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介绍使用Sigrity PowerTree软件模块抽取PCB中电源“电源树”结构的过程

EDA365 2018-07-12 15:46 次阅读

随着产品集成度的提高,PCB上各种型号芯片总功耗的增大,产品的电源供电设计变得越来越具挑战性,如何快速把一个产品复杂的电源连接关系清晰地用图形显示出来(以下称为“电源树”、“PowerTree”),然后在电源树上对数值进行输入并共享给相关软件调用将是产品硬件、PCB、PI仿真等人员非常感兴趣的话题。本文以一个数据加速卡产品的某个电源为例,介绍使用Sigrity PowerTree软件模块抽取PCB中电源“电源树”结构的过程,并对“电源树”中的元件赋上相应的电压、电流等参数后,最后在PowerDC仿真流程的对应模块中无缝导入这些数据,最终发现这种提取及应用电源树的方法非常便于模块重用、编辑、正确性检查及提高工作效率。

背景

PCB进行PI仿真分板时,有个必须的步骤是把不同电压给不同元件供电时的数据整理出来,把这些元件及其对应的电压、电流快速且准确地整理出来是一个耗时、耗力及需要耐心的工作。在获得非常规范的原理图原文件前提下,根据原理图的电源结构及元件信息整理出这些数据不会很难,但一线的工程师都明白:绝大多数情况下PCB/PI工程师拿不到原理图文件,只能在PCB文件或PDF格式原理图上下功夫,再从这些“一般都不规范”的原理图中整理出各电源与元件的连接关系及对应的电压与电流值。

在PI仿真过程中寻求一种新的工具快速整理出电源与元件的连接关系,或让最了解这方面的人提供这些数据是工程师们一直所追求的目标,这样不但会使数据更有保障还可以提高工作效率。本文将描述一个具有此功能的工具(PowerTree)在一个高速产品上进行电源结构(以下称:电源树)的提取过程,并共享出其中的方法、思路及视频。

电源树提取方法

日常PI仿真工作中,整理元件及不同电压下电流大小的方法时不同的公司在方法上会有差异,主要涉及到下面的几类工作与方法:

方法1:根据客户提供的材料,用手工画出相应的电源结构,如下图1所示。这个做法需要先了解PCB或原理图再在后期手工输出,后期画结构图会较耗时,且对梳理人员的各识技能有一定的门槛。

*数据来自《信号、电源完整性仿真设计与高速产品应用实例》第11章。

图1 手工绘制产品包含的电源结构示意图

方法2:使用EXCEL表格进行详细整理,算出涉及到的各个元件及功耗的信息,如下图2,这个过程也需要耗较长时间,数据需要与客户确认,是最常用的方法。

*数据来自《信号、电源完整性仿真设计与高速产品应用实例》第11章。

图2 手工整理数据并使用EXCEL显示方式

方法3:在PCB上通过“高亮”网络显示,这类显示较为直观,为大多现行PI工程师用来察看网络的连接情况时采用。

图3 PCB电源与相关元件连接的显示效果

本文提供的方法---使用PowerTree工具提取电源树

使用Sigrity提供的PowerTree模块,软件自动提取网络相连的全部元件且在新建的图中独立显示,如图4。与传统方式对比有“耳目一新”的感觉。

图4 使用PowerTree自动提取的整体效果

以上显示了主要IC及用于中间连通的电阻电感、磁珠等元件,还可以把此电源相连的电容也全部显示出来,因为需要一个第三方网表即可生成这个图形,因而这些工作可以由原理图设计者对电容元件的模型、IC的电压/电流等数据先进行前期的赋值,并把赋值后的文件保存,便于后面PI仿真时直接导入。

图5 POWERTREE显示电容赋模型及IC赋上电流值后的效果

实例应用体验

对《信号、电源完整性仿真设计与高速产品应用实例》第11章的例子加入PowerTree的使用的内容后,发现PowerTree的解决的 “痛点”主要集中在如下的几个方面:

1.       把一个项目的主要电源连接结构通过图形化单独显示,非常直观方便编辑

2.       在PI仿真阶段前期,对应元件的工作电流及电源模型可以让原理图工程师在PowerTree上完成,后期在PI储中直接调入,从而节省时间及减少错误

3.       通过PowerTree还方便为有相似的电源应用的项目提供参考

4.       PowerTree中的元件可以根据需要增减并可分发给不同部门检查

PowerTree与其它软件模块的数据关系图

PowerTree数据与周边的软件模块相互调用,对应的逻辑关系如图6

图6 POWER与其它模块的数据关系

PowerTree提取过程

这里介绍PowerTree调入第三方网表的使用方法。根据PCB DESIGN HOUSE日常的工作经验,很多情况下拿不到原理图原文件,第一方网表也不易获得,因而第三方网表最为适合。现在的EDA软件基本都可以输出PowerTree所需的第三方网表格式,因而PowerTree的使用可以应用到更多的EDA设计平台。

注:这里的方法基于《信号、电源完整性仿真设计与高速产品应用实例》中11章的内容,使用PowerTree提取从PCIE金手指(U2处供电)到各元件(U36、U41、U44、U51)的电源树结构。

注意点:链路中的N-Channel MOSFET管(U39)需要设为直通类型及设置对应的导通电阻(通过查DATASHEET得到导通电阻0.014Ω)。

图7 MOS管在12V链路中的连接情形

PowerTree使用过程简单,主要步骤:。

a)     新建一个PowerTree

使用图8 New Power Tree界面中的Allegro layout netlist file第三方网表选项

图8 新建PowerTree界面及推荐选项

b)     后面只需根据软件提供的界面流程一步一步操作(在此省略中间的步骤,可以参考软件自带HELP文档,或在作者微信公众号: amo_eda365上看相应的使用视频),到图9中的步骤把PowerTree上编辑的数据(Vrm、Sink、分立元件值或模型)后另存为pwt结尾的文件导入到PowerDC中。

图9 PowerDC仿真考流程中PowerTree应用菜单

c)PowerDC中数据在Apply Power Tree按钮进行数据无缝导入前后的效果比较图。

图10 Apply Power Tree前各IC的SINK数据待填入

图11 Apply Power Tree后各IC的Sink对应数据已自动更新

可见这些PowerTree设置的数据可以在PowerDC仿真过程中被直接导入更新,这样就大大提高了工作效率并减少出错的机会。

结论

本文所用PowerTree工具导入第三方网表的方法适用性非常广,可使用其它EDA设计平台生成的第三方网表,并且把电源树的关系及相关的电压、电流值及赋模型工作在原理图阶段由不同的人完成。文章使用PowerTree功能模块在实际项目PI仿真验证发现PowerTree对于电源网络的直观性、易用性及效率提高方面都很出色。

原文标题:产品电源网络(PowerTree)提取与应用

文章出处:【微信号:eda365wx,微信公众号:EDA365】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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和特点 噪声系数: 3.8 dB P1dB: +12 dBm 增益: 21 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH382是一款高动态范围、四级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为57至65 GHz。 HMC-ALH382具有21 dB小信号增益、4 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH382 低噪声放大器芯片,57 - 65 GHz

HMC-ALH369 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 22 dB P1dB输出功率: +11 dBm 电源电压: +5V (66 mA) 裸片尺寸: 2.10 x 1.37 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益,采用+5V/66 mA单偏置电源,噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²),HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 相控阵 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC-ALH369 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC342-DIE 低噪声放大器芯片,13 - 25 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 20 dB 单电源: +3V (36 mA) 小尺寸: 1.06 x 2.02 mm 产品详情 HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 毫米波点对点无线电 VSAT 和 SATCOM方框图...
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HMC342-DIE 低噪声放大器芯片,13 - 25 GHz

HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.9 dB (28 GHz) 增益: 9 dB P1dB输出功率: +12 dBm (28 GHz) 电源电压: +5V (45 mA) 裸片尺寸: 1.6 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH445是一款GaAs MMIC HEMT自偏置宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供9 dB增益、3.9 dB噪声系数(28 GHz)和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小,HMC-ALH445放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 宽带通信系统 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表方框图...
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HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB P1dB: +12 dBm 增益: 22 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH310是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空方框图...
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HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

和特点 噪声系数: 3.0 dB 增益: 20 dB P1dB输出功率: +12 dBm 电源电压: +2.5V (52 mA) 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH313是一款三级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为27至33 GHz。 该放大器提供20 dB增益、3 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+2.5V电源电压时功耗仅为52 mA。 由于尺寸较小(1.30 mm²),该放大器芯片适合用作LNA或驱动放大器,并可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 测试设备和传感器 军事和太空方框图...
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HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 4 dB 增益: 11.5 dB P1dB输出功率: +15 dBm 电源电压: +4V (60 mA) 裸片尺寸: 2.5 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH140是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供11.5 dB增益,采用+4V/66 mA偏置电源,噪声系数为4 dB。 由于尺寸较小(2.10 mm²),HMC-ALH140放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 18次 阅读
HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 12 dB P1dB输出功率: +13 dBm 电源电压: +4V (45 mA) 裸片尺寸: 2.50 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH244是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供12 dB增益、3.5 dB噪声系数,采用+4V电源电压时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小(3.5 mm2),HMC-ALH244放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 12次 阅读
HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 13次 阅读
HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 14次 阅读
HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
发表于 02-15 18:44 12次 阅读
HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 23次 阅读
HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 18次 阅读
HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 10次 阅读
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 17次 阅读
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 20次 阅读
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
发表于 02-15 18:41 14次 阅读
HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

AD605 双通道、低噪声、单电源可变增益放大器

和特点 两个独立的线性dB通道最大增益时的输入噪声:1.8 nV/√Hz,2.7 pA/√Hz -3 dB带宽:40 MHz差分输入可编程绝对增益范围:–14 dB至 +34 dB(FBK与OUT短路)可变增益调整比例:20 dB/V至40 dB/V增益不随温度和电源变化而变化单端单极性增益控制输出共模独立设置在增益控制下限时电源关断5 V单电源低功耗:每通道90 mW 产品详情 AD605是一款低噪声、高精度、双通道、线性dB可变增益放大器(VGA),并针对所有要求高性能、宽带宽可变增益控制的应用进行了优化。它采用5 V单电源供电,提供差分输入和单极性增益控制,使用方便。用户可决定增益范围,并通过外部基准输入提供用户决定的增益调整比例(dB/V),从而可实现更大的灵活性。借助差分输入、单电源指数放大器(DSX-AMP)架构,AD605可实现高性能线性dB响应。每个DSX-AMP均内置0 dB至-48.4 dB可变衰减器,后接高速固定增益放大器。衰减器基于7级R-1.5R梯形网络。触点之间的衰减为6.908 dB,整个梯形网络的衰减为48.360 dB。当VOCM偏置VP/2时,DSX-AMP架构提供1.8 nV/√Hz输入噪声谱密度,并接受±2.0 V输入信号。AD605的每个独立通道均提供48 dB增益...
发表于 02-15 18:40 21次 阅读
AD605 双通道、低噪声、单电源可变增益放大器