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四大场景,三大应用领域,ST在工业领域持续开疆辟土

荷叶塘 来源:电子发烧友网 作者:程文智 2021-11-29 08:00 次阅读
(文/程文智)在月初的“意法半导体工业峰会2021”上,ST表示,他们可以提供5,000多款适合各种工业场景的半导体产品和解决方案。这些产品和解决方案可主要应用在智能农业、智能制造、智能基础设施和环境,以及绿色能源网络四大场景中。

这些年来,亚洲成为了第一大工业产品市场,ST总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery在峰会上通过视频方式透露了ST在工业市场的布局,未来几年,ST将会特别关注对可再生能源、绿色出行和能源效率有益的应用,例如工厂自动化、电动汽车充电基础设施、家用电器、太阳能和风能以及智能工厂机器人。

同时,电子发烧友网在峰会期间与ST多位负责工业市场的高管进行了交流,了解到了ST在工业市场的一些新动向和新动作。

智慧农业成为ST新的应用场景
智慧农业是ST今年新增的一个应用场景展示,展示的方案有智能照明、土壤湿度和温度检测、水质监测、风速和风向监测以及自动割胶机等。

谈到为何会新增这个应用场景展示时,ST亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁沐杰励(Francesco MUGGERI)表示,虽然目前智慧农业的市场需求还不是特别大,但其实二氧化碳的排放很大一部分是来自农业,比如说奶牛养殖。对奶牛和其他牲畜进行监控或许可以帮助减少碳排放。
图:ST亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁沐杰励(Francesco MUGGERI)

另外,前几年流行的猪流感如果有更多智能技术的支持,或许能避免此类疾病的传播,减少养殖户的损失。

因此,有一些大公司,包括中国公司,要求开发非常复杂的系统,通过传感器无线通信,跟踪牲畜,并能够与在农场发生的一些其他情况进行数据交换。

ST亚太区功率分立及模拟器件产品部,工业产品应用及市场总监, 自动化技术创新中心负责人 AllanLagasca则介绍了一个具体的应用案例---割胶机。中国有1亿多棵橡胶树,而割胶工人却越来越少,同时,如果想以最有效的方式收割橡胶树汁,需要在凌晨4点左右割胶。
图:ST亚太区功率分立及模拟器件产品部,工业产品应用及市场总监, 自动化技术创新中心负责人 AllanLagasca

这就需要一台机器来收集树液,同时也确保可以拥有一个更健康的环境和健康的劳动力。因为使用了自动化机器,减少了浪费,不会过度收割橡胶汁,而且还提高了割胶效率,此时,电子设备就可大展身手了。“这也是为什么我们在展示区展示了这样的一些机器,这些机器搭载了我们的POWERSTEP01电机驱动器。在中国市场上,我们的MCU团队也在推动着衔接方面的工作。我们还使用我们的LoRaWAN技术和我们的STM32WLMCU,连接并监测橡胶树汁收集桶是否已经装满。装满了之后,就派工人取回来。这样就避免了浪费。不仅提高了效率,也减少了浪费。同时,这对工人和农民的帮助也很大。”AllanLagasca对媒体表示。

同时,他还补充说,他们还在每棵树上安装了STM32WLMCU,可以让客户收集设备周围整片区域的大量数据。有了积累的数据,农民就能优化并更好地生产橡胶。这项技术还可以扩展到家畜。当然,树是静止不动的,但家畜是活的,会移动位置。通过ST支持的两种协议LoRa或Sigfox,客户能够加强对这些家畜的管理。


推出8英寸碳化硅晶圆和更多氮化镓产品
这几年,新能源汽车发展迅速,国内目前新能源汽车领域有很多新的技术都来自中国,沐杰励表示,ST与很多中国汽车厂商都有合作,比如比亚迪等。

他拿充电站举例说,目前类似加油站环境的充电站,很多都要求能够在半小时,甚至更短的时间内给电动汽车充好电。这就需要更大功率的充电站,比如要在20~30分钟内为120千瓦时电池充电,就需要350千瓦的充电站。而这类充电站内的半导体价值将超过300美元。

在充电站用到的半导体中,沐杰励认为具有强大计算能力和带有高级功能的MCU、IGBT,以及SiCMOSFET,以及数字电源解决方案将成为关键。

在第三代半导体材料方面,ST在SiC和氮化镓方面都有大量投入,据沐杰励透露,ST已经收购了Norstel,目标是垂直整合供应链。其SiC晶圆目前主要供应来自两大公司,一家美国的Wolfspeed Cree,另一家是德国的SiCrystal。不过,ST也在自己生产部分晶圆,“我们的目标是到2024年,实现40%的内部晶圆供应。为此,除了瑞典北雪平市的晶圆厂之外,我们还在意大利卡塔尼亚也建了一座晶圆厂。这座新厂正在建设之中,很快就可以投入使用。我想该厂在明年年中基本上就可以使用了。”他对电子发烧友网表示。

众所周知,目前的SiC产品普遍使用的是6英寸的晶圆,但ST已经在生产8英寸晶圆样品。他强调说,ST已经向市场推出了其第三代碳化硅技术,不久将推出第四代,以后还将推出第五代碳化硅技术。

在氮化镓方面,ST已经在法国图尔市投入了氮化镓生产,很快将拥有其自己的技术。“我们一直在对EXAGAN公司进行投资,我们已经收购了该公司的大部分股份,该公司有着非常有趣的专利。我们正在全速前进通过涵盖三个方面的技术。我们将有常开的G-FET™在这种情况下需要在器件内部进行级联配置的氮化镓驱动器。我们也会推出常闭型e-mode GHEMT™技术,以及带有嵌入式硅数字门的超快速氮化镓驱动器G-DRIVE™。这三个PowerGaN系列都会相继推出。”沐杰励表示。

目前,ST已经申请了STPower GaN和STI2GaN商标。其中,STI2GaN主要面向汽车领域;STPower GaN的技术主要面向SMPS领域。他同时指出,“我们也在推进射频方面的工作。我们正在使用在硅和镓上的两种特别的技术。我们正在与一些公司合作。还有,就是我们在市场上推出了MasterGaN产品,并进入了市场。目前在充电器方面已有应用。”

聚焦三大领域创新
ST在亚洲工业市场的战略是聚焦电源和能源、电机控制和自动化三大领域。为此,ST还专门成立了三大技术创新中心:电源和能源技术创新中心、电机控制技术创新中心、自动化技术创新中心。

电源和能源技术创新中心专注于能源产生和分配、计量、无线充电、电力系统、消费类电子产品电源、照明等。

电机控制技术创新中心专注于专业电器、工业电机控制器、工业运输和其他消费品,以优化从电能到动能的转换效率。

自动化技术创新中心重点关注智慧城市、智能楼宇、智能家居、智能农业、工业机器人、自动化,在这些领域需要支持电能的智能使用。

电机控制对半导体的需求越来越大,因为变频式电器已经成为主流。变频式电机控制可以延长电器的使用寿命,减少设备噪音,节约能源。

据了解,ST提供的产品组合非常广泛,如STM32 G0、G4系列等等。此外,还有STSPIN系统级封装电机控制器和栅极驱动器、ST功率分立器件,如IGBT、MDmesh MOSFET、IPM模块。
在这三大领域,ST本次峰会展示多款相关产品和解决方案,比如:
电源和能源:3kW数控无桥图腾柱功率因数校正 (PFC) 变换器使工程师能够用意法半导体最新的电源开发套件,包括 SiC MOSFET、低 Rdson 的超级结 MOS IC、电流隔离栅极驱动器和 32 位 MCU,设计创新的功率变换拓扑,该参考设计还为设计高峰值能效和低 THD 失真的70kHz紧凑型功率变换器开辟了道路。

电机控制:双电机同步位置控制模型可以精确同步两个PMSM 电机的转子位置,驱动电机快速旋转,当两侧的步进电机驱动PMSM 电机的叶片汇合一处时,电机控制器可以控制两个叶片绘出峰会的标志图案。该解决方案的核心是基于STM32G4 的运行意法半导体 FOC 软件开发套件 (SDK) 的高集成度的STSPIN32G4 系统级封装,协调组件是PowerSTEP 电机驱动器,展示了意法半导体电机控制应用高性能解决方案和广泛的生态系统。

自动化:多轴智能协作机械臂具有体积小、集成度高、智能化的特点,易于安装和部署。凭借这些优势,机械臂有望在工厂自动化中的普及率越来越高,用于辅助重复性工作,提高生产率。

众所周知,工业市场在应用方面非常复杂和分散,它反映了产品层面的复杂性。为了满足工业市场的需求,特别是大众市场的需求,ST创建了一个完整的生态系统。沐杰励表示,“我们拥有一个全球专业网络,系统研究与应用团队(System research application)、技术创新中心、应用技术工程师均可在任何阶段为您提供支持,以丰富专业资源满足客户需求。”

继续在工业市场开疆辟土
ST持续在工业市场开疆辟土,比如在工业嵌入式领域,会继续大力投资产品研发,尤其是STM32产品组合。他们计划继续扩大STM32产品阵容,增加功能、提高性能、不断改进生态系统,并将重点放在无线连接、安全和人工智能方面。

特别是人工智能方面,据Jean-Marc Chery介绍,ST最近收购了一家专注于边缘人工智能软件工具的专业开发公司Cartesiam,计划将该公司的机器学习技术添加到ST现有的解决方案中,以提供市场上最好的边缘人工智能解决方案组合。

在模拟和传感器方面,加快模拟和传感器的业务发展,扩大电源和能源管理业务。这一块的重点在电机控制、电源、计量和电流隔离技术等方面。ST还一直在开发专为工业需求量身定制的传感器产品组合。

在电源和能量管理方面,前面有提到ST在第三代半导体技术方面的持续投入。这些技术是提高能效的关键,有力于促进电动汽车的普及。 且ST正在加快对碳化硅的产能投资,计划到2024年,把碳化硅晶圆产能提高到 2017 年的10 倍,40% 的衬底从内部采购。同时,他们也在提高新加坡工厂的产能,以及SiC后工序产能,投资扩建ST在摩洛哥 Bouskoura以及中国深圳的封测厂。

除了投资第三代半导体,ST还投资 IGBT 和硅 MOS技术,并正在采取措施加快其意大利Agrate新工厂 300 毫米功率晶圆厂建设。
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    发表于 11-16 08:50 101次 阅读

    正确理解DC/DC转换器

     一、正确理解DC/DC转换器:  DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类:...
    发表于 11-16 06:32 0次 阅读

    DC/DC稳压电源电路设计原理

      在电子产品设计过程中,电源通常是必不可少的部分,很多设备(尤其是使用电池的设备)的电源都是以DC/DC为主的。这些电源一...
    发表于 11-11 06:14 0次 阅读

    T1050-8G-TR STMicroelectronics 标准和Snubberless™三端双向可控硅

    oelectronics标准和Snubberless™三端双向可控硅可采用通孔或表面贴装封装,适用于通用电源交流开关。它们可以用作静态继电器、加热调节或感应电机启动电路等应用的开/关功能。由于Snubberless版本具有高换向性能,特别推荐用于感性负载。 特性 中等电流三端双向可控硅 夹子结合,热阻低 用于绝缘BTA的低热阻绝缘陶瓷 BTA系列UL1557认证(文件参考号:81734) 高换向 (4Q) 或非常高换向 (3Q, Snubberless™) 能力 封装符合RoHS (2002/95/EC) 指令 ...
    发表于 11-20 09:07 142次 阅读

    LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

    oelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器是低电压40mA、16通道驱动器,设计用于LED面板显示屏。LED1642GW确保20V的输出驱动能力,用户可以以串联方式连接若干个LED。在输出级,16个稳压电流源提供从3mA到40mA的恒定电流,来驱动LED。电流通过外部电阻器进行设定,并可以由一个7位电流增益寄存器在两个子范围进行调整。各通道亮度可通过12/16位灰阶控制分开进行调整。电源电压范围从3V到5.5V。 特性 16个恒定电流输出通道 输出电流:从3mA到40mA 电流可编程通过外部电阻 两个范围内的7位全局电流增益调整 12/16位PWM灰度亮度控制 可编程输出开启/关闭时间 错误检测模式(打开和短路-LED) 可编程短路LED检测阈值 自动节电/自动唤醒 可选择的SDO同步在CLK下降边缘 拉杜尔输出延迟(可选) 供电电压:3V至5.5V 热停机和超温报警 30MHz 4线接口 20V电流发生器分级电压 ...
    发表于 11-13 09:07 146次 阅读

    STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

    relectronics STLUX385A 数字 LED 照明驱动器是 ST MASTERLUX™ 数字器件系列产品,专门用于照明和电源转换。STLUX385A 成功集成了多种架构和应用,从用于 LED 驱动的简单降压转换器、用于功率因数校正的升压转换器、用于可调光 LED 灯串的半桥谐振转换器,一直到 HID 灯镇流器中的全桥控制、无线电源充电器及电视电源等各种应用。 SMED SMED是由内部或外部事件触发的硬件状态机。 例如,在电源应用中,SMED可以关闭调节回路,当它检测到过流或短路时自动关闭电路,从而保护电路。 由于SMED是嵌入的,它们保证了比标准中断驱动微处理器提供的事件反应时间短。 特性 6SMED控制的PWM提供任何功率转换阶段(状态机事件驱动)的完全控制) 集成DALI(数字可寻址照明接口),实现控制、通信和监控功能 集成数字核心,使STLUX易于使用和可编程 新的...
    发表于 11-11 09:07 147次 阅读

    STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

    oelectronics无刷电机驱动器是采用三相桥式配置的功率驱动器。其中包括用于霍尔效应传感器、PWM电流控制器和微控制器、DSP或FPGA的内置解码逻辑。这些器件包括针对过热、过流和欠压条件的保护和诊断特性。这样即可实现稳健可靠的设计。这些驱动器采用多种节省空间的散热增强型封装。STSPIN 3相BLDC电机驱动器IC为电机和运动控制提供了即用型解决方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
    发表于 11-10 09:07 298次 阅读

    LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

    oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
    发表于 11-09 12:07 181次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 151次 阅读

    PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

    oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
    发表于 11-09 12:07 125次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 284次 阅读

    ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

    oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
    发表于 11-05 17:07 107次 阅读

    LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

    oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
    发表于 11-05 17:07 169次 阅读

    VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

    半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
    发表于 10-30 14:06 144次 阅读

    PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

    oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
    发表于 10-30 14:06 171次 阅读

    LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

    oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
    发表于 10-30 14:06 97次 阅读

    LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

    oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
    发表于 10-30 11:06 119次 阅读

    LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

    oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
    发表于 10-30 11:06 108次 阅读

    STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

    oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
    发表于 10-30 10:06 247次 阅读

    STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

    oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
    发表于 10-30 10:06 194次 阅读

    LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

    oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
    发表于 10-30 10:06 172次 阅读

    L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

    oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
    发表于 10-30 10:06 228次 阅读

    L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

    oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
    发表于 10-29 13:06 132次 阅读