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我国科技企业的现状到底如何 手机电脑何时能够实现完全自主

半导体动态 2019-05-21 17:02 次阅读

自去年中美贸易摩擦爆发以来,国产芯片、国产软件,以及国产替代成为全民关注的话题。何时才能看到我们完全自主设计生产的手机电脑,也成为了很多中国民众的热切期待。今天本文就带您了解那些鲜为人知的中国科技企业,以及发展现状。

为什么是手机和电脑?不仅仅是这类高科技产品跟我们每个人的工作和生活息息相关,更是因为在这些领域我们依然面临着“缺芯少屏”的尴尬。甚至在专业或尖端领域,我们还遭受着来自美国的技术封,因此“国产替代”是极为迫切和极为重要的发展需求。

我们面临“缺芯少屏”的尴尬

而提到相关领域的国际巨头,相信很多小伙伴都已经耳熟能详。intel的桌面CPU高通的Soc移动平台,三星、Hynix、镁光、东芝存储,索尼的摄像头,三星、LG的面板,Skyworks、Qorvo射频模块,这些豪华阵容相信很多玩家都能够如数家珍。

而在相关细分领域,中国的品牌和相关企业您又知道多少?他们如今又发展到哪一步了?技术实力水平又如何呢?且听我慢慢道来~

芯片:确认进步,承认差距!

首先是桌面级处理器部分,就在本文发布的前两天,来自上海兆芯集成电路有限公司发布了最新的国产x86架构处理器。这款处理器支持SSE4.2/AVX扩展指令集,最多八个CPU核心,主频最高3.0GHz,支持双通道DDR4内存,最大容量可达64GB。

我国科技企业的现状到底如何 手机电脑何时能够实现完全自主

兆芯16nm八核心处理器发布

兆芯本次的展品包括兆芯开先系列处理器、兆芯开胜系列处理器、IO扩展芯片/芯片组三大类,其中开先系列KX-6000是最新产品,真正的SoC单芯片设计,完整集成CPU、GPU、芯片组,并采用迄今国内最先进的16nm制造工艺。

相信很多小伙伴看到这个消息已经对我们的国产处理器刮目相看了,16nm、八核心、3.0GHz主频,其实我们的进步还是很快的。只不过跟intel和AMD最顶级的10nm/7nm处理器动辄5.0GHz以上的高主频还是有不小的差距,而且X86授权依然是别人的。

华为麒麟SoC芯片

而在移动领域,大家都熟知华为采用的麒麟处理器为自主设计,并交由台积电代工,采用的也是台积电最先进的7nm工艺。关于华为麒麟系列处理器在移动领域的表现,以及华为在5G领域的成就,其实网络上已经有了铺天盖地的介绍,我们便不再赘述。

华为的芯片主要靠代工,这无可厚非,毕竟苹果也是台积电代工。虽然是代工,麒麟系列的出色表现依然可以体现出华为芯片设计的技术实力,我们便不再详细展开。而要说到代工这个话题,其实我们内地也有一家半导体芯片的加工企业,即中芯国际。

提到中芯国际,相信一些小伙伴都是在前段时间一篇《国产12nm工艺获得重大突破》的报道文章中才知道有这么一家公司的。中芯国际是国内规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,目前已经可以成熟地代工28nm芯片,具备14nm芯片量产实力。

芯片大神梁孟松的加盟使得中芯国际的发展极为迅速,目前中芯国际第一代FinFET14nm技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良品率已进一步提升。同时,12nm的工艺开发也取得突破,目前正在全力攻关10nm、7nm工艺。

但根据最新的财报显示,该公司28nm-65nm的代工产品占据了半数以上。相比intel已经迭代了多年的14nm+++和台积电早已实现量产7nm,我们和这些国际上领先的企业仍旧存在不小的差距。当然,我们起步较晚,几乎没有什么技术积累也是客观事实。

确认进步,承认差距,相信我们在芯片领域会越来越好!

光刻:打破封锁 决胜关键

回顾以往关于“中国芯”的话题,很多网友都把话题指向了“光刻机”。确实,尽管我们拥有再出色的芯片设计和研发实力,假如没有光刻机自然一切都是枉然。在全世界范围内有能力生产光刻机的企业只有寥寥可数的几家,其中荷兰ASML公司堪称绝对霸主。

虽然一台光刻机造价成本昂贵,但是英特尔、三星和台积电等国际芯片制造厂商早已经将ASML的产能预定一空。由于某些特殊的因素,西方国家对光刻机产品出口中国进行管制,一些最先进的光刻机无法第一时间出口到中国。

中微公司是我国半导体设备企业中,极少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不断扩大市场占有率的公司,是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。在全球最先进的可量产的7纳米芯片工艺上,中微半导体是全球五大刻蚀机供应商之一,并已进军5nm领域。

而提到中微半导体,还不得不提另外一家企业,北方华创。

北方华创主营硅刻蚀设备,中微半导体专攻介质刻蚀设备。北方华创是国内硅刻蚀设备制造巨头,其生产的NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机多项关键指标达到国际先进水平,深硅刻蚀设备也已成功进入东南亚市场。

中微半导体和北方华创这两家企业的存在,成为了我们在半导体领域打破技术封锁的决胜关键。中微半导体稳坐中国介质刻蚀设备市场龙头,已达到7nm工艺节点,成为台积电7nm产线刻蚀设备5家供应商中唯一一家国产设备公司。

有业者将这两家企业称为“中国科技的底盘”,因为这两家企业,在半导体芯片最底层的技术上,为中国的科技发展提供了支持。

存储:充满挑战 危机四伏

说完了处理器,我们再说说说存储部分。说到存储,在台式机上我们习惯叫做内存和硬盘,而在手机上我们习惯称之为DRAM和NAND。如前文介绍,DRAM部分国际著名的品牌有三星、Hynix、镁光;而NAND部分则是三星、Hynix、东芝;基本都是韩日为主。

而在国内内存领域,中国建有三大内存基地,分别是武汉的长江存储、合肥长鑫、福建晋华。这三大基地总投资规模预计超过5000亿,其中长江存储主要生产3D NAND闪存,合肥长鑫、福建晋华则以生产DRAM内存为突破口。

2018年10月29号,美国对福建晋华开出了禁令,限制美国企业卖产品给福建晋华,原因是镁光电子指控福建晋华窃取知识产权,所以美方认为福建晋华的技术可能源自美国,并且可能威胁到镁光等厂商。此事件当时的轰动一时,相信很多网友曾有耳闻。

而同样在去年下半年,国产存储三大势力之一的合肥长鑫集成电路有限责任公司(下称“合肥长鑫”)的存储项目正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,对于中国DRAM产业来说算是跨出了第一步,仍具有指标性的意义。

按照合肥长鑫公司高管此前公布的发展规划来看,2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售,而最初技术来源是奇梦达,之后通过与国际大厂合作,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术,目前已累积有1万6千个专利申请,已持续投入晶圆量超过15000片,之前规划是2019年底实现2万片/月产能,加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

而在“硬盘”方面,长江存储的大名相信很多读者曾经有所耳闻,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层3D NAND闪存芯片。长江存储技术有限公司首席技术官程卫华最近在接受媒体采访时表示,该公司即将大规模生产64层3D NAND闪存。

三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后,开始大规模生产96层NAND闪存。三星计划在今年下半年推出100层NAND闪存。目前这些全球领先的存储企业,都已经在致力于128层NAND闪存的研发。

长江存储成功批量生产64层NAND闪存,与三星的技术差距将显著缩小至两年左右。为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展,32层堆栈仅小量生产,64层堆栈是今明两年生产的主力,再下一代则会直接进入128层堆栈。

相对于处理器,我们的存储芯片其实发展的更为不易,完全可以用“充满挑战,危机四伏”来形容。充满挑战是因为我们刚起步,技术相对落后。而危及四伏,则表明了阻力不仅仅来自美国,韩日系的存储芯片也给我们带来了极大的冲击。

屏幕:规模强大 持续创新

手机对比电脑虽然形态有很大的不同,但是其内部结构无外乎运算、存储、显示三大核心部件。而提到屏幕的部分,相信很多读者首先想到的是我们国内的京东方。京东方公司成立于1993年,是我国早期为数不多的,在科技领域走自主研发道路的企业。

提起京东方的屏幕,很多读者会将其与华为联系在一起。没错,京东方和华为一样,是一家100%纯正的中国企业,其创立之初最大股东分别是北京电子管厂和中国工商银行北京信托投资公司,这两家企业占有京东方接近99%的股份。

而让更多人了解京东方的屏幕,恐怕也是因为华为。据悉华为Mate20 Pro就有部分采用了京东方的屏幕,而更多的一部分来自LG。这期间还有一个小插曲,此前LG的屏幕还出现过问题,后来华为紧急更换为京东方的屏幕才平息了这次事件。

采用京东方屏幕的华为Mate X

而在华为最新的,且最具创新性和革命性的产品,华为Mate X也是采用了来自京东方的折叠屏。从一开始只能生产相对低端的产品,甚至曾经一度接近破产的边缘,再到如今已经开始涉足高端市场,京东方的成长有目共睹。

截止到2019年第一季度,京东方液晶显示屏总体出货量持续保持全球第一,在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、电视显示屏等五大领域出货量稳居全球第一。

抢了全球首发的柔派FlexPai

而提到折叠屏,一个陌生的品牌也在去年进入了我们的视线,那就是主打折叠屏的柔宇科技。提起这个柔宇很多人不知道他是什么来头,但是他却抢在三星前面,实现了折叠屏手机的全球首发,发布全球首款折叠屏手机——柔派FlexPai。

而之所以很多人对这家企业感到陌生,恐怕也是因为柔宇科技从2012年成立至今,基本没有发售和量产过人们熟知的产品。也正是因为如此,一路靠政府补贴和不断融资活到今天的柔宇,被很多人开始质疑了。

充满争议的柔宇折叠手机终于开售

尽管这期间经历了不少口水仗,这款柔宇2018年10月在北京发售的全球首款消费级折叠屏手机,终于开始柔宇天猫官方旗舰店和柔宇官网销售,已进入量产发货阶段。根据官方天猫店的信息来看,今天(5月17日)最终可以开售和交付用户了。

或许正如我们的屏幕生产企业,在人们的质疑声中不断的进步成长。如果用一句话来形容我们的国产屏幕,恐怕可以说是“规模强大,持续创新”了!

系统:百花齐放 可堪一用

提起操作系统,桌面平台的Windows,移动平台的安卓和IOS是我们最常用的产品。无一例外,这些产品均来自美国。其实对于操作系统而言,它更像是一个大平台,其发展的难度远远要比单独某个领域的芯片更是难上加难。

因为操作系统不仅仅需要对硬件的支持,同时也需要对软件提供支持,讲究的是一个生态,如果没有足够的软硬件支持,纵然有再好的操作系统也是枉然。其实所谓的“国产操作系统”有很多,但基本都如过眼云烟,而呼声最高的可能就是深度(deepin)了。

深度deepin操作系统界面

深度deepin操作系统基于Linux内核,以桌面应用为主的开源GNU/Linux操作系统,支持笔记本、台式机和一体机。这款操作系统可以说是最符合我们常人使用习惯的国产操作系统,而且发展到15.10版本,整个界面也十分清爽时尚,不比Windows 10差。

除了这些,深度操作系统还有很多原创的应用。另外,通过深度商店还能够获得近千款应用软件的支持,如今已经到了完全可堪一用的程度。

深度deepin操作系统应用商店

目前深度操作系统已经在一些政府采购、企业批量采购领域实现了对Windows操作系统的替代。甚至在前不久还有消息称,深度和华为进行合作进军服务器平台,并入选中央政府采购网信息类产品名录,这些都在说明国产操作系统正在快速进步。

可能有的朋友会“挑刺”说深度也是基于Linux内核,而Linux并不是中国人发明的……其实这样来抬杠真的没有必要。确实Linux不是中国人发明的,但也不属于哪个国家,是来自全球的开发者们共同努力的结果,Linux属于全人类。

而谈到移动领域的操作系统,其实近些年很多中国科技的头部企业都在付出精力来进行研究,我们经常会看到比如阿里、百度、华为等公司正在研发自主操作系统的新闻。不仅仅是在移动领域,在未来万物互联的广泛智能终端领域,国产操作系统也正在孕育。

由于篇幅限制,我们将不再对这些操作系统一一进行介绍。我们在发展自主操作系统这条路上,确实走过了很多弯路也遇到了很多障碍。但如今其实我们在这个领域已经拥有了不错的进展和实力,用“百花齐放,可堪一用”来形容完全不为过!

通讯:5G领先 专利难逃

基带,是智能终端里负责上网、通讯、信号收发等最核心的芯片,手机没了它就成了“板砖”。尤其是在万物互联的5G网络时代,基带就好比是打开5G大门的钥匙,所有的智能终端都需要这个芯片来实现5G网络互连。小小基带,乃5G终端的关键!

今年年初,华为和高通分别发布了最新的基带产品,以应对即将到来的5G时代。虽然两者均来自台积电的7nm制程工艺,但在技术规范上却存在着一些不同。华为发布的“巴龙5000”在一些性能指标上略好与高通骁龙X55,两者均具备不俗的实力。

华为“巴龙5000”5G基带更胜一筹

只是需要特别强调的是,华为发布“巴龙5000”基带后,随机便装配到相应的5G手机新品当中,整体步调十分迅速。虽然高通骁龙X55也具备不俗的实力,但目前首发的5G手机仍旧是上一代落后的高通骁龙X50,节奏上整整慢了一拍。

在这场基带的竞争当中,尽管华为展现了不俗的技术实力和快人一步的节奏。但是根据此前的报道,华为仍旧需要给高通支付高昂的专利费。虽然华为和高通之间进行了交叉专利授权,可减少部分专利费用,但因为华为销量攀升,整体下来还真是天价。

华为为什么要给高通交专利费

前段时间,一季度的手机销量排行榜出炉,在全球市场中华为出货量达到了5900万部,同比增长近50%,但是需要向高通缴纳10亿人民币的专利费,如果分摊到每部手机大约每部手机需要向高通缴纳17元……

说到通讯这个层面,其实不仅仅是基带,还有射频模块也十分重要。简单的说,射频负责信息的接受和发送,而基带负责信息的处理。

此前一些高端机型上基本都是采用国外Skyworks、Qorvo的射频芯片。随着全球移动终端出货量的不断攀升,对于射频前端芯片的需求也不断扩大,4G通信制式的普及以及向5G技术的演进,射频模块在移动智能终端领域中的地位也更加重要。

右上就是Skyworks的射频前端芯片

在射频前端芯片领域,也存在众多国产品牌,比如Vanchip、络达。但是原来做LED比较出名的一家企业——三安光电也杀入了这个领域,并被誉为射频界的一批黑马。三安光电正从LED芯片生产向化合物半导体芯片领域进军,三安光电涵盖了化合物半导体的上游原材料供应与设备制造等环节。

国家集成电路产业投资基金股份有限公司的介入也充实了三安光电的实力,国家的“背书”加之国产芯片替代的迫切需求,三安光电曾被业界普遍看好。不过作为一家上市公司,三安光电近期也因公司财务问题遭受上交所问询,目前尚无定论,股价出现连续暴跌……

整体来看,在通讯领域中基带和射频两个关键节点,无论是国家层面还是企业层面都在积极的朝着实现国产替代的方向而努力,未来的前景值得期待。

周边:强大的配件供应链

在中国的资本市场上存在着这样一个概念,叫做“苹果产业链”,指的是那些给苹果提供周边配套产品的供应商们。要知道苹果公司对供应商和配件的品质是要求极高的,在刚刚过去的2018年,中国内地共有27家企业进入到苹果的配件供应体系。

他们分别是:

瑞声科技、伯恩光学、京东方、比亚迪、宏明双新、超声印刷板、依顿电子、歌尔声学、恒铭达、长电科技、金龙机电、科森科技、蓝思科技、立讯精密、美盈森、凯成科技、山东创新、上海实业控股、德赛电池、深圳富诚达、欧菲光、信维通信、深圳裕同包装、安洁科技、东山精密、豪威科技、欣旺达。

iPhone的很多配件来自中国

从这份名单中我们不难看出,苹果产业链对中国企业的需求,从原来的外包装、印刷等无关紧要的配件,开始朝着声学、光学、屏幕、电池等精密高端的产品发生变化。而这个潜移默化的改变,也在证明了中国科技生产实力在不断的进步和升级。

比如在手机摄像头领域,以前高端产品基本都是索尼和三星的产品。摄像头模组也是智能手机上最贵的部件之一,据悉iPhone摄像头的成本为19.9美元,占比为8.9%。而在2018年苹果的供应商名单中,欧菲光和豪威科技切入了相关业务。

国产三摄模块或将应用在2019款iPhone上

iPhone摄像头整个模组中技术门槛最高的是镜头和CMOS传感器,零部件龙头多为台日韩,行业集中度高,大陆的厂商主要集中在红外滤光片和模组封装上。

不过这两家企业均是通过收购来实现的技术升级,欧菲光早在2017年便收购索尼华南电子100%股权事项交割完成,切入iPhone前置摄像头业务,掌握了超波产品、双摄像头等多项核心技术。豪威科技分公司美国豪威拥有CMOS技术,目前已被韦尔股份收购。

而在音频的部分,也是来自国内的两家企业包揽了iPhone的声学单元。比如瑞声科技是苹果最大的扬声器供应商,歌尔声学而是中国大陆颇具技术实力的企业,为苹果提供声学方面的元器件和解决方案,比如AirPods的MEMS麦克风均来自于歌尔声学。

关于周边配套的企业是在是太多太多,我们在这里便不一一列举。之所以以苹果产业链中的中国企业举例说明,其实是为了更好的回答我们今天的主题:

手机电脑能否实现完全自主?

我还是希望以“确认进步,承认差距!”这八个字来进行总结,确实如前文所述,我们在科技领域和高端制造方面的进步有目共睹,但面对早已发展了数十年甚至近百年的国外科技巨头来讲,我们在很多领域仍旧是一个“小学生”般的存在。

或许以现有的技术实力我们完全可以制造出所谓“完全自主”的手机或者电脑,但是不要忘记,各种授权和专利壁垒依然掌握在别人的手里。更为最关键的是,我们缺少软硬件的生态。即使我们在某些领域一枝独秀,也面临着孤木难支的尴尬境遇。

尽管困难和挑战始终存在且越来越大,但同样可以确定的是,不管是自主研发还是通过资本收购,亦或是通过人才引进,我们在科技领域已经开始掌握越来越多的话语权。尤其是在5G等前沿领域,我们已经走在了世界的前端。

同时我们也需要思考一个问题,尽管我们确实看到了中国科技企业的进步,但为什么我们很难在中端市场看到这些产品?我们不仅要发展科技,还需要积极的培育市场,构建良性发展的软硬件生态。无法最终落地的产品,始终如雾里看花,始终没有那么真切!

可喜的是,我们看到一些国家机关和单位,已经开始在采购国芯国软,而我们很多民众也在热切的期盼着纯正的国产手机电脑。希望在不久的将来,我们能真正用上我们完全自主的手机电脑,让“中国智造”成为每个中国人的骄傲。

中国已经正逐渐从原来那个依靠廉价劳动力、依靠重污染和低附加值的低端密集劳动型“世界工厂”,正在成为世界瞩目的“智造”中心。

请给这些优秀的中国企业多一点时间,相信未来会更美好!

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谈及知识产权问题,有媒体问任正非现在很多美国媒体说华为在创业初期盗窃了西方公司的大量商业机密和知识产....
发表于 06-19 10:05 52次 阅读
华为任正非表示不会把知识产权武器化来抑制人类社会的发展

幽灵般中微子的认识之路

在2000年前后发现的中微子振荡是一种很奇特的现象,人们发现中微子会“变身”!就像一只苹果在你面前变....
的头像 中科院半导体所 发表于 06-19 10:03 222次 阅读
幽灵般中微子的认识之路

华为任正非表示我们愿意跟全世界国家签订网络无后门无间谍行为协议

在被问及华为到底有没有在设备中植入后门时,任正非向全世界再次强调:华为设备100%没有后门,我们愿意....
发表于 06-19 10:01 43次 阅读
华为任正非表示我们愿意跟全世界国家签订网络无后门无间谍行为协议

华为收取专利费,美国政府不允许?

以知识产权保护为傲的美国这次也似乎要开始“耍流氓”了。
的头像 AI科技大本营 发表于 06-19 09:52 437次 阅读
华为收取专利费,美国政府不允许?

华为禁令持续 美日芯片厂现况惨不忍睹

在华为禁令前,美国芯片业已因贸易战和整体产业趋势等原因现疲态,华为禁令后,影响更为加剧。
的头像 旺材芯片 发表于 06-19 09:52 508次 阅读
华为禁令持续  美日芯片厂现况惨不忍睹

美国拒绝承认华为专利

新的美国国防授权方案修正案加入了不承认华为在美国专利的条款。
的头像 半导体界 发表于 06-19 09:46 290次 阅读
美国拒绝承认华为专利

巴西国家已完成了物联网规划草案的制定

这项法案未来将减少部分科技相关领域的纳税额度,优先行业包括:工业、农业、健康和智慧城市。这项法案与之....
发表于 06-19 09:39 26次 阅读
巴西国家已完成了物联网规划草案的制定

5G牌照的发放对车联网有怎样的推动作用

“车辆行驶在道路上,前方红绿灯信号的推送和提醒实时同步于车内中控台上;车辆能够提前知晓前方道路施工、....
发表于 06-19 09:29 38次 阅读
5G牌照的发放对车联网有怎样的推动作用

我国首个注册的省级5G社会团体组织在江西省正式诞生

江西省5G产业联合会是江西移动、江西联通、江西铁塔、华为公司、中兴公司、爱立信公司共同发起的全国首个....
发表于 06-19 09:18 23次 阅读
我国首个注册的省级5G社会团体组织在江西省正式诞生

华为完成了基于5G SA独立组网的跨省漫游外场首呼

据悉,此次5G SA跨省漫游外场首呼于南京健康路中国移动营业厅进行,使用来自北京移动的SIM卡插入南....
发表于 06-19 09:16 37次 阅读
华为完成了基于5G SA独立组网的跨省漫游外场首呼

华为任正非认为美国的打压限制阻碍不了华为前进的步伐

尼古拉斯·内格罗蓬特表示:“我认为我们目前所面临的问题是一个文化上的问题,而不是安全问题。不管怎么样....
发表于 06-19 09:08 71次 阅读
华为任正非认为美国的打压限制阻碍不了华为前进的步伐

中国广电为何会选择贵州省作为5G的试点

中国广电5G网络如何建设一直是业内关注的焦点,贵广网络虽和中国广电不存在直接的控股关系,但在接受记者....
发表于 06-19 09:08 57次 阅读
中国广电为何会选择贵州省作为5G的试点

美国欲剥夺华为数千专利权 明抢中国企业的知识产权和专利技术

近日,美国参议员Marco Rubio周一提出立法,要求阻止华为在美国专利法院寻求损害赔偿金,此前华....
的头像 PCB世界 发表于 06-19 09:00 190次 阅读
美国欲剥夺华为数千专利权 明抢中国企业的知识产权和专利技术

决定机器视觉的两大要素 国内外视觉芯片市场及发展前景

机器视觉之于人工智能等同于视觉之于人类,本文系统介绍决定机器视觉的两大要素——视觉算法和芯片,重点介....
的头像 新机器视觉 发表于 06-19 08:52 223次 阅读
决定机器视觉的两大要素 国内外视觉芯片市场及发展前景

华为助力中移动率先完成5G SA跨省漫游外场首呼

近日,华为率先完成中国移动基于5G SA(独立组网)的跨省漫游外场首呼,本次首呼成功标志着中国移动基....
发表于 06-19 08:44 96次 阅读
华为助力中移动率先完成5G SA跨省漫游外场首呼

华捷艾米喜获“中关村创业之星”称号

近日,华捷艾米凭借专业的技术实力和创新能力,斩获“2018年中关村创业之星”的称号。
的头像 AI华捷艾米 发表于 06-19 08:38 195次 阅读
华捷艾米喜获“中关村创业之星”称号

IT6634 4进3出ITE的HDMI切换分配芯片数据手册免费下载

IT6634是一个HDMI2.0 4英寸到3英寸矩阵/交换机,支持最高6 Gbps/信道的最大信令速....
发表于 06-19 08:00 23次 阅读
IT6634 4进3出ITE的HDMI切换分配芯片数据手册免费下载

移动承载网络相关QoS技术应用

LTE业务场景 LTE作为新一代宽带无线移动通信的领军技术,具备更高的数据传输率、更灵活的频谱带宽配置、更小的系统时延、...
发表于 06-19 07:32 33次 阅读
移动承载网络相关QoS技术应用

请问我这个板子还有什么需要改进的?

    芯片选用的是STM32F103RC.     由于自己经验不足,都是在网上自己看的,没有正规的思路,想请...
发表于 06-19 04:36 10次 阅读
请问我这个板子还有什么需要改进的?

专家痛陈国内光模块市场 参与竞争相当于慢性自杀

海信宽带CTO李大伟在演讲中指出,国内光模块价格逐年下降,过度竞争或导致行业不健康、整体价值越做越低....
的头像 C114通信网 发表于 06-18 17:43 778次 阅读
专家痛陈国内光模块市场 参与竞争相当于慢性自杀

有没有PWM频率和占空比双可调的芯片方案?

有没有PWM频率和占空比双可调的芯片方案?可以用两个电压来控制,一个控制输出频率,一个控制输出PWM? ...
发表于 06-18 09:18 163次 阅读
有没有PWM频率和占空比双可调的芯片方案?

请问STM32F446RCT6超出flash范围擦除会有问题吗?

如题,STM32F446RCT6芯片flash大小为256KB,一共有6个扇区:0~5; STM32F446XX系列 flash最大为512KB,一共有...
发表于 06-18 09:13 180次 阅读
请问STM32F446RCT6超出flash范围擦除会有问题吗?

请问正常情况下芯片的操作顺序是什么?

你好: 我现在正在调试DAC161S997片子,现在有个疑问,正常情况下芯片的操作顺序是什么啊?也就是在输出电流值之前要做哪些...
发表于 06-18 09:13 37次 阅读
请问正常情况下芯片的操作顺序是什么?

能将5V到24V转到5V电压的芯片

想找一块能将5V到24V转到5V电压的芯片,或者模块,封装尽量要小,求推荐...
发表于 06-18 04:38 17次 阅读
能将5V到24V转到5V电压的芯片

请问华为4G模块ME909S-821怎么使用AT指令连接网络传输数据?

如题,模块使用串口转TTL转接板和电脑连接,模块已插上移动4G卡。 我的操作如下: 1:发送AT+CPIN?确认卡插好 2:...
发表于 06-18 04:37 22次 阅读
请问华为4G模块ME909S-821怎么使用AT指令连接网络传输数据?

移动宽带的新时代

从功能手机到智能终端的普及,从简单电信业务到海量应用的出现,再加上云计算、M2M等新流量助推剂的蓬勃发展,移动网络流量每年...
发表于 06-17 08:29 61次 阅读
移动宽带的新时代

3.5GHz产业市场巨大

2013年初,在巴塞罗那全球移动通信大会期间举办的3.5GHz圆桌会上,3.5GHz兴趣小组与其他多个业界组织取得共识,呼吁业界对于...
发表于 06-17 06:25 21次 阅读
3.5GHz产业市场巨大

PTN容量评估助力LTE演进

运营商现有的PTN网络在面向LTE演进时,是否满足高带宽的需求?又该如何进行扩容和改造?这些问题对习惯于传统SDH建设和...
发表于 06-17 06:09 26次 阅读
PTN容量评估助力LTE演进

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 2次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 24次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 38次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 28次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 31次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 34次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 49次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 50次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器