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今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

2018-12-01 09:23 次阅读

1.465亿!京东方宣布在重庆开建第三条6代线AMOLED生产线

在日前的投资者关系会议上,京东宣布开建第三条6代线AMOLED生产线,总投资465亿元,自此京东方在OLED面板上累计投资高达1395亿元,在成都、绵阳及重庆建设三条OLED生产线。

京东方公司宣布在重庆建设投资重庆第6代柔性AMOLED生产线项目,与成都6代线和绵阳6代线总投资相同,均为465亿元,设计产能相同,均为48K/月。随着这三条柔性AMOLED产线陆续投产,将能够奠定公司在柔性AMOLED领域的市场竞争优势地位,将能够使公司具备为全球品牌厂商提供高品质柔性AMOLED屏幕的能力。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

2.中国首颗!华存自研工规级别40nm eMMC主控芯片发布

江苏华存电子科技有限公司近日在ICTECH 2018中国存储芯片自主研发技术交流峰会上发布了HC5001存储主控芯片及应用存储解决方案。

据介绍,HC5001兼具高兼容性和高稳定度,支持第5.1版内嵌式存储器标准(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D Flash)三比特单元(TLC)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持最新第三代闪存接口(ONFI3.2)、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC),以及40nm工艺制程满足了高效能低功耗的嵌入式存储eMMC装置硬盘。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

市场风云

3.酷派起诉锤子科技!后者拖欠采购手机零部件数百万?

近日,酷派旗下子公司东莞宇龙通信科技有限公司向深圳法院提起诉讼,状告北京锤子数码科技有限公司拖欠款项。据报道,酷派相关负责人描述,此前锤子科技与酷派签订了一份交易合同,锤子向酷派采购一些手机零部件,涉及约1000多万元,但货物交付后,货款还有一半没有给,金额涉及四五百万元。

据悉,酷派方面曾同意,剩余货款可以由其他方式抵消,比如说联合推广宣传。但都没有执行。对此,锤子科技相关人士称正在了解中。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

4.台积电取得IBM最新服务器订单 挑战Intel独占市场地位

根据《Nikkei Asian Review》报导,台湾半导体大厂台积电将取得IBM重要订单,挑战英特尔在高价值数据中心(high-value data center)市场地位。

根据Trendforce分析师Liu Chia-hao的说法,数据中心服务器中的芯片有96%都是由Intel提供。但不包含IBM在内,因为该公司自行设计芯片,再委由第二大的晶圆代工厂格芯制造。现在IBM正在考虑要将订单交由台积电处理,因为台积电是市场上唯一提供7纳米制程的制造商。

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5.美国“七伤拳”若打海康威视,英伟达将难逃重创

日前,据传美国下一个制裁目标或许是安控大厂海康威视(Hikvision),其AI芯片主要来自于芯片大厂英伟达的供应。英伟达在图形芯片和AI相关芯片的领先地位,在中国和美国左右逢源,但随着贸易战开打,中美紧张关系持续升温,英伟达在夹缝中的日子并不好过。

美国英特尔、高通等芯片大厂也都销售产品给中国客户,但由于英伟达在最先进的AI芯片上稳坐第一把交椅,美国的限制技术出口理所应当会选择拿英伟达开刀。英伟达发言人则表示,中国警方的作业是依据普遍可取得的影像资料进行,英伟达无法追踪每个芯片的用途,但希望美国政府提供制裁实体的指引,公司将完全遵从。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

行业分析

6.国内封测厂异军突起,三大巨头囊括近四分之一市场份额

据CINNO Research对半导体供应链的调查显示,由于中国半导体产能持续开出,存储器产业成长维持高档和先进封装制程比重的逐渐攀升,第三季前十大专业封测厂产值较第二季度成长约5%,来到将近62亿美元。

其中江苏长电、华天科技和通富微电在这波中国半导体热潮当中积极冲刺,除了在中低阶封测产能上以积极的价格抢占市占外,在高端先进封装制程上也在快速追赶,目前这三家中国封测巨头已囊括将近四分之一的市场份额。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

7.深圳加快发展新兴产业方案出炉,为IC产业画了“五个圈”

近日,深圳印发了《深圳市人民政府印发关于进一步加快发展战略性新兴产业实施方案的通知》,提出以创新引领为核心,围绕七大战略性新兴产业,实施创新驱动发展战略,大幅提升产业科技含量,加快形成具有国际竞争力的万亿级和千亿级产业集群,促进更多优势领域发展壮大并成为支柱产业。

37个重点发展片区中,宝安燕罗片区、光明凤凰城、坪山高新区、宝龙科技城与沙井片区这5个片区,将重点发展集成电路产业。

今日要闻,国内封测厂异军突起,锤子拖欠酷派巨款

原文标题:本周半导体集锦:国内封测厂异军突起;锤子拖欠酷派巨款;台积电获得IBM服务器订单...

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BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 49次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 50次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器