有股东派驻在董事会的成员,皆只能担任非执行董事,而不得担任执行董事,目的在于避免股东对于企业的过度干预,确保企业的独立性。自张汝京时代到王宁国时代,皆只有CEO代表管理层出任执行董事,而且该执行董事不代表任何单一股东的利益,只代表企业整体利益。

作为大股东的大唐电信,派驻了两名代表——陈山枝及高永岗,但是他们都只是非执行董事,也就是说他们不得干预企业的日常运营。大唐电信需要在管理层中扶持一位自己的代言人,以贯彻自己作为大股东的意志。

在现有管理层中,大陆背景的杨士宁成为大唐电信的“意中人”。

碍于董事长江上舟的威望(他也不希望中芯国际被任何股东所控制),大唐电信未有强烈表现出要控制中芯国际的欲望。随着江上舟2011年6月27日因癌症而意外辞世,中芯国际失去了平衡各方股东、企业内部各派系的最关键的力量,企业控制权大战一触即发

2011年6月29日,中芯国际股东大会,股东投票董事任免。王宁国这位唯一的执行董事,竟然意外落选董事席位,他仅获得41.79%的支持率。而王宁国落选的原因,是大股东大唐电信投下了关键性的反对票,连王宁国本人在现场都觉得事情太突然

当时的情况是,股东大会的参会股东所持有的股份总数,仅占总股本数的30%多,而其中仅大唐电信一家便拥有近20%股权。因此,大唐电信一家投反对票就能获得超过50%的反对比例

大唐电信的此举可谓是毫无征兆、攻其不备的倒戈行动,否则如果其他股东知道的话,参加投票的比例不会那么低。

这样在短短的3天时间内,董事长去世、唯一的执行董事也出局。在王宁国出局董事会之后,大股东大唐电信意图让杨士宁取代王宁国出任CEO,便继续变相要求王宁国辞去CEO职务,条件是给予3倍年薪的补偿,但是王宁国未有接受。

按照公司治理规则,CEO为董事会所聘任,如果某一股东对CEO不满,应交由董事会表决解职与否,无需股东大会来决定。也就是说,大唐电信如果要解除王宁国的CEO职务,必须要经过董事会投票。

股东大会三天后的7月2日,中芯国际董事会召开紧急会议,商讨王宁国去留等事项。董事会中大唐电信仅有2个席位,无法左右董事会决议。最终多数董事并不同意解除王宁国的CEO职务,而王宁国出局董事会执行董事之后的空缺,董事会决定由张文义暂行执行董事职务。

张文义进入董事会,是前董事长江上舟生前的安排,病床上的江上舟力邀其同学、原电子工业部副部长、原华虹集团董事长张文义进入董事会,并建议其未来能担任董事长,代表政府平衡各方关系(尽管如此,在张文义进入董事会的问题上,中芯国际最大股东大唐电信依然投了反对票。最终,张文义以4票通过、2票反对、1票弃权的结果进入董事会)。

就在董事会为王宁国的去留吵得不可开交之时,内部员工中支持杨士宁与支持王宁国的,也分成了两派相互开火,中芯国际的内网BBS成了双方口水战的战场。为了平息争端,中芯国际不得不将内部BBS关闭,双方又将战场转移到了“百度贴吧”等公共互联网平台。

至今互联网上还留有众多“挺杨派”貌似中肯实为诋毁王宁国及其“嫡系”的帖子,自王宁国以下,CEO王宁国、CBO季克非、CAO关悦生、CFO曾宗琳,所有台湾派高管一个不落。

作为对杨士宁派系的反击,“挺王派”则曝光了一份杨士宁涉嫌逃税的内部审计文件。文件显示,杨士宁的年薪逾180万元人民币,但是通过提供发票冲抵个税的方式,支付的税金仅有5万多元。

这一曝光不仅伤及杨士宁,同时也曝光了中芯国际为众多外籍高管避税的潜规则。为员工工资所得做不合法的避税,或多或少都存在于一些企业之中,但是中芯国际的做法被认为是业界最大胆、覆盖规模最大、持续时间最长的。当年创办人张汝京仗着中芯国际在国内半导体行业的特殊地位和政府官员支持,在公司缴税及为员工避税的方面,一向敢于和税务部门较劲。

为了向公司避税潜规则曝光事件负责,身为CEO的王宁国不得不向董事会提交辞呈。

事态发展至此,似乎正合大股东大唐电信及杨士宁等人的意愿,杨士宁似乎可以顺理成章接任王宁国的CEO职位。但董事会依然未能同意杨士宁出任CEO,而是从华虹集团空降邱慈云过来出任执行董事兼CEO

邱慈云曾于2001年追随张汝京创建中芯国际,担任该公司高级运营副总裁,一度被视为张汝京身旁最重要的副手。不过,由于在公司运营管理等问题上与张汝京有不同意见,2005年,邱离开中芯国际前往华虹NEC出任CEO。

杨士宁见自己出任CEO已经彻底无望,也萌生去意。2011年8月16日,中芯国际发布公告称,公司首席运营官(COO)杨士宁将辞职,并将于9月5日正式生效。

王国宁与杨士宁先后离开了中芯国际,大唐电信挑起的这场内讧,最终以两败俱伤告终,而其欲控制中芯国际的企图也同样落空了。这场内讧没有赢家,企业反而被拖向伤筋动骨的深渊。

09

幕后:不可承受之重

邱慈云出任中芯国际执行董事兼CEO,被业内人士形容成“不幸中的万幸”。出生于1956年的邱慈云有超过27年的半导体产业经验,曾在贝尔实验室、台积电等机构长期任职,并且作为早期参与创业的高管,较为了解中芯国际内部情况,因此对于稳定企业会起到一定作用。

中芯国际的内讧已经渐渐归于平静,中芯国际的控制权之争会就此结束么?

只怕前景不容乐观。

中芯国际自创立之日起,从张汝京到江上舟、王宁国,再到张文义、邱慈云,他们都很清楚中芯国际必须独立发展才有出路,由于管理体制、技术封锁等原因,国有企业做半导体就没有成功的先例,央企大唐电信强控中芯国际,中芯国际的未来暗淡,这肯定会损害其他股东的利益。

江上舟生前一直强调,中芯国际要坚持两个“I”发展,即Independent(独立的)、International(国际化),不希望被改造成一个国有色彩浓厚的企业,因为行业特点决定了它不能按国企的模式运营,这也是中芯国际诞生时的良好基因。

而大唐电信当初入股中芯国际,就是带着控制的目的来的,大唐电信作为产业投资者的身份,并非单纯追求财务回报,而是带有一定的战略目的。这就意味着,大唐电信为了拿下中芯国际的控制权,很有可能还有后续动作。

中芯国际因股东诉求分歧而引发的内讧,被外界认为是典型的控制权之争。中芯国际面临的似乎是公司治理问题,但又决不是单纯的公司治理问题那么简单。中芯国际的问题,与其说是股东之间利益冲突,还不如说是中国高科技产业发展困境的某种折射。

在东西方冷战余波、国际社会对中国实施技术封锁的背景下,中芯国际为了突破封锁、培育产业,吸纳了各路背景的资金,最终形成了异常复杂的股东结构。而围绕着中芯国际所形成的央企股东、地方政府股东、主权基金股东、台资股东、美资股东,利益诉求各不相同。站在政府的角度,希望加快培育半导体产业,以一家企业的亏损换取整个产业的崛起,完全划算;站在财务投资人的角度,企业盈利是唯一目标,其他可以忽略;站在产业投资人的角度,所投资的企业必须匹配自身的战略意图。这必然导致中芯国际中间夹杂着中国政府意志、海外股东意志、创办者个人意志,在各方意志无法取得平衡之时,内讧变得无可避免

毕竟,一家企业难以承载多个不同方向的诉求,这样终究会把企业撕裂。

中芯国际的平衡木能走好么?

原文标题:热点 | 中芯国际内讧之后 平衡木该怎么走?

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在取得良好盈利表现的同时,几大封测厂也表示,由于市场需求持续增长,公司的订单饱满、产能处于供不应求状....
的头像 MEMS 发表于 04-12 10:24 323次 阅读
国内封测大厂纷纷发布2020财报,盈利均有不俗的表现

『“人脸识别·金融支付”创新峰会』在上海圆满落幕

腾讯优图实验室高级研究员、人脸识别技术负责人李绍欣带来了《金融支付中的可信身份计算》主题演讲。演讲从....
的头像 MEMS 发表于 04-12 10:19 974次 阅读
『“人脸识别·金融支付”创新峰会』在上海圆满落幕

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90mm技术节点向 65mm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1um及更小尺寸....
发表于 04-12 09:49 19次 阅读
向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

半导体C-V测量基础知识,总结的太棒了

关于半导体C-V测量的基础知识,你想知道的都在这...
发表于 04-12 06:27 0次 阅读
半导体C-V测量基础知识,总结的太棒了

模拟电子技术基础第3版电子版下载

半导体器件是构成电子电路的基本元件,它们所用的材料是经过待殊加工且性能可控的半导体材料。
发表于 04-11 11:25 78次 阅读
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硬件工程师面试题集及解答资源下载

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发表于 04-11 09:52 58次 阅读
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中芯国际4月1日起将全线涨价

由于中芯国际2019年扣非净利润为-5.22亿元,属于A股上市时未盈利企业,因此股票识别简称为“中芯....
的头像 5G 发表于 04-10 11:27 815次 阅读
中芯国际4月1日起将全线涨价

日月光半导体荣获3D InCites颁发的2021永续奖

日月光半导体荣获3D InCites颁发的2021永续奖,表彰日月光在温室气体(GHG)减排、节能、....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-10 09:32 258次 阅读
日月光半导体荣获3D InCites颁发的2021永续奖

志在替代第三代半导体材料,氧化镓目前有没有这个实力?

韩国政府在近日宣称将加大非硅功率半导体在本土的发展,用于电动汽车和其他对功效和耐用性要求较高的技术。....
的头像 E4Life 发表于 04-10 09:00 1313次 阅读
志在替代第三代半导体材料,氧化镓目前有没有这个实力?

美国半导体巨头的收购终止,中美科技战步入下半场

日前,美国半导体设备厂商应用材料宣布,因为未获得中国监管机构的批准,已终止收购原日立集团旗下企业国际....
的头像 科工力量 发表于 04-09 16:06 393次 阅读
美国半导体巨头的收购终止,中美科技战步入下半场

高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

比特误码率BER与转换误码率CER有什么不同? 高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些? 如何测试内部ADC内核的CE...
发表于 04-09 06:31 0次 阅读
高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

非晶态半导体的阈值开关机理介绍 阈值开关的机理有哪几种模型? ...
发表于 04-08 06:32 0次 阅读
非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

放大器的类型有哪些?其区别是什么?

随着半导体器件的出现和发展,放大器的设计得到了更多的自由。就放大器的类别而言,已不限于A类(甲类)和AB类(甲乙类),而...
发表于 04-07 06:42 0次 阅读
放大器的类型有哪些?其区别是什么?

半导体气敏器件介绍

半导体气敏器件相关资料分享
发表于 04-01 06:01 0次 阅读
半导体气敏器件介绍

半导体热敏电阻的工作原理/型号/主要参数

半导体热敏电阻的工作原理资料下载内容主要介绍了: 半导体热敏电阻的工作原理 热敏电阻的型号 热敏电阻器的主要参数 ...
发表于 03-24 07:15 101次 阅读
半导体热敏电阻的工作原理/型号/主要参数

常见电源管理IC芯片有哪些

常见电源管理IC芯片有哪些
发表于 03-11 06:03 101次 阅读
常见电源管理IC芯片有哪些

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1688次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 375次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 305次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 418次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 732次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 354次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 507次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 821次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1812次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1595次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 209次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 393次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 372次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 430次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 689次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
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LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 393次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 341次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器