【四旋翼飞行器】76小时吃透四轴算法!史上最强软硬结合实战项目,👉戳此立抢👈

投资10亿欧元 博世德累斯顿半导体晶圆厂奠基已成,预计2019年底竣工

博世资讯小助手 2018-07-12 08:54 次阅读

近日,博世位于德国德累斯顿的半导体晶圆厂

举办奠基仪式。

投资10亿欧元 博世德累斯顿半导体晶圆厂奠基已成,预计2019年底竣工

博世集团董事会成员Dirk Hoheisel 博士在讲话中强调了新工厂对改善人们生活质量和道路安全起到的重要作用。这座投资约10亿欧元的高新技术工厂预计于2019年底竣工,2021年底正式投入运营,计划雇佣700名员工,首批员工将于2020年初开始在新厂工作。

建设工作如期进行中,整个施工阶段将运输约7500卡车的水泥,铺设总长约80公里的管道系统,并将使用总体积超6.5万立方米的混泥土。在这片占地约10万平方米(约合14个足球场)的土地上,一座近7.2万平方米、涵盖办公和生产区域的多层建筑将拔地而起。

半导体:物联网的关键技术

随着制造、交通、家居逐渐迈向互联化、电气化和自动化,半导体正成为一项现代核心技术。半导体芯片的制造是基于一个硅晶片,即俗称的晶片。晶片的直径越大,每一制造周期生产的芯片就越多。这就是为什么博世新工厂将重点生产300毫米晶圆的原因之一——因为与传统的150和200毫米晶片技术相比,300毫米晶片技术规模化生产效益更高。半导体是极其微小的集成电路,其结构以微米为单位计算。其制造过程是高度自动化和复杂的,生产周期长达数周,制造过程多达数百道工序,还需在无尘环境中进行,因为即使是周围空气中最微小的颗粒也会损坏精密的电路。

投资10亿欧元 博世德累斯顿半导体晶圆厂奠基已成,预计2019年底竣工

智能制造:大规模数据处理以提升产品质量

晶片的生产制造走在智能制造的前列。新工厂预计每秒将产生相当于500个文本页的生产数据——如果将它们都书写出来,每天将超过4200万页,重达22公吨。这就是为什么人工智能将在芯片制造过程中起到重要作用:高度自动化的生产设备会分析其自身数据以优化生产流程,从而提高芯片质量并降低生产成本。此外,计划与工艺工程师可以随时访问这些生产数据,以加速新晶片产品的开发,并尽可能在制造过程早期减少误差。

投资10亿欧元 博世德累斯顿半导体晶圆厂奠基已成,预计2019年底竣工

领先的半导体制造商

博世在各类型半导体制造领域已经拥有超过45年的经验,尤其是专用集成电路、功率半导体、微机电系统(MEMS)。从1970年起,博世生产的专用集成电路就开始应用于汽车,成为如安全气囊等功能的必要组件以及为各种应用进行定制化。平均而言,2016年全球生产的新车每辆都配备了至少有9个博世芯片。

原文标题:博世德累斯顿半导体晶圆厂正式奠基

文章出处:【微信号:bsmtxzs,微信公众号:博世资讯小助手】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

做芯片不赚钱?博通创始人贩毒被捕!

据外媒报道,美国拉斯维加斯检察官指控芯片巨头博通前CEO亨利-尼古拉斯贩毒。
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-16 11:04 309次 阅读
做芯片不赚钱?博通创始人贩毒被捕!

国产刻蚀机很棒,但造芯片只是“配角”

近来有网络媒体称,“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机,性能优良,将用于全球首条5纳米芯片制程....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-16 11:00 309次 阅读
国产刻蚀机很棒,但造芯片只是“配角”

中国大陆晶圆产能增幅创全球之最!

据IC Insights最新的调查报告显示,中国台湾IC晶圆厂月产能达到 412.6 万片约当 8 ....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-16 10:55 233次 阅读
中国大陆晶圆产能增幅创全球之最!

小心!LED芯片市场不容乐观,衰退趋势难挡?

近期,LED芯片行业可谓是“衰声一片”。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-16 10:52 226次 阅读
小心!LED芯片市场不容乐观,衰退趋势难挡?

重磅!传中方将采购美国芯片2000亿美元!

随着中美贸易谈判进入最后阶段,有美国媒体指中国愿意在6年内采购2000亿美元半导体产品,提升美国对华....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-16 10:52 293次 阅读
重磅!传中方将采购美国芯片2000亿美元!

2018年全球十大芯片买家出炉:华为第三,中国4家上榜

北京时间2月11日上午消息,市场研究公司Gartner发布了2018年半导体采购支出榜单。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-16 10:29 367次 阅读
2018年全球十大芯片买家出炉:华为第三,中国4家上榜

苹果将在德国售卖只内置高通芯片的产品

苹果公司周四表示,近期将在德国的商店中恢复销售旧版iPhone,但仅限于内置高通芯片的产品。德国法院....
的头像 刘某 发表于 02-16 10:28 381次 阅读
苹果将在德国售卖只内置高通芯片的产品

芯片制造工艺还是要靠自己_中国芯片制造工艺再进一步

据悉中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际已确定在今年6月投产14nmFinFET,同时更先进的12nmF....
的头像 刘某 发表于 02-16 10:10 189次 阅读
芯片制造工艺还是要靠自己_中国芯片制造工艺再进一步

苹果正在研制调制解调器芯片,以取代英特尔芯片

据消息人士透露,苹果公司正在加大力度研发调制解调器芯片,以提升自己的竞争力和独立性,试图摆脱对英特尔....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-16 09:52 219次 阅读
苹果正在研制调制解调器芯片,以取代英特尔芯片

地球为什么要流浪?(芯片角度分析)

大过年的那么多人看电影,我们肯定也去凑了热闹,为《流浪地球》增加点票房,看完之后除了里面的内容让我感....
发表于 02-16 08:26 44次 阅读
地球为什么要流浪?(芯片角度分析)

HMC-ALH382 低噪声放大器芯片,57 - 65 GHz

和特点 噪声系数: 3.8 dB P1dB: +12 dBm 增益: 21 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH382是一款高动态范围、四级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为57至65 GHz。 HMC-ALH382具有21 dB小信号增益、4 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH382 低噪声放大器芯片,57 - 65 GHz

HMC-ALH369 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 22 dB P1dB输出功率: +11 dBm 电源电压: +5V (66 mA) 裸片尺寸: 2.10 x 1.37 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益,采用+5V/66 mA单偏置电源,噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²),HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 相控阵 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH369 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC342-DIE 低噪声放大器芯片,13 - 25 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 20 dB 单电源: +3V (36 mA) 小尺寸: 1.06 x 2.02 mm 产品详情 HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 毫米波点对点无线电 VSAT 和 SATCOM方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC342-DIE 低噪声放大器芯片,13 - 25 GHz

HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.9 dB (28 GHz) 增益: 9 dB P1dB输出功率: +12 dBm (28 GHz) 电源电压: +5V (45 mA) 裸片尺寸: 1.6 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH445是一款GaAs MMIC HEMT自偏置宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供9 dB增益、3.9 dB噪声系数(28 GHz)和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小,HMC-ALH445放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 宽带通信系统 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB P1dB: +12 dBm 增益: 22 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH310是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

和特点 噪声系数: 3.0 dB 增益: 20 dB P1dB输出功率: +12 dBm 电源电压: +2.5V (52 mA) 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH313是一款三级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为27至33 GHz。 该放大器提供20 dB增益、3 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+2.5V电源电压时功耗仅为52 mA。 由于尺寸较小(1.30 mm²),该放大器芯片适合用作LNA或驱动放大器,并可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 测试设备和传感器 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 4 dB 增益: 11.5 dB P1dB输出功率: +15 dBm 电源电压: +4V (60 mA) 裸片尺寸: 2.5 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH140是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供11.5 dB增益,采用+4V/66 mA偏置电源,噪声系数为4 dB。 由于尺寸较小(2.10 mm²),HMC-ALH140放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC-ALH311 低噪声放大器芯片,22 - 26.5 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 25 dB 噪声系数: 3 dB (25 GHz) 电源电压: +2.5V (52 mA) 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH311是一款GaAs MMIC HEMT低噪声驱动放大器芯片,工作频率范围为22至26.5 GHz。 该放大器提供25 dB增益、3 dB典型噪声系数(25 GHz)和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+2.5V电源电压时功耗仅为52 mA。 HMCALH311适用于22至26.5 GHz频率范围的微波无线电驱动放大器应用。 由于尺寸较小,HMC-ALH311芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点数字无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH311 低噪声放大器芯片,22 - 26.5 GHz

HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 12 dB P1dB输出功率: +13 dBm 电源电压: +4V (45 mA) 裸片尺寸: 2.50 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH244是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供12 dB增益、3.5 dB噪声系数,采用+4V电源电压时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小(3.5 mm2),HMC-ALH244放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 0次 阅读
HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
发表于 02-15 18:41 0次 阅读
HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

和特点 宽增益控制范围: 23 dB 单控制电压 输出IP3(最大增益): +30 dBm 输出P1dB: +22 dBm 无需外部匹配 裸片尺寸: 2.26 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC694是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器裸片,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器非常适合微波无线电应用,提供高达24 dB增益、22 dBm输出P1dB、30 dBm输出IP3(最大增益时),同时在+5V电源下功耗仅为170 mA。 提供栅极偏置(Vctrl)使可变增益控制高达23 dB。 HMC694在6至17 GHz范围内的增益平坦度非常出色,因而非常适合EW、ECM和雷达应用。 由于尺寸较小且无需外部匹配,HMC694可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 EW和 ECM X频段雷达 测试设备 方框图...
发表于 02-15 18:38 0次 阅读
HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

由于美国方面对于华为发起了刑事诉讼,为避免未来可能遭遇的供应链被切断的问题,最新的消息显示,华为目前....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 16:56 714次 阅读
传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

HP 4155B半导体参数分析仪/HP 4156B精密半导体参数分析仪

4155B/4156B datasheet.
发表于 02-15 16:34 62次 阅读
HP 4155B半导体参数分析仪/HP 4156B精密半导体参数分析仪

韩国半导体制造商SK Hynix财报显示,该季度销售额为9.94万亿韩元

但是,有增长必然会有下滑,考虑到服务器和PC制造商——以及他们的最终客户——不得不付出更高价值,所以....
的头像 存储界 发表于 02-15 16:14 830次 阅读
韩国半导体制造商SK Hynix财报显示,该季度销售额为9.94万亿韩元

一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

另外,越来越多上市公司股东通过股权质押方式获得现金流,几乎到了“无股不押”的程度。在LED行业内,绝....
的头像 高工LED 发表于 02-15 15:55 217次 阅读
一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

瑞士信贷(Credit Suisse)董事总经理、台湾股票研究主管Randy Abrams表示,许多....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:55 453次 阅读
芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

池州市扎实谋划推进省级半导体基地建设 将围绕省级半导体基地新三年实施方案目标任务

近年来,安徽省池州市充分利用省级半导体基地的金字招牌和真金白银的支持政策,大力扶持战略性新兴产业发展....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:38 209次 阅读
池州市扎实谋划推进省级半导体基地建设 将围绕省级半导体基地新三年实施方案目标任务

中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

2月14日,国内晶圆代工大厂中芯国际发布2018年第四季度业绩,宣布14nm工艺进入客户验证阶段,且....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:25 488次 阅读
中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

2018年美国八家半导体公司研发费用过超过10亿美元

英特尔从2012年研发费用突破百亿大关后,已经连续7年增长,2018年更是高达135亿美元。英特尔的....
的头像 集成电路园地 发表于 02-15 13:52 506次 阅读
2018年美国八家半导体公司研发费用过超过10亿美元

SF16A18国产路由器芯片打破了国外无线路由芯片垄断局面

我们如今身处在一个网络化的社会中,手机、电脑以及各种移动终端让我们离不开无线网络,路由器几乎部署在了....
发表于 02-15 13:43 139次 阅读
SF16A18国产路由器芯片打破了国外无线路由芯片垄断局面

快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

英特尔公司的爱尔兰总经理思诺特(Eamonn Snutt)表示:「英特尔爱尔兰公司向基尔代尔县议会提....
的头像 高工智能未来 发表于 02-15 11:10 275次 阅读
快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

当你走进家门,灯会自动开启,甚至电视会自动打开,播放你最喜欢的节目。而当你准备睡觉时,灯的亮度会自动....
的头像 联发科技 发表于 02-15 10:54 1386次 阅读
联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

首尔半导体向荷兰Rofianda B.V.植物照明供应自然光谱LEDs SunLike

“我们很高兴能与首尔半导体合作推出差异化的LED植物照明。首尔半导体SunLike作为一款‘真正的太....
的头像 Excelpoint世健 发表于 02-15 10:39 267次 阅读
首尔半导体向荷兰Rofianda B.V.植物照明供应自然光谱LEDs SunLike

Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

集微网消息,近日有外媒曝光了 Moto 新机 P40 的参数。而在 Moto P40 的参数中,笔者....
的头像 MCA手机联盟 发表于 02-15 10:16 375次 阅读
Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

韩最高法院起诉高通违反贸易公平法,涉嫌垄断的案子有了新进展

KFTC认为高通滥用市场垄断地位,在销售芯片时强迫手机制造商为一些不必要的专利支付费用,同时他们还拒....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 10:13 576次 阅读
韩最高法院起诉高通违反贸易公平法,涉嫌垄断的案子有了新进展

吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

据“今吴江”报道,2月13日,苏州吴江新区(盛泽镇)举行2019年吴江区新春重大项目集中开工活动,3....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:50 369次 阅读
吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

深圳市发改委组织征集2019年人工智能项目 将围绕多个领域推动人工智能融合创新应用

2018年,广东省正式发布《广东省新一代人工智能发展规划》,将推动多个人工智能产业集约集聚发展,其中....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:37 503次 阅读
深圳市发改委组织征集2019年人工智能项目 将围绕多个领域推动人工智能融合创新应用

当光遇上纳米技术会碰撞出什么样的火花

伴随着现代微纳米加工技术的不断发展,科学家拥有了在纳米尺度上操纵光子的前所未有的能力,衍生出了纳米光....
的头像 MEMS 发表于 02-14 15:56 459次 阅读
当光遇上纳米技术会碰撞出什么样的火花

AMD如何成为半导体企业里的网红企业

近些天,正处于各公司的财报“轰炸”期,而在所有营收报告中,最为亮眼的莫过于AMD了,其在股市的表现,....
的头像 传感器技术 发表于 02-14 14:56 389次 阅读
AMD如何成为半导体企业里的网红企业

意法半导体与晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权

可以说此次收购是ST在SiC晶圆产能紧缺之下作出的又一应对举措。在今年初,ST就与Cree签署一份多....
的头像 中国照明电器协会 发表于 02-14 14:34 668次 阅读
意法半导体与晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权

探访我国首条压敏传感芯片生产车间

12年坚持终圆芯片制造梦,探访我国首条压敏传感芯片生产车间作为湖南省重点项目。
的头像 MEMS 发表于 02-14 14:32 406次 阅读
探访我国首条压敏传感芯片生产车间

ST推出具有机器学习功能的新型运动传感器

意法半导体在其先进的惯性传感器内集成机器学习技术,提高手机和可穿戴设备的运动跟踪性能和电池续航能力。
的头像 MEMS 发表于 02-14 14:29 418次 阅读
ST推出具有机器学习功能的新型运动传感器

车用半导体市场不景气 瑞萨将裁员千人

近日瑞萨电子公布了2018年度财报,因全球经济不景气,车用以及工厂自动化等产业用半导体芯片需求减弱,....
的头像 芯智讯 发表于 02-14 14:27 359次 阅读
车用半导体市场不景气 瑞萨将裁员千人

华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

市场研究公司Gartner Inc日前指出,中国网络设备和智能手机供应商华为去年的半导体支出暴增45....
的头像 EDA365 发表于 02-14 14:24 944次 阅读
华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

据亚马逊官方介绍,AWS Inferentia提供数百 TOPS(每秒万亿次运算)推理吞吐量,以允许....
的头像 传感器技术 发表于 02-14 13:58 628次 阅读
亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

2万亿进口额背后的中国芯发展历程

2018年底,工信部设立的国家集成电路产业基金开始了第二轮募集资金,预计筹资总规模为1500亿~20....
的头像 中关村集成电路设计园 发表于 02-14 13:53 516次 阅读
2万亿进口额背后的中国芯发展历程

新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

对于5G来说同样如此,5G从商用到普及是一个系统工程,首先需要的是网络的基本覆盖,大量的配套到位,才....
的头像 第一手机界 发表于 02-14 11:11 648次 阅读
新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载。
发表于 02-14 08:00 15次 阅读
nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载

智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

2018年,全球智能无线耳机零售市场规模达到新高点。2019年的智能无线耳机市场,去手机化成为智能无....
发表于 02-14 08:00 328次 阅读
智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

Altium designer批量导入引脚的详细资料说明

随着集成电路的发展,芯片的管脚数量越来越多。比如xilinx V6 系列的FPGA 芯片动辄上千管脚....
发表于 02-13 17:18 32次 阅读
Altium designer批量导入引脚的详细资料说明

xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载
发表于 02-13 17:16 35次 阅读
xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

据新湖南客户端报道,我国首条具有完全自主知识产权的压敏传感芯片生产线已于1月16日在浏阳高新区成功通....
的头像 半导体动态 发表于 02-13 16:23 311次 阅读
我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

探析下一代半导体材料在改造照明技术方面的潜力

美国乔治亚理工大学(Georgia Institute of Technology)的一个国际研究团....
的头像 CNLED网 发表于 02-13 14:17 231次 阅读
探析下一代半导体材料在改造照明技术方面的潜力

Nichia首次展出工业用激光与UVLED产品

Photonics West 2019为光电业规模最大,参观者最为集中的国际光电展,每年一度在旧金山....
的头像 CNLED网 发表于 02-13 14:10 236次 阅读
Nichia首次展出工业用激光与UVLED产品

探讨国外人工智能芯片发展状况

人工智能芯片作为终端实现人工智能算法的载体,是实现人工智能技术创新的重要基础;同时,作为人工智能时代....
的头像 全球技术地图 发表于 02-13 13:56 516次 阅读
探讨国外人工智能芯片发展状况

如何进行无线电流检测

上期的参考电路,大家表示很感兴趣→ 那就继续我们的“组合参考电路”系列,今天的电路将告诉我们如何进行无线电流检测。 ...
发表于 02-13 13:32 59次 阅读
如何进行无线电流检测

请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 27次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

深度分析电感型电导率传感器的应用

电导率传感器技术是一个非常重要的工程技术研究领域 ,用于对液体的电导率进行测量 ,被广泛应用于人类生....
的头像 传感器技术 发表于 02-13 10:45 1343次 阅读
深度分析电感型电导率传感器的应用

后摩尔定律世界存在怎样的新问题

加速器已经无处不在:世界上的比特币是由旨在加速这种加密货币的关键算法的芯片采矿得来,几乎每一种能发出....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 02-13 10:16 212次 阅读
后摩尔定律世界存在怎样的新问题

比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

与芯片本身内部的互连相比,这些链路吸收能量并且速度慢。 更重要的是,由于芯片和印刷电路板的机械特性之....
的头像 新智元 发表于 02-13 10:04 298次 阅读
比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

全球硅晶圆2018年出货创历史记录

SEMI SMG在其对硅晶圆行业年终分析报告中指出,2018年全球硅晶圆面积出货量同比增长8%达到历....
的头像 集成电路园地 发表于 02-13 09:09 505次 阅读
全球硅晶圆2018年出货创历史记录

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 84次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

请问用什么12V降5V的芯片比较好?

用什么12 V降5V的芯片比较好?
发表于 01-28 06:36 76次 阅读
请问用什么12V降5V的芯片比较好?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?
发表于 01-24 15:01 331次 阅读
推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 233次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 243次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 175次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?

问题如题。在校学生做项目遇到问题请大家帮忙回答...
发表于 01-18 09:34 71次 阅读
请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?