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SK海力士入股泰科天润 SiC晶圆成各大厂必争之地

elecfans 来源:电子发烧友网 作者: 梁浩斌 2021-11-15 09:03 次阅读

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日,有消息称SK海力士无锡投资公司参与了SiC晶圆厂泰科天润的D轮融资,成功入股泰科天润。SK集团本身具备SiC晶圆厂,但这是SK海力士在中国第一次投资SiC相关项目。

泰科天润是国内较早入局SiC功率半导体的IDM企业,在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸SiC晶圆产线。其中,位于湖南浏阳的厂区在2019年开始建设,项目一期投资5亿元,可实现年产6万片6英寸SiC晶圆。而在今年7月,泰科天润宣布6英寸产线已通线,目前规模线顺利投产。

投资不断,大厂抱团提升SiC产能

数据显示,目前全球SiC晶圆年产能仅在40-60万片,考虑到目前SiC晶圆的尺寸普遍还处于6英寸,甚至4英寸。所以单片晶圆能够制造的芯片数量并不多,这也导致了供应缺口。

对于SiC需求量巨大的新能源汽车行业来说,以特斯拉Model 3为例,其中的主逆变器需要24个电源模块,每个电源模块需要2个SiC MOSFET裸片,即每辆汽车需要有48个SiC MOSFET裸片。

未来平均2辆Model 3就消耗一片6英寸SiC晶圆。按照电动汽车的增长趋势,全球SiC晶圆产能将远远跟不上需求。

SK集团此前预测,到2025年,电动汽车用SiC半导体的使用率将从目前的30%上升到60%以上,SiC晶圆市场规模将从2021年的2.18亿美元扩大到8.11亿美元。

而据TrendForce预测,全球SiC功率市场规模至2025年将达33.9亿美元,年复合成长率达38%。所以,SK集团此前也计划到2025年,SiC晶圆产能从今年的3万片增长至60万片,并将自己的全球市占率从5%提升至26%。他们预计,2021年自家SiC晶圆业务的销售额将达到300亿韩元(约1.6亿人民币),并计划到2025年将销售额提高到5000亿韩元(约27亿人民币)。

所以SK集团在近两年一直在大力投资SiC晶圆。早在去年2月29日,SK集团宣布完成以4.5亿美元的价格收购杜邦SiC晶圆事业部的交易;今年一月,SK集团向韩国SiC功率半导体企业Yes Power echnologies投资268亿韩元;今年9月,SK集团的控股子公司表示,到2025年,将在尖端材料领域投资5.1万韩元(约合276亿人民币),其中有7000亿韩元(约合合37.9亿人民币)用于SiC晶圆;在11月12日,在SK集团向美国商务部提交的数据中显示,SK集团决定未来五年在美国投资超6亿美元建设晶圆厂。

除了SK之外,同样在近日, 全球最大的汽车零部件供应商博世也发布公告,表示将联合欧洲七个国家的34家公司、大学、机构等,其中包括从材料、基板到逆变器和转换器的供应商,在欧洲打造一条从晶圆到电子设备的完整SiC供应链。该项目预算超过1.4亿美元,这或许是欧洲建立本土半导体供应链的一次尝试。

而其他大厂近几年也一直在大力投资增加SiC晶圆、衬底产线,还有通过收购、入股等延伸SiC领域的版图。

今年8月,安森美宣布以4.12亿美元现金收购SiC生产商GT Advanced Technologies,并计划其原有的产线,推进6英寸和8英寸SiC晶体生长技术量产。

今年5月,英飞凌与昭和电工签订了为期两年的供应合同,内容包括SiC外延片在内的多种SiC材料,英飞凌还对年度最低购买量作出了承诺,这为未来双方的继续合作留下了伏笔。在与英飞凌签订合同之后,8月,昭和电工就宣布将投资58亿日元用于增加SiC晶片和锂离子电池组件的生产,增产工程预计于2023年12月完工;9月,昭和电工又宣布与罗姆签订了功率半导体用SiC外延片的多年长期合作合同。

而全球最大的SiC供应商Wolfspeed在近期确认,其位于美国纽约州的全球最大SiC晶圆工厂有望将会在2022年初投产,并聚焦于车规级产品,这也是SiC目前需求最大的细分市场。

有意思的是,刚刚产出首批8英寸SiC晶圆的ST,也在今年8月与Wolfspeed扩大现有的多年长期碳化硅晶圆供应协议。修订后的协议要求Wolfspeed在未来几年向 ST 提供8英寸SiC裸片和外延片,价值超过 8 亿美元。

目前的市场状况就是,Wolfspeed作为全球最大SiC衬底供应商,为英飞凌、ST等SiC器件厂商供应衬底的同时,又与他们在SiC器件市场上直接竞争。这或许是在SiC产业发展阶段,大厂相互抱团,希望共同推动SiC器件加速进入市场。

新能源车拥抱SiC,国内产业加速追赶国际步伐

今年下半年,吉利、蔚来、小鹏都发布了自己在SiC器件应用方面的计划。9月蔚来子公司蔚然动力公开了自研SiC功率模块工艺实验线的计划,同时蔚来在明年年初交付的ET7车型也确定使用SiC模块电控平台;10月小鹏汽车表示将推出800V SiC平台,大幅提高充电速度和电驱效率;同月吉利汽车也宣布自研自产的碳化硅功率芯片将于2023年量产。

国内SiC产能在近年在高速扩张,除了SK海力士入股的泰科天润外,今年9月在科创板IPO成功过会的山东天岳也是国内比较领先的SiC衬底供应商。Yole统计的数据显示,2019年以及2020年,山东天岳在全球SiC衬底市场占有率中,仅次于Wolfspeed以及 II-VI排名第三。

不过,山东天岳目前的产品主要是4英寸,6英寸预计到2023年量产,与国际大厂差距较大。

另外,国内LED芯片巨头三安光电投资160亿元的国内首条SiC垂直整合生产线在今年6月正式投产,可月产3万片6英寸SiC晶圆;晶盛机电在10月发布公告称预计募资超过33亿元投入到建设6英寸SiC衬底项目,计划年产40万片6英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型SiC衬底。

小结

随着SiC功率半导体的应用在新能源汽车上逐渐推广开,未来10年将会是SiC产业爆发增长的时期。但相比与硅基半导体,SiC不仅在技术上,在市场、应用方面都需要产业链的共同推进,在竞争中合作,大概会是未来SiC产业的主旋律。

声明:本文由电子发烧友原创,转载请注明以上来源。如需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱huangjingjing@elecfans.com。

编辑:jq

原文标题:SK海力士入股泰科天润,SiC晶圆成各大厂必争之地?

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    NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

    NLU1G86 单路2输入异或门

    6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 05:02 304次 阅读
    NLU1G86 单路2输入异或门

    NLU1G32 单路2输入或门

    2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 291次 阅读
    NLU1G32 单路2输入或门

    NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

    78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 427次 阅读
    NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

    NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

    01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 169次 阅读

    NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

    125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 17:02 135次 阅读
    NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

    FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

    是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 01:02 193次 阅读

    NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

    B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 279次 阅读

    NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

    120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 199次 阅读

    NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

    B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 193次 阅读

    FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

    一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
    发表于 07-31 04:02 263次 阅读

    NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

    低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
    发表于 07-30 08:02 163次 阅读
    NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

    NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

    4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 537次 阅读

    NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

    3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
    发表于 07-30 04:02 493次 阅读

    NCP3231A 高电流同步降压转换器

    1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 356次 阅读

    NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

    1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 197次 阅读

    NCP3231 高电流同步降压转换器

    1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 271次 阅读

    NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

    2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 184次 阅读

    NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

    C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 220次 阅读

    NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

    5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 271次 阅读