侵权投诉

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

半导体激光器寿命LD的失效方法

dingg6602 来源:芯片工艺技术 作者:芯片工艺技术 2021-09-12 10:41 次阅读

半导体激光器的寿命是一个很关键的参数,在各种应用中必须保证足够长的工作寿命,尤其在海底光缆通信、卫星通信中的,寿命需要达到20-30年。

而如果直接用工作下的条件去测试寿命,很耗时间、而且量大的话,耗费老化一起、电量都是很大的。因此必须有一套科学的筛选器件和预测寿命的方法,为使用者提供可靠的保证。

LD的失效方法有以下几种:

1)初期失效

这通常是激光器中的DLD和DSD生长导致在初期的迅速退化。它主要反映了制造工艺中的质量问题,初期失效的样品对热加速老化比较敏感,热激活能低。

2)随机失效

这种由于外部因素,如静电放电、瞬间的大电流波动,机械振动等引起的突变性损坏,这类器件在失效前不显示出任何迹象。

3)缓慢失效

其特点就是激光器的特性参数随着时间缓慢变化,这种失效是注定会到来的,是器件工作寿命的终止。

我们的任务就是尽量排除初期失效,尽可能的防止随机失效。建立一种在较短时间内能确定缓慢失效的方法,这就是加速老化试验。

所谓的加速老化就是在更苛刻的条件下或过应力状态下加速器件的退化。然后将在此苛刻条件下得到的可靠数据外推,从而得到正常条件的工作寿命值。

加速老化试验是否成功,数据的科学性、可参考性如何,关键在于确定老化所用的条件。

我们知道半导体LD的工作可靠性与其工作参数和外界工作条件密切相关,随着结温的升高,连续工作寿命降低,工作电流加大,也会导致激光器容易退化,工作时的辐射功率加大,也加快退化过程。因此,这些参数都可以选座位老化试验的条件或考察其变化的参量。

LD的筛选和寿命试验常常采用高温加速老化方法。且高温加速老化的机理应当与正常工作温度下的退化机理相同,只有这样,外推出来的预期寿命才是可靠的。

b087849e-12a9-11ec-8fb8-12bb97331649.png

InGaAsP激光器加速老化后在60摄氏度测定的工作电流与时间的关系

本次老化条件为:维持器件环境温度60℃,单面输出光功率为5mW,观察工作电流随老化时间的变化。图上可见在开始的500~1000小时内,电流增加很快,随后出现拐点,然后趋于饱和。

根据这些结果就可以筛选器件,

器件在单一缓慢退化方式下,半导体激光器的寿命t和温度T的关系服从指数形式的Arrhenius关系

b093eb3a-12a9-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Ea是激活能,Kb是玻尔兹曼常数。采用抽样测试退化率的办法测得Ea。退化率Rt与温度的关系也符合Arrhenius关系:

b0a22268-12a9-11ec-8fb8-12bb97331649.png

一般以维持恒定的输出光功率,测试不同老化温度下的退化率即可得到样片的激活能Ea。

b0add7a2-12a9-11ec-8fb8-12bb97331649.png

dI/dt对应上图的I(t)拐点之后的退化率值。一般对于GaAlAs/GaAs激光器,其Ea的平均值约0.7eV;对于InGaAsP/InP激光,Ea平均值约1.0eV。寿命约10E5~10E6小时。

此外平均时效时间也是衡量半导体LD可靠性的重要参数。正常工作温度下的平均时效时间也是通过测试高温老化条件下的平均时效时间和激活能,然后通过Arrhenius计算得到,而高温老化条件下平均时效时间的测定是以维持单面输出功率恒定,电流增加50%作为失效标准。

责任编辑:haq

原文标题:LD激光器的可靠性保证和加速寿命试验

文章出处:【微信号:dingg6602,微信公众号:芯片工艺技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    摆脱大国阴影,加拿大定下的30年半导体大计

    谈到半导体,其实这是一个地区化非常鲜明的产业,中国、日韩、欧美和以色列可以说是全球半导体实力最强的几....
    的头像 E4Life 发表于 01-29 08:24 284次 阅读
    摆脱大国阴影,加拿大定下的30年半导体大计

    世强硬创平台荣获“2021优秀代理商奖”

    硕凯电子股份有限公司颁发世强硬创平台“2021优秀代理商奖”。世强在2021年度为客户提供选型指导、....
    的头像 世强SEKORM 发表于 01-27 19:15 271次 阅读

    世强硬创平台荣获2021年度“最佳市场开拓奖”

    大普通信技术股份有限公司为世强硬创平台颁发2021年度“最佳市场开拓奖”。世强基于强大的平台用户积累....
    的头像 世强SEKORM 发表于 01-27 19:10 266次 阅读

    混合清洁法减少铜后CMP缺陷的实验报告

    我们华林科纳开发并实施了一种依次结合酸性和碱性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗过程。新工艺展示了相....
    发表于 01-27 16:53 4次 阅读

    诚迈科技亮相首届集微汽车半导体生态峰会

    在上海市经信委、浦东新区科经委指导下,由中国半导体投资联盟主办,张江高科、爱集微承办,上汽集团协办的....
    的头像 诚迈科技 发表于 01-27 16:19 207次 阅读

    微泡对臭氧水去除光刻胶的影响实验

    臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率,这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影....
    发表于 01-27 15:55 4次 阅读

    全球十大芯片代工企业排行榜

    芯片又叫或称微电路、微芯片、集成电路,半导体元件产品的统称,其作用是可以控制计算机到手机到数字微波炉....
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-27 14:46 257次 阅读

    中国十强半导体企业

    中国十强半导体企业有哪些?接下来简单介绍一下。
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-27 14:40 550次 阅读

    使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

    关键词:超临界清洗,离子注入光刻胶,光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法,使用超....
    发表于 01-27 14:07 215次 阅读
    使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

    Imagination的IMG CXT R3 GPU荣获最佳处理器IP类别奖项

    英国伦敦-2022年1月24日——Imagination Technologies的IMG CXT ....
    的头像 Imagination Tech 发表于 01-27 13:38 531次 阅读

    从代工厂看先进制程

    来源: 半导体产业纵横 台积电已于近日发布了2021年第四季度财报。数据显示,台积电7nm及以下制程....
    发表于 01-27 13:16 16次 阅读
    从代工厂看先进制程

    2022年世强硬创新产品研讨会年表正式发布

    世强硬创新产品研讨会旨在帮助研发工程师提升研发效率,加速产品落地。每年成功举办超过30场的会议,每年....
    的头像 世强SEKORM 发表于 01-27 13:13 212次 阅读

    安森美下一步发展目标:深耕智能电源与智能感知领域

    深耕智能电源与智能感知领域,这是2021年8月5日,安森美半导体官宣改名为安森美(onsemi)之后....
    的头像 安森美 发表于 01-27 12:43 192次 阅读

    默克电子科技业务宣布2025年前投资中国倍增计划

    ·未来3-4年内将新增在华投资超过10亿元,用于电子材料的生产、研发、供应链本土化建设和扩张 ·新增....
    的头像 焦点讯 发表于 01-27 10:59 108次 阅读

    150多家企业“上缴”数据后,美商务部结论:未发现“炒芯”,无法解决供应瓶颈...

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)当地时间1月25日,美国商务部终于公布了去年对供应链进行审查的结果。 ....
    的头像 Hobby观察 发表于 01-27 09:42 908次 阅读
    150多家企业“上缴”数据后,美商务部结论:未发现“炒芯”,无法解决供应瓶颈...

    关于臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒的研究报告

    摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜....
    发表于 01-26 16:02 11次 阅读
    关于臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒的研究报告

    ZnO薄膜的湿法刻蚀研究报告—华林科纳

    摘要 FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的....
    发表于 01-26 14:46 12次 阅读
    ZnO薄膜的湿法刻蚀研究报告—华林科纳

    华秋推出“买卖元器件找秋姐”服务

    半导体厂商涨价、芯片供应短缺仍在持续,此阶段对关键元器件的备货十分有必要。
    的头像 华秋商城 发表于 01-26 11:35 223次 阅读

    谷歌新一代AR头显细节曝光,元宇宙布局加快

    据媒体报道,谷歌正在开发下一代AR头显设备,项目代号为“Project Iris”,目前开发工作仍处....
    的头像 电子发烧友网 发表于 01-26 10:57 266次 阅读

    回顾2021年国内外碳化硅产业重大事件

    电子发烧友网报道(文/李诚)碳化硅与氮化镓同属于第三代半导体材料,均已被列入十四五发展规划纲要。碳化....
    的头像 电子发烧友网 发表于 01-26 10:43 284次 阅读

    隔离放大器会越来越多的应用到半导体器件中

    电子发烧友网报道(文/李宁远)隔离器件的使用在现今的半导体设备中越来越普遍了,既是为了满足安全法规,....
    的头像 电子发烧友网 发表于 01-26 10:31 199次 阅读

    快充与新能源汽车市场推动GaN功率器件大发展

    电子发烧友网报道(文/程文智)这几年第三代半导体异常火热,国内外很多半导体企业都涌入其中。根据Yol....
    的头像 电子发烧友网 发表于 01-26 09:41 204次 阅读

    加速科技硬核上镜浙江经视,是凭硬实力没错了

    近日,加速科技受余杭政府及浙江台经视频道邀请共同录制《特色小镇巡礼特别季——迈向高质量发展新征程》特....
    发表于 01-25 18:12 10次 阅读

    由光峰科技参与捐赠的贵州黔西青少年创客空间揭牌

    由光峰科技(688007.SH)参与捐赠的贵州黔西青少年创客空间正式揭牌,将作为当地青年服务阵地,引....
    的头像 光峰科技 发表于 01-25 18:10 343次 阅读

    国产半导体设备如何攻坚,未来将如何发展

    来源: TechSugar 半导体行业技术难、门槛高、进步快;一代产品需要一代工艺,而一代工艺需要一....
    发表于 01-25 14:32 55次 阅读
    国产半导体设备如何攻坚,未来将如何发展

    关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

    摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是....
    发表于 01-25 13:51 384次 阅读
    关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

    激光位移传感器与其他位移传感器的比较

    激光位移传感器可以非接触测量被测物体的位置、位移等变化,主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直....
    发表于 01-25 13:42 26次 阅读

    关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

    摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研....
    发表于 01-25 10:32 332次 阅读
    关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

    长电科技发出预增公告,2021业绩丰收已无悬念

    在2021年的前三季度,长电科技延续了自2020年以来的快速发展势头,专业化、国际化管理所带来的盈利....
    的头像 焦点讯 发表于 01-25 10:22 1124次 阅读

    二极管的常见种类有哪些

    二极管是用半导体材料制成的一种电子器件,主要应用在家用电器、工业控制电路等,那么二极管的常见种类有哪....
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-24 18:52 377次 阅读

    关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

    本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过....
    发表于 01-24 16:30 19次 阅读
    关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

    动态表面张力在半导体行业中的应用

    半导体晶圆制造工艺需要用到各种特殊的液体,如显影液,清洗液,抛光液等等,这些液体中表面活性剂的浓度对....
    的头像 在线测厚仪 发表于 01-24 16:12 236次 阅读
    动态表面张力在半导体行业中的应用

    关于HF与HNO3混合物中硅的湿化学蚀刻机理研究报告

    介绍 本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀....
    发表于 01-24 15:41 10次 阅读
    关于HF与HNO3混合物中硅的湿化学蚀刻机理研究报告

    世界十强芯片制造商有哪些

    芯片又叫微电路、微芯片、集成电路,是半导体元件产品的统称,在各行各业都有着非常广泛的应用。那么世界十....
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-23 17:14 757次 阅读

    全球十大半导体公司排行榜

    全球知名的半导体公司有哪些呢?接下来给大家介绍下全球十大半导体公司排名。
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-23 14:23 2754次 阅读

    奥林巴斯推出平台级工业显微镜软件PRECiV

    现代的工业生产环境,诸如在钢铁、半导体、电子、检测等行业内,对于产品的检测及分析尤为重要。在推出备受....
    发表于 01-23 10:00 38次 阅读

    正威集团计划建设硅基8-12英寸SOI半导体材料项目

    目前世界500强正威集团计划投资53亿,在阳逻建设硅基8-12英寸SOI半导体材料项目,投产后将实现....
    发表于 01-23 09:56 45次 阅读

    优炜芯紫外LED产业基地项目开工奠基

    湖北优炜芯紫外LED产业基地项目开工奠基仪式在湖北鄂州葛店开发区举行!
    发表于 01-23 09:54 35次 阅读

    第九届CHIP China晶芯在线研讨会精彩回顾

    摩尔定律提出至今近60年,平面工艺集成电路,伴随光刻精度的不断提升,晶体管尺寸的微缩逐渐接近硅原子的....
    发表于 01-23 09:45 28次 阅读

    全球首例!特斯拉车主滥用自动驾驶被控杀人罪;2021年全球半导体厂商中,数字和存储芯片增速最快,海思最

    谷歌新一代AR头显细节曝光,元宇宙布局加快   据媒体报道,谷歌正在开发下一代AR头显设备,项目代号....
    的头像 21克888 发表于 01-23 09:34 1498次 阅读
    全球首例!特斯拉车主滥用自动驾驶被控杀人罪;2021年全球半导体厂商中,数字和存储芯片增速最快,海思最

    世界顶尖的芯片公司有哪些

    世界顶尖的芯片公司有哪些呢?接下来简单介绍一下世界五大芯片公司排名。
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-21 17:31 1322次 阅读

    用于CVD金刚石沉积的氮化硅表面预处理报告

    摘要 本文研究了氮化硅(氮化硅)基底的不同表面预处理(四种标准化学蚀刻和四种金刚石粉末磨刻(CVD)....
    发表于 01-21 15:02 21次 阅读
    用于CVD金刚石沉积的氮化硅表面预处理报告

    希荻微什么时候上市

    1月21日,广东希荻微电子股份有限公司成功登陆科创板,希荻微新股上市。本次公司募集资金13.43亿元....
    的头像 lhl545545 发表于 01-21 14:40 400次 阅读

    各向异性金刚石刻蚀的研究报告

    摘要 金刚石具有优良的物理和电子性能,因此使用金刚石的各种应用正在开发中。此外,通过蚀刻技术控制金刚....
    发表于 01-21 13:21 22次 阅读
    各向异性金刚石刻蚀的研究报告

    通过简单的湿化学法合成ZnO结构的形态控制

    引言 氧化锌是最吸引人的半导体材料之一 ,因为它具有直接带隙、强发光、高热导率等特性。除此之外,它在....
    发表于 01-21 11:42 6次 阅读
    通过简单的湿化学法合成ZnO结构的形态控制

    三星宣布推出全新高端移动处理器Exynos 2200

    近日,三星宣布推出全新高端移动处理器 Exynos 2200。这是一款全新设计的移动处理器,配有强大....
    的头像 三星半导体和显示官方 发表于 01-21 10:34 366次 阅读

    世人皆言光刻胶难,它到底难在哪里

    来源: 果壳硬科技 1、光刻胶究竟是怎样一个行业? 光刻胶,又称“光致抗蚀剂”,是光刻成像的承载介质....
    发表于 01-20 21:02 40次 阅读
    世人皆言光刻胶难,它到底难在哪里

    关于使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻研究

    介绍 在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为....
    发表于 01-20 16:46 14次 阅读
    关于使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻研究

    2022年半导体最具发展潜力技术领域Top10进展报告

    半导体行业是一个国家工业强盛必不可少的基石。自中美贸易战开始以来,半导体行业成为关注最多、投入最大、....
    发表于 01-20 16:17 122次 阅读

    全球十大半导体公司排行榜

    半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,现如今大部分的电子产品都和半导体有着十分密切的联系....
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-20 15:47 1001次 阅读

    半导体激光焊锡电源相关资料下载

    半导体激光焊锡电源 连续直接输出激光器 高功率高精度电源直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率,输...
    发表于 12-29 08:00 0次 阅读

    大功率半导体激光电源的作用有哪些

    大功率半导体激光电源 输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率半导体直接输出激光器介绍直接半导体激光器输出功率涵盖...
    发表于 12-29 07:24 0次 阅读

    无源组件与有源元件及机电组件的功能区别

    无源组件不能放大信号,并且它们不会产生机械运动。有源元件可以放大信号。机电组件将电能转换为机械运动,将机械运动转换为电能...
    发表于 12-29 07:04 0次 阅读

    半导体直接输出激光器介绍

    半导体直接输出激光器介绍研制的直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率,输出功率稳定。200W以下的...
    发表于 12-29 06:21 0次 阅读

    LDO稳压器有何作用

       LDO稳压器通常是任何给定系统中成本最低的元件之一,但从成本/效益角度来说,它往往是最有价值的元件之一。除了输出电压...
    发表于 12-28 07:59 0次 阅读

    怎样去使用vim的基础命令

    vim从入门到精通--基础命令使用                     ...
    发表于 12-23 06:23 0次 阅读

    电源内阻对DC-DC转换器效率的影响

     DC-DC转换器常用于采用电池供电的便携式及其它高效系统,在对电源电压进行升压、降压或反相时,其效率高于95%。电源内阻是...
    发表于 11-16 08:52 101次 阅读

    LDO类的电源转换芯片

     LDO是low dropout regulator,意为低压差线性稳压器,是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78xx系列的芯片...
    发表于 11-16 08:50 101次 阅读

    正确理解DC/DC转换器

     一、正确理解DC/DC转换器:  DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类:...
    发表于 11-16 06:32 0次 阅读

    DC/DC稳压电源电路设计原理

      在电子产品设计过程中,电源通常是必不可少的部分,很多设备(尤其是使用电池的设备)的电源都是以DC/DC为主的。这些电源一...
    发表于 11-11 06:14 101次 阅读

    FS7140 我

    或FS7145是一款单芯片CMOS时钟发生器/再生器IC,旨在最大限度地降低各种电子系统的成本和元件数量。通过I2C总线接口,FS7140 / 45可以适应许多时钟发生要求。参考和反馈分频器的长度,精细的粒度和后分频器的灵活性使FS7140 / 45成为最灵活的独立PLL时钟发​​生器。 特性 极其灵活且低抖动的锁相环(PLL)频率合成 无外部环路滤波器组件需要 150 MHz CMOS或340 MHz PECL输出 可通过I2C总线完全配置 Up四个FS714x可用于单个I2C总线 3.3 V操作 独立的片上晶体振荡器和外部参考输入 累积抖动非常低 应用 终端产品 精确频率合成 低频时钟倍增 激光打印机(FS7145) 视频行锁定时钟生成 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 16:02 224次 阅读

    TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

    Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光发射机系列,在TO-中集成了高速电吸收激光器(EML),微型TEC和监视器PD。可同轴包装。它设计用于小型可插拔收发器和其他类型的光模块,用于高速电信和数据通信应用,包括SONET OC-192,SDH STM-64和10G以太网。 功能 数据速率高达10.7 Gb / s  链接距离最大40 km,速度为10 Gb / s 温度稳定 TEC功耗非常低 50Ω单端数据输入 外壳工作温度范围:-40至+85°C 应用 10G光收发器模块(XFP,X2,XENPAK和SFP +) 用于SONET / SDH的300针转发器 10GbE接口 线卡 100GHz信道间隔DWDM...
    发表于 07-04 11:19 275次 阅读
    TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

    247E-1490 247E-1490

    247Ex-1490是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射波长为1490 nm,适用于输出功率高达75 mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
    发表于 07-04 10:56 320次 阅读
    247E-1490 247E-1490

    725VR 725VR

    725型25 Gb / s EML芯片载体(CoC)是一种光学子组件,由1.3微米电子吸收调制激光器组成( EML)安装在金属化平台上。  CoC已经过吹扫和电光测试,可支持25 Gb / s的应用。 该载波有四个LAN-WDM波长通道,共4次; 25Gb / s传输。 功能 能够传输高达28 Gb / s LAN-WDM平均值为~1296,1300,1305标称值1309 nm,4次; 25/28 Gb / s传输应用 工作温度45~60℃ CMBH多量子阱DFB结构 高度可靠 用于高ER /低Vpp的高带宽调制器...
    发表于 07-04 10:56 313次 阅读
    725VR 725VR

    247E-1310 247E-1310

    247Ex-1310是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射频率为1310 nm,适用于输出功率高达75mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
    发表于 07-04 10:56 174次 阅读
    247E-1310 247E-1310

    AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

    Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4阵列氧化物GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL阵列专为高速光数据通信应用而设计,可产生圆对称的窄光束,通过适当的镜头,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 / div> 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)
    发表于 07-04 10:55 395次 阅读
    AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

    AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

    Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 符合100 Gb以太网 高功率输出  适用用于非密封环境 应用程序 25GbE SR SFP28可插拔收发器 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
    发表于 07-04 10:55 170次 阅读
    AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

    AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

    Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板,专为高速光学设计数据通信应用。   VCSEL设计用于符合IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太网链路,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围  数据速率从DC到10.3125 Gb / s  温度范围从5C到+ 75C 适用于非密封环境 应用 10GbE SR SFP +可插拔收发器 10GbE SFP +有源光缆(AOC) )...
    发表于 07-04 10:55 182次 阅读
    AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

    AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

    Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到28Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
    发表于 07-04 10:54 215次 阅读
    AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
    发表于 01-08 17:51 2149次 阅读
    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
    发表于 01-08 17:51 357次 阅读
    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
    发表于 01-08 17:51 523次 阅读
    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
    发表于 01-08 17:51 538次 阅读
    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
    发表于 01-08 17:51 585次 阅读
    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
    发表于 01-08 17:51 970次 阅读
    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
    发表于 01-08 17:51 999次 阅读
    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    LM358B 双路运算放大器

    LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
    发表于 01-08 17:51 1056次 阅读
    LM358B 双路运算放大器

    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 576次 阅读
    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
    发表于 01-08 17:51 540次 阅读
    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 557次 阅读
    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器